处理中...

首页  >  产品百科  >  UPD43256BGU-70LL-E2

UPD43256BGU-70LL-E2

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 256Kbit 4.5V 45mA 5.5V SOP 贴片安装,黏合安装 18mm*8.4mm*2.55mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) UPD43256BGU-70LL-E2

UPD43256BGU-70LL-E2概述

    μPD43256B 256K-bit CMOS Static RAM 技术手册解析

    产品简介


    产品名称: μPD43256B
    产品类型: MOS集成电路上的256K-bit CMOS静态随机存取存储器(SRAM)
    主要功能:
    - 高速读写能力
    - 低功耗设计
    - 宽电压操作范围(A版本:3.0至5.5V;B版本:2.7至5.5V)
    - 数据保持功能(最低保持电压为2.0V)
    - 支持电池备份功能
    - 数据传输速率快(最快可达70ns)
    应用领域:
    - 计算机系统
    - 办公设备
    - 通信设备
    - 测试与测量仪器
    - 音视频设备
    - 家用电子产品
    - 工业机器人
    - 汽车、火车、船舶等交通工具
    - 交通控制系统
    - 医疗设备(不专门用于生命支持)

    技术参数


    - 存储容量: 256K-bit(32K-Word × 8-bit)
    - 工作电压:
    - A版本:3.0V~5.5V
    - B版本:2.7V~5.5V
    - 最大访问时间: 70、85、100、120ns
    - 低功耗数据保持: 最低2.0V
    - 芯片选择输入: /CS
    - 写入使能输入: /WE
    - 输出使能输入: /OE
    - 引脚配置: 28-pin PLASTIC SOP和28-pin PLASTIC TSOP (I)
    - 绝对最大额定值:
    - 供电电压:–0.5V~+7.0V
    - 输入/输出电压:–0.5V~(VCC + 0.5)V
    - 操作温度范围:0℃~70℃
    - 存储温度范围:–55℃~+125℃
    - DC特性:
    - 输入泄漏电流:≤±1.0μA
    - 输出泄漏电流:≤±1.0μA
    - 工作电源电流:45mA(最高)
    - 待机电流:3μA(最高)
    - 高电平输出电压:≥2.4V
    - 低电平输出电压:≤0.4V

    产品特点和优势


    - 高速访问: 最快可达70ns,满足多种高速应用需求。
    - 低功耗设计: 即使在高频率下工作,也能保持较低的功耗,适合便携式和移动设备。
    - 宽电压操作范围: A和B版本分别提供不同电压范围的选择,确保适应不同设备需求。
    - 数据保持能力强: 低至2.0V仍能保持数据稳定,适合在电力波动较大的环境中使用。
    - 结构紧凑: 28-pin PLASTIC SOP和TSOP封装形式,适合空间有限的设计。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 在计算机系统中作为缓存使用,在汽车导航系统中作为数据存储,在医疗设备中作为生命体征监测系统的临时存储单元。
    - 使用建议:
    - 确保供电电压在推荐范围内,避免超出绝对最大额定值以防止损坏。
    - 对于频繁读写的应用,注意散热管理,确保良好的热设计。
    - 在低温环境下使用时,验证数据保持电压是否满足要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与各种标准接口兼容,可广泛应用于多个行业领域。
    - 支持服务: 厂商提供了详细的技术文档和客户支持服务,可通过其官方网站获取最新的技术支持和产品信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确保数据完整性和准确性?
    - 解决方案: 使用适当的地址访问时间和输出保持时间来避免数据丢失。
    - 问题: 如何处理供电电压超出额定范围的情况?
    - 解决方案: 遵守绝对最大额定值,一旦发现电压超出,立即断开电源,检查并修复电路。

    总结和推荐


    综上所述,μPD43256B 是一款性能优异、适用范围广泛的存储器芯片,具备高速、低功耗、宽电压操作等特点,适用于多种应用场合。尽管存在一定的设计挑战(如电压控制和数据完整性),但通过合理设计和遵循制造商的指导原则,可以最大限度地发挥其优势。因此,强烈推荐此款存储器芯片用于需要高可靠性的项目中。
    本文档摘录自Renesas Electronics的μPD43256B技术手册,涵盖了该产品的主要特性和应用指南,旨在帮助工程师更好地理解和应用该存储器芯片。请注意,本文档的内容可能随时间更新而有所变化,请以最新版的技术手册为准。

UPD43256BGU-70LL-E2参数

参数
最大工作供电电压 5.5V
最小工作供电电压 4.5V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 -
存储容量 256Kbit
最大供电电流 45mA
最大时钟频率 -
长*宽*高 18mm*8.4mm*2.55mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装,黏合安装

UPD43256BGU-70LL-E2厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPD43256BGU-70LL-E2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS UPD43256BGU-70LL-E2 UPD43256BGU-70LL-E2数据手册

UPD43256BGU-70LL-E2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
23A256T-I/SN ¥ 13.974
23A512T-E/SN ¥ 18.496
23K256-I/SN ¥ 6.6105
23K640-E/P ¥ 8.6837
23K640-E/SN ¥ 7.9684
23K640-I/P ¥ 7.236
23K640-I/ST ¥ 7.571
23LCV1024-I/SN ¥ 29.645
23LCV1024T-I/SN ¥ 27.459
23LCV512T-I/SN ¥ 19.436