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70V639S15BF

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 2.25Mb (128K x 18) 128 k x 18 3.15V 440mA 3.45V Parallel CABGA-208 贴片安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V639S15BF
供应商: 期货订购
标准整包数: 21
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V639S15BF

70V639S15BF概述


    产品简介


    基本介绍
    IDT70V639是一款高性能的128K x 18位异步双端口静态RAM(SRAM),它能够为需要高速读写和高可靠性内存的应用提供高效的存储解决方案。这款产品设计用于作为独立的2304K位双端口RAM或组合主/从双端口RAM,适用于36位或更宽字系统的应用。使用IDT的主/从双端口RAM方法,可以实现全速无错误的操作,无需额外的离散逻辑。
    主要功能
    - 真正的双端口存储单元:允许同时访问相同的存储位置。
    - 高访问速度:商业版本最大可达10/12/15ns,工业版本最大可达12/15ns。
    - 深度扩展性:通过双芯片使能可以轻松扩展深度,无需外部逻辑。
    - JTAG支持:符合IEEE 1149.1标准,但128引脚TQFP封装不支持JTAG。
    - 双电压选项:可以选择3.3V或2.5V作为输入/输出电压和控制信号。
    应用领域
    - 工业应用:适用于温度范围为-40°C至+85°C的工业级应用。
    - 商业应用:适用于温度范围为0°C至+70°C的商业级应用。
    - 36位及以上的宽字系统:广泛应用于计算机、网络设备和其他高性能计算系统中。

    技术参数


    - 存储容量:128K x 18位
    - 工作电压:3.3V(核心电压);3.3V或2.5V(I/O和控制信号)
    - 温度范围:工业级:-40°C至+85°C;商业级:0°C至+70°C
    - 电源电压范围:核心供电电压:3.15V至3.45V;I/O供电电压:2.4V至2.6V(3.3V或2.5V)

    产品特点和优势


    - 异步操作:每个端口都可以独立且异步地访问存储器中的任何位置。
    - 双电压选择:支持不同的I/O电压,提供了更大的灵活性。
    - 高级逻辑支持:集成的仲裁逻辑和信号传递支持,简化了设计和实现。
    - 绿色材料:部分型号提供无铅版本,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT70V639常用于要求高速读写的嵌入式系统中。例如,在网络交换机中,多处理器之间的数据交换就需要一个能够同时提供高速读写能力的存储器。IDT70V639正好满足这种需求,可以高效地处理大量数据传输。
    使用建议
    - 正确连接电压:确保所有VDD引脚连接到3.3V电源,所有VDDQ引脚连接到适当的电压(3.3V或2.5V)。
    - 正确配置OPT引脚:根据所需的I/O和控制信号电压选择相应的OPT引脚设置。
    - 注意地址线和控制线的频率:在快速读写循环中,注意控制线的切换频率不要超过最大值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IDT70V639具有多种封装形式,包括128引脚TQFP、208球BGA和256球BGA,这使得它可以方便地安装在各种电路板上。
    - 技术支持:IDT公司提供了全面的技术支持,包括详细的文档和应用指南,确保用户可以顺利地进行产品开发和应用。

    常见问题与解决方案


    - Q: 无法正常工作
    - A: 检查所有电源和接地引脚是否正确连接。确保所有地址线和控制线都连接到了正确的引脚。

    - Q: 存储数据出现错误
    - A: 检查电压设置是否正确。确保I/O和控制信号的电压匹配所选的OPT引脚设置。

    - Q: 功耗过高
    - A: 检查是否有不必要的地址线或控制线处于活动状态。减少这些活动线的数量可以降低功耗。

    总结和推荐


    综合评估
    IDT70V639是一款非常适合高速数据处理和存储应用的高性能双端口静态RAM。它具备高可靠性和出色的性能,特别是在要求异步操作和双电压选择的应用场景中表现出色。其先进的逻辑支持和广泛的适用温度范围使其成为许多行业应用的理想选择。
    推荐使用
    强烈推荐使用IDT70V639。它的高可靠性、广泛的应用范围和出色的性能使其在众多同类产品中脱颖而出,特别适合于对存储器要求极高的嵌入式系统和高性能计算系统。

70V639S15BF参数

参数
最大供电电流 440mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.45V
最小工作供电电压 3.15V
组织 128 k x 18
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 2.25Mb (128K x 18)
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 在售

70V639S15BF厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V639S15BF数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V639S15BF 70V639S15BF数据手册

70V639S15BF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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