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UPD 431000AGW-70LL-E2

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 128KB 4.5V 70mA 5.5V SOP 贴片安装 11.3mm(宽度)*2.7mm(高度)
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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) UPD 431000AGW-70LL-E2

UPD 431000AGW-70LL-E2概述


    产品简介


    μPD431000A MOS 集成电路:1MB CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)
    μPD431000A 是一款高速、低功耗的1,048,576位(131,072字节 × 8位)CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。它具有两个片选引脚(/CE1, /CE2)以扩展容量,并支持电池备份功能。此外,A版和B版均支持低电压操作。
    应用领域:
    - 通信设备
    - 数据处理系统
    - 工业自动化设备
    - 便携式电子产品

    技术参数


    核心技术规格
    | 参数 | 值 |

    | 组织结构 | 131,072字节 × 8位 |
    | 访问时间 | 70, 85, 100, 120, 150 纳秒(最大值) |
    | 操作电压范围 | A版:3.0至5.5伏
    B版:2.7至5.5伏 |
    | 操作环境温度 | 0°C 至 70°C |
    | 低电压数据保持 | 2.0 伏(最小值) |
    功率与电流
    | 参数 | 电平 | 电压 | 温度 | 最大值 |

    | 供电电流 | 操作 | 4.5至5.5伏 | 0至70°C | 70毫安 |
    | 电源电流(待机模式) 4.5至5.5伏 | 0至70°C | 100微安 |
    | 数据保持电流 | 2.0 伏 15微安 |

    产品特点和优势


    μPD431000A具备多种独特的特性和优势:
    1. 高速访问:提供不同等级的访问时间(如70纳秒),能够满足不同的应用场景需求。
    2. 低功耗设计:在高、低电压操作下都能保持低功耗,延长电池寿命。
    3. 双片选输入:提供灵活的控制机制,便于多芯片系统的配置。
    4. 数据保留能力强:在2.0伏的低电压环境下仍能保证数据安全。
    这些特点使得μPD43100A在高性能存储设备的应用中表现出色,尤其适用于需要高速、低功耗和强数据保持能力的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 通信设备:在移动通信基站中,μPD431000A可以作为高速缓存来提升整体数据处理效率。
    2. 工业自动化:在复杂的工业控制系统中,该SRAM用于存储关键操作数据,确保系统的稳定运行。
    3. 便携式电子产品:通过其低功耗特性,μPD431000A可以显著延长便携式设备的电池使用寿命。
    使用建议
    - 在连接到电路之前,请确认所有的信号线正确配置。
    - 避免将数据输入到输出状态的I/O引脚上,以防损坏。
    - 确保数据写入时至少有一个片选信号处于低电平状态。

    兼容性和支持


    - 封装选项:提供多种封装形式,包括32针塑料DIP、32针塑料SOP及32针塑料TSOP。
    - 支持服务:NEC Electronics提供了全面的技术支持和维护服务,可直接联系当地销售代表获取更多详细信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 什么是数据保持电流?
    - A: 数据保持电流是在低电压条件下保证数据安全所需的最低电流。例如,μPD431000A在2.0伏时的数据保持电流为15微安。
    2. Q: 如何避免在地址转换期间的错误操作?
    - A: 在地址转换期间,至少要保持一个片选信号或写入使能信号处于非激活状态。详情请参考技术手册的注意事项部分。

    总结和推荐


    总体而言,μPD431000A是一款具备强大性能和广泛应用潜力的1MB CMOS SRAM,特别适合于那些需要高数据传输速率和稳定性高的场合。其独特的双片选功能以及优秀的数据保持能力使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐用于需要高速缓存存储的应用场景。

UPD 431000AGW-70LL-E2参数

参数
最小工作供电电压 4.5V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 -
存储容量 128KB
最大供电电流 70mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 5.5V
长*宽*高 11.3mm(宽度)*2.7mm(高度)
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

UPD 431000AGW-70LL-E2厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPD 431000AGW-70LL-E2数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS UPD 431000AGW-70LL-E2 UPD 431000AGW-70LL-E2数据手册

UPD 431000AGW-70LL-E2封装设计

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