处理中...

首页  >  产品百科  >  70V3579S4BC

70V3579S4BC

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 1.125Mb (32K x 36) 32 k x 36 3.15V 460mA 3.45V 133MHz Parallel BGA-256 贴片安装 17mm*17mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V3579S4BC
供应商: 期货订购
标准整包数: 48
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V3579S4BC

70V3579S4BC概述

    高速32K x 36位双端口同步流水线静态RAM(IDT70V3579)技术手册

    1. 产品简介


    IDT70V3579是一款高性能的32K x 36位双端口同步流水线静态随机存取存储器(SRAM)。该存储器采用真双端口存储单元设计,允许两个端口同时访问同一内存地址。该器件提供高速时钟到数据访问性能,支持工业和商业温度范围,具备多种芯片封装形式,广泛应用于各种高端计算和通信设备中。

    2. 技术参数


    - 核心电源电压: VDD = 3.3V ± 150mV
    - I/O电源电压: VDDQ = 2.5V 或 3.3V
    - 最大时钟周期时间: tCYC2 = 10ns (典型值)
    - 最小时钟高电平时间: tCH2 = 3ns (典型值)
    - 最小时钟低电平时间: tCL2 = 3ns (典型值)
    - 最小地址建立时间: tSA = 1.8ns (典型值)
    - 最小地址保持时间: tHA = 0.7ns (典型值)
    - 最小时钟到数据有效时间: tCD2 = 4.2ns (最大值)
    - 最小输出使能到输出高阻抗时间: tOHZ = 4.5ns (最大值)
    - 最小输入数据建立时间: tSD = 1.8ns (典型值)
    - 最小输入数据保持时间: tHD = 0.7ns (典型值)
    - 工作温度范围: 商业级 0°C 至 +70°C;工业级 -40°C 至 +85°C
    - 封装形式: 208引脚塑料扁平封装(PQFP),208引脚细间距球栅阵列(fpBGA),256引脚球栅阵列(BGA)

    3. 产品特点和优势


    - 真双端口存储单元: 允许两个端口同时访问同一内存位置,显著提升并发读写性能。
    - 高速时钟到数据访问: 商业级模式下最高可达4.2ns,工业级模式下为5ns。
    - 流水线输出模式: 数据输出经过一次时钟周期延迟,确保系统稳定性。
    - 独立计数器控制: 支持计数器使能和复位,适用于快速交错存储应用。
    - 兼容多种电源配置: 可以选择3.3V或2.5V的I/O电压,灵活性高。
    - 绿色环保选项: 提供无铅版本,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 数据中心: 由于其高并发读写能力和快速的数据传输速度,该存储器适合用于大型数据中心中,作为高速缓存使用。
    - 网络通信设备: 在路由器、交换机等设备中,需要处理大量高速数据流,该存储器能够高效满足需求。
    - 使用建议:
    - 确保所有VDD引脚连接到3.3V电源,VDDQ引脚根据OPT引脚设置连接到相应电压(2.5V或3.3V)。
    - 使用适当的外部电路来满足时序要求,如使用缓冲器减少信号传播延迟。
    - 针对不同应用场景,选择合适的工作温度范围(商业级或工业级)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IDT70V3579可与多种其他电子元器件和设备配合使用,确保了良好的互操作性。
    - 支持和服务: 提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的技术文档、在线支持和现场技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 存储器无法正常工作。
    - 解决方案: 检查电源电压是否正确设置,确认所有引脚连接正确,参考技术手册检查是否存在信号时序错误。
    - 问题2: 输出不稳定。
    - 解决方案: 检查是否正确设置了OPT引脚以选择适当的I/O电压,使用适当的外部电路来确保信号质量。
    - 问题3: 存储容量未达到预期。
    - 解决方案: 确认是否正确配置了芯片使能信号(CE0、CE1),并检查是否正确组态了深度扩展。

    7. 总结和推荐


    IDT70V3579作为一款高性能、多功能的双端口同步流水线SRAM,具备出色的读写速度和灵活的配置选项,特别适用于数据中心和网络通信设备等高性能应用场合。考虑到其强大的功能和广泛的适用性,我们强烈推荐该产品用于相关应用的设计与开发中。

70V3579S4BC参数

参数
最小工作供电电压 3.15V
组织 32 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1.125Mb (32K x 36)
最大供电电流 460mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.45V
长*宽*高 17mm*17mm*1.4mm
通用封装 BGA-256
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

70V3579S4BC厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V3579S4BC数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V3579S4BC 70V3579S4BC数据手册

70V3579S4BC封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
48+ $ 98.934 ¥ 826.0989
96+ $ 98.934 ¥ 826.0989
144+ $ 98.934 ¥ 826.0989
库存: 10000
起订量: 48 增量: 48
交货地:
最小起订量为:48
合计: ¥ 39652.74
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
23A256-I/ST ¥ 12.5204
23A256T-I/SN ¥ 13.974
23A512T-E/SN ¥ 18.496
23K256-I/SN ¥ 6.6105
23K640-E/P ¥ 8.7458
23K640-E/SN ¥ 7.9684
23K640-I/ST ¥ 8.1313
23K640T-I/ST ¥ 7.774
23LC512-I/P ¥ 17.7269
23LCV1024-I/SN ¥ 26.4827