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70V7519S133BF

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (256K x 36) 256 k x 36 3.15V 645mA 3.45V 133MHz Parallel CABGA-208 贴片安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V7519S133BF
供应商: 期货订购
标准整包数: 21
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V7519S133BF

70V7519S133BF概述


    产品简介


    基本介绍
    IDT70V7519是一款高性能的256K x 36位同步双端口静态随机存储器(SRAM),集成了64个独立的4K x 36位存储块。这款产品具有256K字节容量,每个存储块容量为36位,适用于各种高带宽应用。其独特的功能使其在高性能计算、网络通信、数据中心等领域广泛应用。

    技术参数


    核心

    技术参数


    - 存储容量:256K x 36位(总计9兆位)
    - 存储块:64个独立的4K x 36位存储块
    - 引脚配置:提供208针fpBGA和256针BGA封装
    - 电压:核心供电电压为3.3V;I/O接口电压可选3.3V或2.5V
    - 时钟频率:商业级最高可达200MHz(3.4ns周期),工业级最高可达166MHz(3.6ns周期)或133MHz(4.2ns周期)
    电气特性
    - 时序:
    - 最大时钟周期时间(tCYC2):商业级3.4ns(200MHz)、工业级3.6ns(166MHz)、3.6ns(133MHz)
    - 数据输出有效时间(tCD2):商业级3.4ns、工业级3.6ns、3.6ns
    - 输出低阻抗时间(tOLZ):500ps
    - 输出高阻抗时间(tOHZ):商业级1.5ns、工业级3.4ns、3.6ns
    - 功率:
    - 静态功耗:在所有输入处于高电平时,最大为120mA
    - 待机功耗:商业级最大为410mA,工业级最大为355mA

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 银行切换功能:每个端口可以访问任何未被对方端口访问的存储块,提高了系统的灵活性和并行处理能力。
    - 高时钟频率:最高可达200MHz,适用于高速数据传输应用。
    - 低功耗:通过芯片使能控制,每个端口可以在不使用时进入低功耗模式,从而降低系统总功耗。
    - 兼容性:支持3.3V或2.5V的I/O电源电压,增强了与不同系统之间的兼容性。
    - 可靠性:支持JTAG测试接口,便于系统调试和故障诊断。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    - 网络交换机:在高速网络设备中,用于存储和缓存大量数据包。
    - 服务器内存:在数据中心服务器中,作为快速访问的数据存储单元。
    - 图像处理系统:在图像处理系统中,用于缓存大量的图像数据。
    使用建议
    - 散热设计:由于高工作频率会导致发热量增加,因此需要良好的散热设计以确保正常运行。
    - 电源管理:为了减少功耗,建议根据实际需求选择合适的电压等级,并在不使用时通过芯片使能控制进入低功耗模式。
    - 布局布线:考虑到信号完整性要求,建议将关键信号线保持最短,避免过长的走线。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IDT70V7519支持标准的3.3V或2.5V I/O电压,兼容多种不同的硬件平台。
    - 该产品还支持JTAG测试接口,便于集成到复杂的电路板设计中。
    支持和服务
    - 制造商提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的硬件手册和软件驱动程序。
    - 客户可以通过官方技术支持渠道获取帮助,确保产品能够顺利集成到最终系统中。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品损坏如何处理?
    - 解决方案:首先确认是否超出了绝对最大额定值范围。如果确实超过了额定值,则可能造成永久性损坏。在这种情况下,建议联系IDT技术支持寻求进一步的帮助。
    2. 产品在高温环境下无法正常工作怎么办?
    - 解决方案:检查供电电压和环境温度是否符合要求。如果温度超出工业级温度范围(-40°C至+85°C),则可能导致产品无法正常工作。建议选择合适的温度范围产品或优化散热设计。
    3. 芯片使能后仍无法正常读写数据怎么办?
    - 解决方案:检查地址和控制信号的设置是否正确,确保CE0和CE1的控制信号设置正确。同时,确保数据信号的建立时间和保持时间满足要求。

    总结和推荐


    综合评估
    IDT70V7519凭借其高密度、高速度和低功耗的特点,在高性能计算和网络通信领域表现出色。其独特的银行切换功能使得数据访问更加灵活,同时强大的支持和兼容性使其易于集成到各种系统中。
    推荐使用
    总体而言,IDT70V7519是适合需要高速数据传输和高可靠性的应用场合的理想选择。无论是在数据中心、网络设备还是高性能计算系统中,它都能够提供卓越的性能和稳定性。建议优先考虑使用该产品来提升系统的整体性能。

70V7519S133BF参数

参数
组织 256 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (256K x 36)
最大供电电流 645mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.45V
最小工作供电电压 3.15V
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 在售

70V7519S133BF厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V7519S133BF数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V7519S133BF 70V7519S133BF数据手册

70V7519S133BF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
21+ $ 154.396 ¥ 1289.2066
42+ $ 154.396 ¥ 1289.2066
63+ $ 154.396 ¥ 1289.2066
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