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71V3557S85BG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 512KB 128 k x 36 3.135V 225mA 3.465V 100MHz Parallel PBGA-119 贴片安装,黏合安装 14mm*22mm*2.15mm
供应商型号: Q-71V3557S85BG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3557S85BG8

71V3557S85BG8概述

    # IDT71V3557/59 ZBT™ SRAM 技术手册

    产品简介


    IDT71V3557/59 是由Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高性能同步SRAM芯片,支持128K x 36和256K x 18的内存配置。这款SRAM芯片采用3.3V供电,并具有高速度的特点,最高系统速度可达100 MHz(7.5 ns时钟到数据访问时间)。产品名称中的“ZBT”表示零总线周转时间(Zero Bus Turnaround),意指在读写操作之间没有空闲周期,从而提高了系统的整体效率和响应速度。该产品广泛应用于高速数据存储、缓冲区和其他需要快速存取的应用场景。

    技术参数


    主要技术规格
    - 内存配置:128K x 36, 256K x 18
    - 系统速度:高达100 MHz
    - 工作电压:3.3V ±5%
    - 存储温度范围:商业温度(0°C 到 +70°C),工业温度(-40°C 到 +85°C)
    支持的电气特性
    - 输入高电平电压:VDD + 0.3V
    - 输入低电平电压:-0.3V 至 0.8V
    - 输出高电平电压:2.4V
    - 输出低电平电压:0.4V
    - 最大输出电流:50 mA
    - 最大功率消耗:2.0 W
    工作环境
    - 静态温度范围:商业温度(0°C 至 +70°C),工业温度(-40°C 至 +85°C)
    - 高温下的最大电源电压:3.465 V
    - 低温下的最小电源电压:3.135 V

    产品特点和优势


    IDT71V3557/59 的主要特点是其独特的ZBT™(Zero Bus Turnaround)功能,可以在读写操作之间实现零总线周转时间。这不仅提高了数据传输效率,还能显著降低系统的功耗。此外,该产品还具有以下优势:
    - 单一读写控制引脚简化了设计复杂性
    - 四字突发能力(可选线性或交错模式),提供高效的数据访问
    - 异步输出使能信号,使得在不活跃状态下的数据输出阻断变得更加容易
    - 包含100引脚薄塑料四方扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165精细球栅阵列(fBGA)等多种封装形式

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT71V3557/59 可以用于多种需要高速数据处理的应用场景,例如高性能计算机系统、网络交换机、电信设备等。它们可以作为高速缓存存储器或临时缓冲区使用,有效提高系统的数据处理能力。
    使用建议
    - 在使用IDT71V3557/59之前,应仔细检查电源电压和温度条件,确保在其额定范围内使用。
    - 在多字节写入操作中,确保Byte Write信号在整个写周期内有效。
    - 在系统设计中,可以利用三路芯片选择信号进行简单的深度扩展,提高系统的灵活性。

    兼容性和支持


    IDT71V3557/59 支持标准的JEDEC封装和接口,因此可以很容易地集成到现有的硬件平台中。对于开发和测试需求,该产品提供了JTAG接口,允许进行边界扫描测试,并可以通过JTAG控制器进行重置和诊断。同时,IDT公司提供了相应的技术支持,用户可以联系公司的技术支持团队获得帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题1:数据输出不稳定
    - 解决方案:检查输出使能信号OE是否正确设置为低电平。确保所有输入信号都满足建立和保持时间要求。

    - 问题2:芯片选择无效
    - 解决方案:确认所有芯片选择信号(CE1, CE2, CE2)均正确设置。如果任何一条信号未被正确激活,则芯片将不会进入有效状态。

    - 问题3:数据读取错误
    - 解决方案:检查地址输入A0-A17是否正确配置,同时确保时钟信号CLK稳定且符合时序要求。

    总结和推荐


    IDT71V3557/59是一款集成了多项先进特性的高速同步SRAM芯片。其零总线周转时间和高效的突发读写功能使其成为高性能数据处理的理想选择。在各类高速存储和缓冲应用场景中,这款产品表现优异,且提供灵活的封装选择和丰富的技术支持。因此,强烈推荐这一款高性能的SRAM芯片。
    如需进一步咨询,可通过以下方式联系我们:
    - 销售热线:800-345-7015 或 408-284-8200
    - 邮箱:sramhelp@idt.com
    - 官网:www.idt.com

71V3557S85BG8参数

参数
最小工作供电电压 3.135V
组织 128 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 512KB
最大供电电流 225mA
最大时钟频率 100MHz
最大工作供电电压 3.465V
长*宽*高 14mm*22mm*2.15mm
通用封装 PBGA-119
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 商业级
包装方式 卷带包装

71V3557S85BG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3557S85BG8数据手册

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71V3557S85BG8封装设计

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