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71V3556SA150BGG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 128 k x 36 3.135V 3.465V 150MHz Parallel PBGA-119 贴片安装 14mm*22mm*2.15mm
供应商型号: Q-71V3556SA150BGG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3556SA150BGG8

71V3556SA150BGG8概述


    产品简介


    IDT71V3556/58是IDT公司推出的一款高性能3.3V同步SRAM(静态随机存取存储器),容量分别为128K x 36和256K x 18位。这些存储器设计用于消除读写操作之间的死周期,从而实现零总线转换(ZBT)技术。这些SRAM具有高速性能,最高可达200MHz(x18)和166MHz(x36),非常适合需要高性能存储器的应用场合。

    技术参数


    基本参数:
    - 内存配置:128K x 36、256K x 18
    - 电压:3.3V核心电源,3.3V I/O供电
    - 时钟速度:最高200MHz(x18)或166MHz(x36)
    - 芯片封装:JEDEC标准100引脚塑料薄型四方扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165细间距球栅阵列(fBGA)
    引脚和信号:
    - 地址输入:A0-A17(同步输入)
    - 控制信号:CE1, CE2, CE2(芯片使能,同步输入),OE(输出使能,异步输入),R/W(读写信号,同步输入),CEN(时钟使能,同步输入),BW1-BW4(字节写入使能,同步输入)
    - 其他信号:LBO(线性/交错突发顺序,静态输入),TMS(测试模式选择,同步输入),TDI(测试数据输入,同步输入),TCK(测试时钟,同步输入),TDO(测试数据输出,同步输出),TRST(JTAG复位,异步输入),ZZ(睡眠模式,同步输入)
    - 数据输入/输出:I/O0-I/O31,I/OP1-I/OP4(同步双向)

    产品特点和优势


    - 零总线转换(ZBT):无需死周期即可完成读写转换,提高了数据传输效率。
    - 高性能系统速度:最高支持200MHz(x18)和166MHz(x36)的系统速度。
    - 内部同步输出缓冲使能:不需要手动控制OE信号。
    - 单读写控制针脚:简化了控制逻辑。
    - 4字节突发能力:可以提供连续四个周期的数据。
    - 兼容边界扫描JTAG接口:便于测试和调试。
    - 3.3V电源:兼容现代系统供电标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 高速缓存:由于其高速性能和无死周期的特点,非常适合用于高速缓存应用。
    - 通信设备:在交换机和路由器等设备中,可以作为数据存储和处理的关键部件。
    - 工业控制:在自动化控制系统中,可以提高数据处理的速度和效率。
    使用建议:
    - 在进行写操作时,确保R/W信号为低电平,以保证正确的数据写入。
    - 使用LBO信号选择合适的突发顺序(线性或交错)。
    - 在高负载情况下,考虑使用多个芯片来扩展深度。

    兼容性和支持


    IDT71V3556/58支持多种封装形式(TQFP、BGA、fBGA),使其易于集成到不同的系统中。此外,该产品还提供了可选的JTAG接口,方便进行硬件测试和故障诊断。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:数据读取错误
    - 解决方案:检查时钟信号是否稳定,确保所有同步信号(如CLK、R/W等)的时序满足要求。
    2. 问题:数据写入失败
    - 解决方案:确认R/W信号设置正确,且数据写入周期内没有干扰信号。
    3. 问题:系统不稳定
    - 解决方案:检查电源电压是否符合规范,确保VDD和VDDQ在允许范围内。

    总结和推荐


    IDT71V3556/58凭借其零总线转换技术、高性能系统速度和强大的兼容性,成为高性能存储应用的理想选择。它在多个领域中展现出了卓越的性能和可靠性,特别适合于需要高速数据传输和处理的系统。鉴于其广泛的应用范围和优越的特性,强烈推荐使用这款产品。

71V3556SA150BGG8参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
最大供电电流 -
最大时钟频率 150MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 128 k x 36
长*宽*高 14mm*22mm*2.15mm
通用封装 PBGA-119
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

71V3556SA150BGG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3556SA150BGG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V3556SA150BGG8 71V3556SA150BGG8数据手册

71V3556SA150BGG8封装设计

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