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71V3556SA166BQG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 128 k x 36 3.135V 350mA 3.465V 166MHz Parallel CABGA-165 贴片安装,黏合安装 15mm*13mm*1.2mm
供应商型号: Q-71V3556SA166BQG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 2000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3556SA166BQG8

71V3556SA166BQG8概述


    产品简介


    IDT71V3556/58 是由Integrated Device Technology, Inc.(简称IDT)开发的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器)。这些存储器芯片专为高速系统设计,具备零总线周转(ZBTTM)功能,能够显著提高读写操作之间的效率。该产品提供两种内存配置:128K x 36 和 256K x 18,适用于各种高要求的数据处理和存储应用。

    技术参数


    - 内存配置:128K x 36 和 256K x 18
    - 工作电压:核心电压 3.3V ± 5%,I/O电压 3.3V ± 5%
    - 最大频率:
    - x18 配置下:200 MHz(3.2 ns 时钟到数据访问时间)
    - x36 配置下:166 MHz(3.5 ns 时钟到数据访问时间)
    - 工作温度范围:
    - 商用级:0°C 至 +70°C
    - 工业级:-40°C 至 +85°C
    - 电源功耗:2.0 W
    - 绝对最大额定值:终端电压相对于接地的范围为-0.5V 至 +4.6V
    - 引脚描述:
    - 地址输入:A0-A17
    - 控制信号:CE1、CE2、CEN、R/W、OE 等
    - 数据输入/输出:I/O0-I/O31、I/OP1-I/OP4
    - 其他信号:TMS、TDI、TCK、TDO 等

    产品特点和优势


    IDT71V3556/58 主要优势如下:
    1. 零总线周转(ZBTTM)功能:无需等待周期,提高了读写操作之间的效率。
    2. 高性能:支持高达200 MHz的工作频率,满足高要求的应用需求。
    3. 多字节写入功能:通过单独控制每个字节的写入,提供更灵活的数据管理。
    4. 多种封装选项:提供100针TQFP、119球BGA和165细间距BGA等多种封装选择,便于不同应用场景的集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 数据中心:用于高速缓存和临时存储。
    - 网络交换机:处理大量数据包和快速路由。
    - 工业控制系统:实时数据处理和存储。
    使用建议
    1. 电源管理:确保核心电压和I/O电压稳定在3.3V ± 5%范围内,以避免功耗过高导致设备损坏。
    2. 数据完整性:在进行数据传输时,确保所有控制信号(如CEN、R/W等)正确配置,以防止数据丢失或错误。
    3. 温度管理:在高温环境中使用时,应特别注意散热问题,确保温度不超过推荐范围。

    兼容性和支持


    IDT71V3556/58 支持多种封装选项,方便集成到不同的硬件平台中。此外,厂商提供了丰富的技术支持文档和在线支持服务,帮助用户解决常见的安装和调试问题。对于需要高级功能支持的用户,还可以选择使用边界扫描JTAG接口进行测试和诊断。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何启用ZBTTM功能?
    - 解决方案:将CEN信号拉低,并确保所有同步输入信号(如地址和控制信号)在时钟上升沿被正确采样。
    2. 问:如何关闭设备?
    - 解决方案:将CE1、CE2或CE2信号拉高,或者将CEN信号拉高,从而实现设备的挂起或关闭状态。
    3. 问:如何处理数据完整性问题?
    - 解决方案:在进行数据传输时,确保所有控制信号和地址信号被正确设置,并且数据路径在两次时钟周期后稳定。

    总结和推荐


    综上所述,IDT71V3556/58 是一款功能强大、性能稳定的高性能SRAM存储器。它具备多项独特功能和优势,如ZBTTM功能、高频率支持以及多字节写入能力,非常适合在高速数据处理和存储应用场景中使用。总体来说,我们非常推荐这款产品给那些需要高性能存储解决方案的用户。

71V3556SA166BQG8参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
最大供电电流 350mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 128 k x 36
数据总线宽度 -
长*宽*高 15mm*13mm*1.2mm
通用封装 CABGA-165
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 商业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

71V3556SA166BQG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3556SA166BQG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V3556SA166BQG8 71V3556SA166BQG8数据手册

71V3556SA166BQG8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 8.866 ¥ 74.0311
4000+ $ 8.866 ¥ 74.0311
6000+ $ 8.866 ¥ 74.0311
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