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70T651S10BFI

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (256K x 36) 256 k x 36 2.4V 445mA 2.6V Parallel CABGA-208 贴片安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70T651S10BFI
供应商: 期货订购
标准整包数: 21
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70T651S10BFI

70T651S10BFI概述

    高速2.5V 256/128K x 36 异步双端口静态RAM — IDT70T651/9

    产品简介


    IDT70T651/9 是一款高速2.5V 256/128K x 36位异步双端口静态RAM(SRAM),专为需要高并发访问的应用而设计。此款SRAM提供独立的两个端口,每个端口都有单独的控制、地址和输入输出引脚,允许对内存进行独立且异步的读写操作。无论是作为独立的9216/4608K位双端口RAM使用,还是作为主从模式的双端口RAM用于72位及以上的系统,IDT70T651/9都能提供高效、无错误的操作,无需额外的离散逻辑。

    技术参数


    - 存储容量: 256/128K x 36位
    - 访问速度:
    - 商业级:最大10/12/15 ns
    - 工业级:最大10/12 ns
    - 电压支持:
    - 内核供电:2.5V(±100mV)
    - 输入/输出接口:3.3V(±150mV)/2.5V(±100mV)
    - 工作温度范围:
    - 商业级:0°C 到 +70°C
    - 工业级:-40°C 到 +85°C
    - 封装形式:
    - 256球栅阵列(BGA)
    - 208球细间距BGA
    - 208引脚四方扁平封装(PQFP)

    产品特点和优势


    1. 真双端口存储单元:支持同时访问同一内存位置,提高了系统效率。
    2. 高速访问:商业级10/12/15 ns,工业级10/12 ns的最大访问速度。
    3. 快速写入模式:简化了高速连续写操作。
    4. 双芯片使能:允许多深度扩展而无需外部逻辑。
    5. 主从选择支持:通过选择适当的信号可扩展到72位甚至更宽的数据总线。

    应用案例和使用建议


    IDT70T651/9广泛应用于需要高性能存储需求的应用中,如数据处理系统、网络交换机、视频采集卡等。实际应用中,为了确保最佳性能,建议将每个端口的VDDQ设置为其相应的电源电压(2.5V或3.3V),并正确配置OPTx引脚来设定I/O的供电电压。

    兼容性和支持


    IDT70T651/9支持JTAG特性,符合IEEE 1149.1标准。此外,该器件还提供了睡眠模式,可以关闭所有动态输入,从而降低功耗。在电源供应时,务必遵循正确的电源排序和稳定时间要求以避免损坏器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法正确读取数据 | 检查VDD、VSS和OPTx引脚是否已正确连接 |
    | 设备不响应 | 确认电源电压和信号电平是否在规定的范围内 |

    总结和推荐


    总体而言,IDT70T651/9 是一款出色的异步双端口SRAM,具有高性能、灵活性和可靠性。它适合那些需要高并发访问能力和低功耗特性的应用场合。鉴于其广泛的温度适应范围和多样化的封装选项,该器件非常适合工业和商业环境下的使用。因此,我强烈推荐该产品给需要高可靠性和高性能的用户。

70T651S10BFI参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (256K x 36)
最大供电电流 445mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 2.6V
最小工作供电电压 2.4V
组织 256 k x 36
数据总线宽度 -
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

70T651S10BFI厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70T651S10BFI数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70T651S10BFI 70T651S10BFI数据手册

70T651S10BFI封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
21+ $ 250.976 ¥ 2095.6496
42+ $ 250.976 ¥ 2095.6496
63+ $ 250.976 ¥ 2095.6496
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