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70T631S10BF

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (256K x 18) 256 k x 18 2.4V 405mA 2.6V Parallel CABGA-208 贴片安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70T631S10BF
供应商: 期货订购
标准整包数: 21
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70T631S10BF

70T631S10BF概述


    产品简介


    IDT70T633/1S 高速2.5V 512/256K x 18 异步双端口静态RAM
    IDT70T633/1S 是一款高速异步双端口静态RAM(SRAM),容量为512/256K x 18位,具有工业级和商业级温度范围。该产品旨在作为独立的9216/4608K比特双端口RAM或用于36位及以上字系统的主/从双端口RAM。通过IDT的主/从双端口RAM方法,36位及更宽的内存系统能够实现全速、无错误的操作,无需额外的离散逻辑。

    技术参数


    - 存储容量:512/256K x 18位
    - 工作电压:2.5V (±100mV)
    - 接口电压:I/O和控制信号可选3.3V (±150mV) 或2.5V (±100mV)
    - 封装:BGA-208和BGA-256
    - 温度范围:工业温度范围(–40°C至+85°C)
    - 引脚数:208球和256球BGA封装
    - 读写速度:商业级最高可达10ns/12ns/15ns,工业级最高可达10ns/12ns
    - 供电:单个2.5V核心电源
    - 工作电流:动态工作电流最大为300mA至445mA
    - 待机电流:全关闭电流(CMOS输入)小于10μA
    - 电气特性:
    - 输入泄漏电流(最大):10μA
    - 输出泄漏电流(最大):10μA
    - 输出低电平(最小):0.4V
    - 输出高电平(最小):2.0V

    产品特点和优势


    IDT70T633/1S 具有多种独特功能和优势:
    1. 双端口访问:提供两个独立的端口,允许同时访问同一内存位置,这显著提高了数据处理速度和效率。
    2. 高速访问:针对商业应用最高可达10ns/12ns/15ns,工业应用最高可达10ns/12ns,适合高性能计算。
    3. RapidWrite模式:简化了高速连续写入周期的操作,方便设计师在高性能水平下的设计。
    4. 深度扩展:双芯片使能允许不使用外部逻辑即可进行深度扩展。
    5. 兼容性:支持IEEE 1149.1标准的JTAG特性,使得测试和调试更为便捷。

    应用案例和使用建议


    IDT70T633/1S 广泛应用于需要高性能、低延迟的系统中,例如数据中心、通信基础设施、图像处理等领域。对于需要同时读写大量数据的应用场景,如视频缓存和缓冲,该产品尤为适用。此外,在对数据一致性和可靠性要求较高的应用中,它也表现出色。
    使用建议:
    1. 确保所有电源和接地连接正确,特别是确保VDD、VDDQ和VSS的正确连接。
    2. 在选择工作电压时,根据OPT引脚设置选择正确的VDDQ,以保证I/O和控制信号的正常工作。
    3. 使用RapidWrite模式时,注意在高速写入操作之间保持适当的时序关系。

    兼容性和支持


    IDT70T633/1S 支持JTAG特性,兼容IEEE 1149.1标准,可以方便地进行测试和调试。厂商提供详细的技术支持文档,包括编程指南和故障排除手册,确保用户能够充分利用产品的全部功能。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 如何设置VDDQ的工作电压?
    - 通过OPT引脚设置VDDQ的工作电压,确保I/O和控制信号的正常工作。
    2. 如何避免电源电压波动影响系统稳定性?
    - 确保在电源上升沿期间,任何输入或I/O引脚的电压不超过VDDQ。
    3. 如何启用睡眠模式?
    - 通过拉高ZZL和ZZR引脚来进入睡眠模式,此时所有动态输入将被关断。

    总结和推荐


    IDT70T633/1S 以其卓越的性能、灵活性和可靠性在各种应用中展现出色的表现。无论是在数据中心、通信基础设施还是其他需要高性能存储的应用场景,该产品都是理想的选择。我们强烈推荐用户在这些应用场景中考虑使用该产品。

70T631S10BF参数

参数
组织 256 k x 18
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (256K x 18)
最大供电电流 405mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 2.6V
最小工作供电电压 2.4V
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

70T631S10BF厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70T631S10BF数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70T631S10BF 70T631S10BF数据手册

70T631S10BF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
21+ $ 175.494 ¥ 1465.3749
42+ $ 175.494 ¥ 1465.3749
63+ $ 175.494 ¥ 1465.3749
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