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70V3579S6BCI8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 1.125Mb (32K x 36) 32 k x 36 3.15V 360mA 3.45V 133MHz Parallel BGA-256 贴片安装,黏合安装 17mm*17mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V3579S6BCI8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8概述

    高速 32K x 36 双端口同步流水线静态 RAM:IDT70V3579

    产品简介


    IDT70V3579 是一款高性能的 32K x 36 位同步双端口静态 RAM(Static Random Access Memory),具有真双端口内存单元,可以同时访问同一内存地址。本产品适用于高速数据处理及通信应用,如存储器扩展、多处理器系统及复杂嵌入式系统设计等。

    技术参数


    - 速度:
    - 商业级:最大 4.2/5/6ns
    - 工业级:最大 5ns

    - 时钟到数据访问:4.2ns(商业级)
    - 输出模式:流水线输出模式
    - 计数器功能:包含计数器启用和重置功能
    - 双重芯片使能:无需额外逻辑即可实现深度扩展
    - 全同步操作:
    - 周期时间:7.5ns
    - 操作频率:133MHz
    - 最大带宽:9.6 Gbps
    - 时钟到数据输出:4.2ns
    - 所有控制、数据和地址输入在 133MHz 时的设置时间为 1.8ns,保持时间为 0.7ns
    - 电源和接口:
    - 核心电源:3.3V(±150mV)
    - I/O 和控制信号电源:可选 3.3V(±150mV)或 2.5V(±125mV)
    - 工作温度范围:
    - 工业级:-40°C 至 +85°C
    - 封装形式:
    - 208 引脚塑料四侧扁平封装(PQFP)
    - 208 引脚细间距球栅阵列(fpBGA)
    - 256 引脚球栅阵列(BGA)

    产品特点和优势


    IDT70V3579 在多个方面具有明显的优势:
    1. 真双端口内存单元:允许同时访问相同内存位置,大大提高了并发读写能力。
    2. 高速时钟到数据访问:最短的时钟到数据访问时间为 4.2ns(商业级),这使得数据传输更为迅速高效。
    3. 流水线输出模式:有效减少延迟时间,提高整体性能。
    4. 计数器功能:提供计数器启用和重置功能,方便进行地址计数和控制。
    5. 多重芯片使能:可以通过控制信号实现多设备深度扩展,无需额外逻辑支持。
    6. 广泛的工作温度范围:支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于苛刻环境下的应用。
    7. 灵活的电源和接口选择:支持 3.3V 或 2.5V 接口,可根据需要进行选择。
    8. 环保材料:部分型号采用环保材料制造,符合绿色标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT70V3579 主要应用于高性能存储器需求的场合,如数据中心、网络交换机、高性能计算系统及移动通信基站等。这些系统通常需要高速的数据处理能力和较高的可靠性。
    使用建议
    1. 正确配置 I/O 电压:根据应用需求选择合适的 I/O 电压(3.3V 或 2.5V)。务必确保核心电压为 3.3V。
    2. 注意时序要求:由于流水线操作,需要注意时序匹配,特别是在多设备连接时。
    3. 避免高温损坏:对于工业级应用,在极端条件下需采取散热措施,避免过热。
    4. 使用外部逻辑进行深度扩展:如果需要扩展内存容量,可通过多芯片并联的方式实现。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他遵循类似协议的电子元器件兼容。
    - 厂商支持:IDT 提供详尽的技术文档和全面的客户支持,包括在线资源和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 数据损坏:
    - 问题描述:数据读取或写入过程中出现错误。
    - 解决办法:检查电源和时序配置,确认所有控制信号和地址信号符合规范。
    2. 功耗过高:
    - 问题描述:设备在低负载情况下功耗较高。
    - 解决办法:确认是否处于正确的工作模式,必要时降低 I/O 电压。
    3. 数据未及时更新:
    - 问题描述:读取或写入的数据未能及时反映在输出中。
    - 解决办法:确认时钟频率和时序配置,确保数据同步正确。

    总结和推荐


    综上所述,IDT70V3579 是一款集高速度、高可靠性和灵活性于一体的高性能双端口静态 RAM,特别适合需要高并发处理能力和复杂系统设计的应用场景。其具备广泛的温度范围和支持多种封装形式的特点,使其成为众多系统设计的理想选择。如果你正在寻找一种能够在苛刻环境中稳定运行且具有出色性能的存储器解决方案,IDT70V3579 绝对是一个值得考虑的选择。

70V3579S6BCI8参数

参数
最小工作供电电压 3.15V
组织 32 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1.125Mb (32K x 36)
最大供电电流 360mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.45V
长*宽*高 17mm*17mm*1.4mm
通用封装 BGA-256
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

70V3579S6BCI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V3579S6BCI8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V3579S6BCI8 70V3579S6BCI8数据手册

70V3579S6BCI8封装设计

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