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71V65903S80PFG

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 1.125MB 512 k x 18 3.135V 250mA 3.465V Parallel TQFP-100 贴片安装 20mm*14mm*1.4mm
供应商型号: CY-71V65903S80PFG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65903S80PFG

71V65903S80PFG概述


    产品简介


    IDT71V65703/5903 是由 Integrated Device Technology, Inc. 生产的高性能 3.3V 同步零总线转位 (Zero Bus Turnaround, ZBT) SRAM。它们提供 256K x 36 和 512K x 18 的存储配置,具备高数据吞吐率,适用于需要快速数据存取的高端应用。该系列SRAM以其高速度、低功耗和优秀的同步性能而闻名,被广泛应用于通信、网络设备、数据中心等领域。

    技术参数


    主要技术规格:
    - 存储容量:256K x 36 或 512K x 18
    - 系统速度:最高可达 100 MHz(7.5 ns 钟到数据访问时间)
    - I/O 电压:3.3V ±5%
    - 工作温度范围:商业级 0°C 至 +70°C,工业级 -40°C 至 +85°C
    - 封装形式:100 针塑料薄型四侧扁平封装 (TQFP),119 球栅阵列 (BGA) 和 165 细间距球栅阵列 (fBGA)
    电气特性:
    - 输入高电压:2.0 V 至 VDD + 0.3 V
    - 输入低电压:-0.3 V 至 0.8 V
    - 输出低电压:最大 0.4 V
    - 输出高电压:最小 2.4 V
    支持的信号:
    - 地址输入:A0-A18
    - 控制信号:CE1, CE2, CE2, R/W, CEN, ADV/LD, LBO, ZZ
    - 数据输入/输出:I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4
    工作环境:
    - 电源电压:VDD 3.135V 至 3.465V,VDDQ 3.135V 至 3.465V
    - 存储温度范围:-55°C 至 +125°C

    产品特点和优势


    IDT71V65703/5903 在多方面展现出其独特的优势:
    1. 高速度:支持高达 100 MHz 的系统速度,使数据传输速率显著提高。
    2. 零总线转位 (ZBT):无需等待时间即可完成读写操作,大幅减少了死周期,提升了整体性能。
    3. 高集成度:采用先进的 CMOS 工艺,提供了卓越的性能和可靠性。
    4. 高稳定性:具备多种内部控制信号和保护机制,如 Sleep 模式,确保数据的完整性。
    5. 可扩展性:通过三路芯片选择信号(CE1, CE2, CE2),便于系统深度扩展。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通信设备:例如路由器、交换机,需要高速的数据处理能力。
    - 网络设备:例如服务器、存储系统,需要大量数据的快速读写。
    - 数据中心:用于缓存和高速数据访问。
    使用建议:
    - 电路设计:考虑使用外部缓冲器来管理高速信号,减少信号失真。
    - 热管理:对于工业级应用,需特别注意散热,防止过热影响设备性能。
    - 软件优化:结合软件编程,合理安排数据读写顺序,充分发挥 ZBT 特性的优势。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的 JEDEC 封装兼容,方便系统集成。
    - 技术支持:提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档和在线技术资源。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何正确设置芯片选择信号?
    - 解决方案:确保 CE1, CE2, CE2 都处于正确的状态(低电平有效)才能正常启用设备。
    问题 2:数据输出不稳定怎么办?
    - 解决方案:检查输出信号的驱动能力和阻抗匹配情况,调整输出端的阻抗匹配电阻。

    总结和推荐


    IDT71V65703/5903 是一款高性能、高可靠性的同步 SRAM,具有显著的速度优势和零总线转位特性,适合于各种高要求的数据处理应用。其优异的电气特性和灵活的应用方式使其在市场上具备强大的竞争力。综合来看,强烈推荐使用这款 SRAM,在各类高端应用中发挥出其卓越性能。

71V65903S80PFG参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 1.125MB
最大供电电流 250mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 512 k x 18
数据总线宽度 -
长*宽*高 20mm*14mm*1.4mm
通用封装 TQFP-100
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 在售
包装方式 散装,托盘

71V65903S80PFG厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65903S80PFG数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V65903S80PFG 71V65903S80PFG数据手册

71V65903S80PFG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 14.9963 ¥ 121.4821
25+ $ 14.3766 ¥ 119.3876
50+ $ 13.7569 ¥ 117.2931
100+ $ 13.509 ¥ 116.2458
300+ $ 13.3851 ¥ 115.1986
500+ $ 13.2612 ¥ 114.1513
1000+ $ 12.8893 ¥ 108.915
5000+ $ 12.8893 ¥ 108.915
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