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UPD44325364BF5-E40-FQ1-A

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5MB 1.7V 1.9V 250MHz Parallel FBGA-165 贴片安装
供应商型号: CY-UPD44325364BF5-E40-FQ1-A
供应商: Avnet
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) UPD44325364BF5-E40-FQ1-A

UPD44325364BF5-E40-FQ1-A概述

    高质量文章:μPD44325084B-A, μPD44325094B-A, μPD44325184B-A, μPD44325364B-A 36M-Bit QDRTM II SRAM

    产品简介


    本手册介绍了型号为μPD44325084B-A、μPD44325094B-A、μPD44325184B-A 和 μPD44325364B-A 的 36M-Bit QDRTM II 同步四倍数据速率静态随机存取存储器(SRAM)。这些器件是专为需要同步操作、高速度、低电压、高密度和宽位配置的应用设计的。该系列 SRAM 器件采用了先进的 CMOS 技术,内置自定时写入控制功能,可提供多种配置以满足不同需求。

    技术参数


    以下列出了各个型号的技术规格和关键参数:
    - μPD44325084B-A:
    - 组织方式: 4M x 8
    - 时钟周期时间: 3.3ns (300MHz) / 3.5ns (287MHz) / 4.0ns (250MHz) / 5.0ns (200MHz)
    - 核心供电电压: 1.8 ± 0.1V
    - I/O 接口: HSTL
    - 封装形式: 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
    - μPD44325094B-A:
    - 组织方式: 4M x 9
    - 时钟周期时间: 3.3ns (300MHz) / 3.5ns (287MHz) / 4.0ns (250MHz) / 5.0ns (200MHz)
    - 核心供电电压: 1.8 ± 0.1V
    - I/O 接口: HSTL
    - 封装形式: 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
    - μPD44325184B-A:
    - 组织方式: 2M x 18
    - 时钟周期时间: 3.3ns (300MHz) / 3.5ns (287MHz) / 4.0ns (250MHz) / 5.0ns (200MHz)
    - 核心供电电压: 1.8 ± 0.1V
    - I/O 接口: HSTL
    - 封装形式: 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)
    - μPD44325364B-A:
    - 组织方式: 1M x 36
    - 时钟周期时间: 3.3ns (300MHz) / 3.5ns (287MHz) / 4.0ns (250MHz) / 5.0ns (200MHz)
    - 核心供电电压: 1.8 ± 0.1V
    - I/O 接口: HSTL
    - 封装形式: 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)

    产品特点和优势


    - 低电压操作:采用 1.8V 供电,降低了功耗并简化了系统电源设计。
    - 高密度存储:支持高达 36M 比特的存储容量,满足大容量数据处理需求。
    - 四倍数据速率:每个时钟周期可以读取或写入四个数据,显著提高数据传输速度。
    - 并发事务处理:支持独立的读写端口,允许多个数据流同时进行处理,提高系统效率。
    - 用户可编程输出阻抗:提供灵活的阻抗匹配,确保信号完整性和可靠性。
    - HSTL 接口:提供高速信号传输,保证数据完整性。

    应用案例和使用建议


    这些 SRAM 器件适用于多种高性能应用,例如高性能计算、网络交换机、存储系统和工业自动化等领域。建议在选择具体型号时,根据应用的需求来确定所需的组织方式(如 4M x 8、4M x 9、2M x 18、1M x 36)和时钟频率(300MHz、287MHz、250MHz 或 200MHz)。
    - 高性能计算:使用 36M-Bit 组织方式以最大化存储容量。
    - 网络交换机:选择高时钟频率的型号以提升数据吞吐量。
    - 工业自动化:考虑使用宽位配置(如 2M x 18)以实现更复杂的控制系统。

    兼容性和支持


    - 封装形式:所有型号均采用 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17),确保良好的电气连接性和物理稳定性。
    - 厂商支持:该产品具有 JTAG 1149.1 兼容测试访问端口,方便进行电路调试和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题:时钟频率不稳定导致性能下降
    - 解决方案:确保输入时钟频率稳定,并且时钟信号具有低相位抖动。如果需要,可以将 DLL# 设置为低电平以禁用 PLL,但需要注意 AC/DC 特性的保证。
    - 问题:无法正确初始化
    - 解决方案:按照推荐的上电顺序进行操作,先启动 VDD 再启动 VDDQ,最后提供稳定的时钟信号。确保 VDDQ 不超过 VDD 0.5V 的限制。

    总结和推荐


    μPD44325084B-A, μPD44325094B-A, μPD44325184B-A 和 μPD44325364B-A 是高性能、高密度的同步四倍数据速率 SRAM 器件,非常适合需要高带宽和高数据传输速率的应用。其独特的四倍数据速率、低电压操作和高性能的特点使其在市场上具备强大的竞争力。强烈推荐给对高性能和高密度存储有需求的设计工程师和系统开发人员。

UPD44325364BF5-E40-FQ1-A参数

参数
最大时钟频率 250MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5MB
最大供电电流 -
通用封装 FBGA-165
安装方式 贴片安装
包装方式 托盘

UPD44325364BF5-E40-FQ1-A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPD44325364BF5-E40-FQ1-A数据手册

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UPD44325364BF5-E40-FQ1-A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 55.0678 ¥ 446.0949
25+ $ 52.7923 ¥ 438.4036
50+ $ 50.5168 ¥ 430.7123
100+ $ 49.6066 ¥ 426.8666
300+ $ 49.1514 ¥ 423.021
500+ $ 48.6963 ¥ 419.1753
1000+ $ 47.331 ¥ 399.9471
5000+ $ 47.331 ¥ 399.9471
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