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71V3579S65PFG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 512KB 256 k x 18 3.135V 300mA 3.465V 133MHz Parallel TQFP-100 贴片安装,黏合安装 20mm*14mm*1.4mm
供应商型号: Q-71V3579S65PFG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3579S65PFG8

71V3579S65PFG8概述

    IDT71V3577/79 3.3V Synchronous SRAMs 技术手册

    产品简介


    IDT71V3577/79 是高性能的同步静态随机存取存储器(SRAM),具有两种配置:128K x 36 和 256K x 18。这些 SRAM 专为高要求的数据处理系统设计,广泛应用于工业控制、网络通信、计算机存储等领域。它们采用了最新的 CMOS 工艺,确保高速度和低功耗。特别值得一提的是,这些 SRAM 支持快速访问时间,可以满足现代应用对高性能的需求。

    技术参数


    以下是 IDT71V3577/79 的关键技术参数和性能指标:
    - 存储容量:
    - 128K x 36 或 256K x 18
    - 时钟频率:
    - 商业级:最高可达 133 MHz(6.5ns)
    - 工业级:最高可达 117 MHz(7.5ns)、100 MHz(8.0ns)和 87 MHz(8.5ns)
    - 供电电压:
    - 核心电源:3.3V ± 5%
    - I/O 电源:3.3V ± 5%
    - 引脚定义:
    - 包含地址输入(A0-A17)、片选信号(CE、CS0、CS1)、输出使能(OE)、全局写入使能(GW)、字节写入使能(BWE)、数据输入输出(I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4)等。
    - 其他特性:
    - 线性/交错突发模式选择输入(LBO)
    - 休眠模式输入(ZZ)
    - 可选的边界扫描 JTAG 接口

    产品特点和优势


    1. 高容量和高性能:128K x 36 或 256K x 18 的大容量存储,配合商业级高达 133 MHz 的时钟频率,使其成为高性能系统的理想选择。
    2. 灵活的突发模式:通过 LBO 输入,用户可以选择线性或交错突发模式,以适应不同的数据传输需求。
    3. 节能设计:ZZ 输入控制睡眠模式,实现最低的功耗水平,同时保证数据保留。
    4. 多种封装选项:提供 100 针 TQFP、119 球 BGA 和 165 精细间距 BGA 封装,以适应不同应用场景的需求。
    5. 高级功能支持:支持可选的 JTAG 测试接口,便于调试和维护。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IDT71V3577/79 广泛应用于需要高速数据处理的应用场景,例如工业自动化系统、网络交换机、路由器以及高性能计算系统。
    使用建议:
    1. 优化电源管理:确保 VDD 和 VDDQ 供电电压稳定在 3.3V ± 5%,避免因电压波动导致的可靠性问题。
    2. 正确配置引脚:特别是 LBO 和 ZZ 引脚,以充分利用其特性,如选择适当的突发模式和进入睡眠模式。
    3. 合理利用边界扫描 JTAG:对于需要进行复杂测试的应用,可以考虑使用 JTAG 接口进行调试。

    兼容性和支持


    IDT71V3577/79 与其他标准电子元件兼容,并且提供全面的技术支持和文档资源。厂商还提供了详尽的用户手册和技术指南,帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:时钟频率不稳定
    - 解决方法:确保电源电压稳定,遵循推荐的电源管理方案,并确保所有同步输入信号符合规定的设置和保持时间。
    2. 问题:数据传输错误
    - 解决方法:检查地址和控制信号是否正确配置,确认 LBO 和 ZZ 引脚的状态正确。
    3. 问题:无法进入睡眠模式
    - 解决方法:确保 ZZ 引脚配置正确,尝试手动复位以恢复默认状态。

    总结和推荐


    IDT71V3577/79 作为一款高性能、高可靠性的同步 SRAM,具备多种优势。它适合于需要高数据传输速度和低功耗的应用场景。综合以上各方面因素,强烈推荐将这款 SRAM 用于高要求的数据处理系统中。

71V3579S65PFG8参数

参数
最大供电电流 300mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 18
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 512KB
长*宽*高 20mm*14mm*1.4mm
通用封装 TQFP-100
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

71V3579S65PFG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3579S65PFG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V3579S65PFG8 71V3579S65PFG8数据手册

71V3579S65PFG8封装设计

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