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71V65903S80BG

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (512K x 18) 512 k x 18 3.135V 250mA 3.465V Parallel PBGA-119 贴片安装 14mm*22mm*2.15mm
供应商型号: Q-71V65903S80BG
供应商: 期货订购
标准整包数: 252
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65903S80BG

71V65903S80BG概述


    产品简介


    IDT71V65703/5903 是由 Integrated Device Technology, Inc. 设计和制造的高速同步静态随机存取存储器(SRAM)。这些SRAM具有256K x 36位或512K x 18位的内存配置,适用于多种高要求的应用场景。这些SRAM的主要特点是其高性能、零总线周转时间(ZBTTM)以及同步读写功能,使得它们非常适合于需要高速数据处理的应用,例如通信设备、服务器、网络设备等。

    技术参数


    - 内存配置:256K x 36位或512K x 18位
    - 系统速度:最高可达100 MHz(7.5纳秒时钟到数据访问)
    - 供电电压:核心电源电压为3.3V ±5%,I/O电源电压也为3.3V ±5%
    - 工作温度范围:商业级(0°C 到 +70°C),工业级(-40°C 到 +85°C)
    - 封装形式:JEDEC标准100引脚塑料薄型四边扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165细间距球栅阵列(fBGA)

    产品特点和优势


    IDT71V65703/5903的主要特点包括零总线周转时间(ZBTTM)、高速读写能力、低功耗以及同步操作模式。这些特性使其能够在高速数据传输和处理方面表现出色,特别适合于需要低延迟和高吞吐量的应用场合。此外,多样的芯片使能信号(CE1、CE2、CE2)和个体字节写入控制(BW1-BW4)增加了其在不同应用场景下的灵活性和适应性。

    应用案例和使用建议


    IDT71V65703/5903 广泛应用于各种高带宽需求的系统中,如网络交换机、路由器、基站以及其他需要高速缓存的数据处理设备。在实际应用中,用户可以利用其多个芯片使能信号和个体字节写入功能来灵活配置内存深度和组织结构。对于某些特殊应用场景,可能需要通过调整CEN和OE信号来优化读写操作的时间性能。

    兼容性和支持


    该产品在电气特性和物理尺寸上符合JEDEC标准,确保了良好的互换性和兼容性。此外,厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用这些SRAM。对于用户在集成和调试过程中可能遇到的问题,厂家也提供了详尽的支持资源,包括故障排除指南和技术咨询热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确设置CEN信号以实现芯片暂停操作?
    解决方案:将CEN信号保持高电平一段时间即可暂停芯片的操作。此时,内部寄存器保持之前的值不变,所有输入信号被忽略。

    - 问题:如何进行内部地址加载操作?
    解决方案:当CEN为低且ADV/LD为低时,新的外部地址将被加载至内部寄存器。如果在此期间ADV/LD变高,则内部地址计数器将被递增。

    总结和推荐


    综上所述,IDT71V65703/5903 在高速SRAM领域具备显著的优势和应用价值。它不仅提供了出色的性能和可靠性,还拥有广泛的适用范围和强大的技术支持。因此,强烈推荐这类产品用于需要高性能、高可靠性的应用场景,如网络设备和数据中心等。

71V65903S80BG参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 512 k x 18
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (512K x 18)
最大供电电流 250mA
长*宽*高 14mm*22mm*2.15mm
通用封装 PBGA-119
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

71V65903S80BG厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65903S80BG数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V65903S80BG 71V65903S80BG数据手册

71V65903S80BG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
252+ $ 22.44 ¥ 187.374
504+ $ 22.44 ¥ 187.374
756+ $ 22.44 ¥ 187.374
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