处理中...

首页  >  产品百科  >  71V3556SA100BG

71V3556SA100BG

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 128 k x 36 3.135V 250mA 3.465V 100MHz Parallel PBGA-119 贴片安装 14mm*22mm*2.15mm
供应商型号: Q-71V3556SA100BG
供应商: 期货订购
标准整包数: 168
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3556SA100BG

71V3556SA100BG概述


    产品简介


    IDT71V3556/58系列是3.3V高效率的4,718,592位(4.5兆位)同步SRAM。这些芯片专为在读写操作之间消除死总线周期而设计,从而实现零总线翻转(ZBTTM)特性。它们广泛应用于需要高性能存储解决方案的系统中,如计算机、通信设备和工业自动化系统。

    技术参数


    - 内存配置:128K x 36或256K x 18
    - 工作频率:
    - 3.2ns时钟到数据访问延迟(200 MHz,适用于x18配置)
    - 3.5ns时钟到数据访问延迟(166 MHz,适用于x36配置)
    - 零总线翻转(ZBTTM):无读写之间的死循环
    - 内部同步输出缓冲器启用:无需控制OE信号
    - 单R/W控制引脚
    - 正边沿触发寄存器:地址、数据和控制信号寄存器
    - 4字突发能力:可选择交错或线性
    - 字节写入控制:每个字节9位,独立控制
    - 三重芯片使能:简化深度扩展
    - 电源要求:3.3V核心供电,±5%容差;3.3V I/O供电
    - 封装选项:JEDEC标准100引脚薄型四平封装(TQFP),119球栅阵列(BGA)和165精细间距球栅阵列(fBGA)

    产品特点和优势


    - 高性能:支持高达200 MHz的工作频率,提供3.2ns的时钟到数据访问延迟,适合高性能系统。
    - 零总线翻转(ZBTTM):消除读写转换期间的死循环,提升系统效率。
    - 内部同步输出缓冲器:消除了对外部OE信号控制的需求,简化设计。
    - 字节写入控制:每个字节具有独立的写入控制,提供了更高的灵活性。
    - 三重芯片使能:便于深度扩展,适应不同的应用需求。
    - 低功耗模式:支持睡眠模式,减少功耗,保障数据保留。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT71V3556/58广泛应用于需要高速读写操作的系统,例如高性能的计算平台和通信设备。一个典型的例子是在网络路由器中作为缓存存储器,用于快速处理大量数据包。
    使用建议
    - 硬件连接:确保所有同步输入符合时序要求,特别是与CLK相关。
    - 电源管理:严格遵守推荐的电源电压范围,以确保正常工作。
    - 数据完整性:在进行字节写入操作时,确保正确设置字节写入信号,特别是在进行交错突发写入时。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他符合标准的电子元器件或设备兼容,方便集成。
    - 技术支持:IDT公司提供了详细的文档和技术支持,用户可以通过官方渠道获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确保数据完整性?
    - A: 在执行字节写入操作时,确保正确设置字节写入信号(BW1-BW4)。对于整个36位字写入时,可以将BW1-BW4全部置为低电平。
    2. Q: 如何降低功耗?
    - A: 当不进行读写操作时,可以启用睡眠模式。通过将ZZ引脚置为高电平,可以降低功耗。

    总结和推荐


    IDT71V3556/58系列SRAM具有优异的性能和多种优势,特别适合需要高速读写操作的应用场景。其独特的ZBTTM特性、内部同步输出缓冲器以及灵活的字节写入控制使得它在市场上具备很强的竞争力。因此,我们强烈推荐在高性能系统中使用这一产品。
    综上所述,IDT71V3556/58是一款出色的同步SRAM,具备高性能、低功耗和多功能性等特点,非常适合在各种高性能系统中应用。

71V3556SA100BG参数

参数
最大供电电流 250mA
最大时钟频率 100MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 128 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
长*宽*高 14mm*22mm*2.15mm
通用封装 PBGA-119
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

71V3556SA100BG厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3556SA100BG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V3556SA100BG 71V3556SA100BG数据手册

71V3556SA100BG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
168+ $ 8.569 ¥ 71.5512
336+ $ 8.569 ¥ 71.5512
504+ $ 8.569 ¥ 71.5512
库存: 10000
起订量: 168 增量: 168
交货地:
最小起订量为:168
合计: ¥ 12020.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
23A256-I/ST ¥ 12.5204
23A256T-I/SN ¥ 13.974
23A512T-E/SN ¥ 18.496
23K256-I/SN ¥ 6.6105
23K640-E/P ¥ 8.7458
23K640-E/SN ¥ 7.9684
23K640-I/ST ¥ 8.1313
23K640T-I/ST ¥ 7.774
23LC512-I/P ¥ 17.7269
23LCV1024-I/SN ¥ 26.4827