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71V3557S80PFG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 128 k x 36 3.135V 250mA 3.465V 100MHz Parallel TQFP-100 贴片安装,黏合安装 20mm*14mm*1.4mm
供应商型号: Q-71V3557S80PFG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V3557S80PFG8

71V3557S80PFG8概述


    产品简介


    IDT71V3557/59 是一款高效率的同步 SRAM(静态随机存取存储器),具有 128K x 36 或 256K x 18 的内存配置。这些芯片采用 3.3V I/O 供电,并具备多种先进的功能,如无死周期(Zero Bus Turnaround,ZBT)特性、快速响应时间(最高达 100 MHz)、4 字突发模式和单读写控制引脚。这些特性使得 IDT71V3557/59 成为需要高速数据传输和高效能应用的理想选择,如高性能计算机系统、网络设备及工业自动化系统等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 内存配置 | 128K x 36, 256K x 18 |
    | 系统速度 100 MHz |
    | 输出电压(VDD) | 3.135| 3.3 | 3.465| V |
    | 输入高电压(VIH) | 2.0 | VDD + 0.3 V |
    | 输入低电压(VIL) | -0.3 | 0.8 V |
    | 输出电流(IOUT) 50 | mA |

    产品特点和优势


    IDT71V3557/59 的核心优势在于其零总线转换时间(Zero Bus Turnaround)特性。这种设计可以消除读写操作之间的死周期,从而提升整体数据处理速度和系统性能。此外,这些 SRAM 芯片还具备内部同步输出缓冲使能,消除了对外部控制信号(如输出使能 OE)的需求。这种高度集成的设计显著简化了硬件电路,并降低了功耗。另外,多字节写入能力(Byte Write Enabling)和异步测试接口(如 JTAG 接口)也增加了其在复杂系统中的灵活性和易用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IDT71V3557/59 常见的应用场景包括高性能计算系统、网络路由器和交换机、工业控制系统及通信设备。例如,在高性能计算系统中,这些 SRAM 可以用于加速数据缓存和临时存储。在网络设备中,它们可以提高数据包处理的速度和效率。
    使用建议
    为了确保最佳性能,建议将所有同步输入信号设置好,以满足指定的建立时间和保持时间。对于读写操作,应注意合理使用读写控制信号(R/W)和突发地址加载信号(ADV/LD),以便实现高效的连续读写操作。同时,确保电源电压稳定,特别是在电源上电期间,避免出现电压超限的情况。如果设备在系统中不经常使用,可以通过拉高 ZZ 引脚来进入睡眠模式,降低功耗并保证数据保留。

    兼容性和支持


    IDT71V3557/59 具备良好的兼容性,能够与多种不同供应商的其他电子元器件无缝对接。它提供了丰富的测试接口,如 JTAG,方便调试和诊断。此外,制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和技术支持热线,以帮助用户解决各种技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 读写操作如何正确进行?
    - A: 确保 R/W 控制信号正确设置,当进行读操作时将其设为高电平,写操作时设为低电平。同时注意使用正确的突发地址加载信号(ADV/LD)来加载新地址。
    2. Q: 在系统中如何确保电源电压稳定?
    - A: 在电源启动过程中,避免任何输入或 I/O 引脚上的电压超过 VDDQ。可以通过外部稳压电路或电源管理 IC 来实现稳定的电源供给。
    3. Q: 如何正确使用 JTAG 进行测试?
    - A: 首先确保 TMS 和 TCK 引脚连接到适当的测试设备。然后按照 IEEE 1149.1 标准配置测试模式选择器(TMS)和测试时钟(TCK)。通过 TDI 输入测试数据,并通过 TDO 输出测试结果。

    总结和推荐


    IDT71V3557/59 是一款优秀的同步 SRAM 芯片,适用于需要高性能和高速度数据处理的应用场合。它的零总线转换时间(ZBT)特性使其在众多同类产品中脱颖而出。其紧凑的设计和强大的功能集使其在实际应用中表现出色。因此,强烈推荐使用这款芯片,特别是对于需要高性能计算、数据密集型任务或工业自动化系统的用户。

71V3557S80PFG8参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
最大供电电流 250mA
最大时钟频率 100MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 128 k x 36
数据总线宽度 -
长*宽*高 20mm*14mm*1.4mm
通用封装 TQFP-100
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

71V3557S80PFG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V3557S80PFG8数据手册

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71V3557S80PFG8封装设计

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