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F1150NBGI8

产品分类: RF混频器
产品描述: 334mA 8.5dB 10dB General Purpose 2 1.7GHz,2.2GHz 5.25V 2.2GHz Down Converter 4.75V VFQFPN-36 贴片安装
供应商型号: S-F1150NBGI8
供应商: Future
标准整包数: 2500
RENESAS ELECTRONICS RF混频器 F1150NBGI8

F1150NBGI8概述

    RF to IF Dual Downconverting Mixer 1700 - 2200 MHz F1150NBGI

    产品简介


    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Dual Downconverting Mixer F1150NBGI 是一款专为基站接收机设计的高性能混频器。这款混频器主要用于处理频率范围在1700到2200 MHz的射频信号,能够将这些射频信号下变频至50到450 MHz的中频信号。F1150NBGI 混频器特别适用于多模式、多载波基站接收系统,并且支持高边注入(High Side Injection)。其关键特性包括双通道路径、超线性输出、低噪声和多种操作模式。

    技术参数


    以下为F1150NBGI的技术参数:
    | 参数 | 标准模式 | 低功耗模式 |
    |
    | 电源电压(VCC) | 4.75V 至 5.25V | 同上 |
    | 工作温度范围(TCASE) | -40°C 至 +100°C | 同上 |
    | 射频频率范围(FRF) | 1700 MHz 至 2200 MHz | 同上 |
    | 中频频率范围(FIF) | 50 MHz 至 450 MHz | 同上 |
    | 输出三阶交调截点(IP3O) | +36 dBm (STD) / +38 dBm (LC) | +33 dBm (STD) / +36 dBm (LC) |
    | 输入1 dB压缩点(P1dBI) | +12.8 dBm (STD) / +10.6 dBm (LC)
    | 转换增益(GSTD / GLC) | 7.0 dB 至 8.6 dB | 7.2 dB 至 8.8 dB |
    | 噪声系数(NF) | 10 dB (STD) / 9.6 dB (LC)
    | 供电电流(ISTD / ILC) | 335 mA (STD) / 235 mA (LC)
    | 功率耗散(PD) | 2.2 W

    产品特点和优势


    1. 超线性输出:F1150NBGI 的 IP3O 达到了+38 dBm (标准模式),在处理高功率射频信号时表现出色,显著提升了基站系统的线性度和信号质量。
    2. 低功耗模式:通过调整四个电阻值和一个切换引脚,可以将功耗降至235 mA (低功耗模式),有效降低整体功耗,延长设备寿命。
    3. 高集成度:F1150NBGI 采用6x6 36引脚封装,易于集成到现有解决方案中,简化了系统设计。
    4. 高可靠性:绝对最大额定值测试确保了器件在极端条件下的可靠性,同时保证了长期使用的稳定性。

    应用案例和使用建议


    F1150NBGI 主要应用于多模式、多载波基站接收系统中,尤其适合处理1700到2200 MHz范围内的射频信号。以下是一些使用建议:
    1. 基站接收系统:可作为前端处理模块,用于无线通信基站接收机中,实现射频信号的下变频处理。
    2. 多载波系统:由于其出色的线性度和噪声抑制能力,非常适合作为多载波系统的前端组件,提高整个系统的接收灵敏度和信噪比。
    3. 优化设计:为了获得最佳性能,在实际应用中需考虑外部电路的设计,如匹配网络和滤波器设计,以充分利用F1150NBGI 的全部性能潜力。

    兼容性和支持


    F1150NBGI 可以直接替换市场上现有的同类解决方案,且具备良好的兼容性。IDT 公司提供全面的技术支持和服务,包括产品文档、开发工具、在线支持和培训资源,帮助用户快速上手并充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下是几个可能遇到的问题及其解决方法:
    1. 供电电压不稳定:
    - 解决方案:确保供电电压稳定在4.75V至5.25V范围内,避免超出绝对最大额定值。
    2. 信号质量下降:
    - 解决方案:检查输入信号是否符合规范,确保外部匹配网络正确设计,提高信号质量和系统线性度。
    3. 功耗过高:
    - 解决方案:切换至低功耗模式,通过调整电阻值和切换引脚来降低功耗。

    总结和推荐


    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Dual Downconverting Mixer F1150NBGI 以其出色的线性度、低噪声和高可靠性成为多模式、多载波基站接收系统的理想选择。其超线性输出和低功耗模式使其在复杂环境下仍能保持卓越性能。强烈推荐此款产品用于需要高性能射频信号处理的应用场合。

F1150NBGI8参数

参数
最大工作频率 2.2GHz
最大工作供电电压 5.25V
辅助属性 Down Converter
混频器数量 2
典型功率增益 8.5dB
典型供电电流 334mA
典型噪声指数 10dB
典型三阶段输入截止点 -
射频类型 General Purpose
最大转换损耗 -
最小工作频率 1.7GHz,2.2GHz
最小工作供电电压 4.75V
典型的本振/射频隔离 -
通用封装 VFQFPN-36
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

F1150NBGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

F1150NBGI8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS RF混频器 RENESAS ELECTRONICS F1150NBGI8 F1150NBGI8数据手册

F1150NBGI8封装设计

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