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F1102NBGI8

产品分类: RF混频器
产品描述: 330mA 9dB 9.5dB General Purpose 2 400MHz 5.25V 1GHz Down Converter 4.75V QFN 贴片安装 6mm*6mm*800μm
供应商型号: F1102NBGI8
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS RF混频器 F1102NBGI8

F1102NBGI8概述

    RF to IF Dual Downconverting Mixer 400 – 1000 MHz F1102NBGI 技术手册

    产品简介


    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Downconverting Mixer(型号F1102)是一款高性能双通道下变频混频器,适用于射频信号从400到1000 MHz范围内的多载波基站接收机。该混频器能够在高侧或低侧注入时支持从50到300 MHz的中间频率(IF)。它特别设计用于改善最大三阶互调失真(IM3),从而显著提高基站接收系统的线性度。F1102 混频器提供单电源供电方式,工作电压为5V,适用于广泛的应用领域,如通信基础设施、卫星通信及测试仪器等。

    技术参数


    - 输入射频频段: 400 MHz - 1000 MHz
    - 输出中间频率: 50 MHz - 300 MHz
    - 增益: 高于9.0 dB
    - 第三阶交调截点(IP3):
    - 标准模式: +43 dBm(输出)
    - 低电流模式: +36 dBm(输出)
    - 噪声系数(NF):
    - 标准模式: 9.5 dB
    - 低电流模式: 9.3 dB
    - 电源电流:
    - 标准模式: 330 mA
    - 低电流模式: 235 mA
    - 电源电压: 4.75 V 到 5.25 V
    - 逻辑输入:
    - 高电平: 2 V
    - 低电平: 0.8 V
    - 逻辑电流:
    - 高电平: -30 μA 到 +30 μA
    - 低电平: -100 μA 到 -20 μA

    产品特点和优势


    - 高线性度: F1102 混频器采用零失真技术,显著提高了三阶互调失真的阈值,增强了接收系统中的线性度。
    - 低功耗: 通过调整电阻值和切换模式,可将功耗降低至235 mA,相比标准模式节省约40%。
    - 高增益: 提供高达9.0 dB的增益,有助于提升信号灵敏度。
    - 多功能性: 支持高侧和低侧注入,适用于不同的应用场景。
    - 低噪声: 噪声系数小于10 dB,确保信号质量不受干扰。

    应用案例和使用建议


    - 多载波基站接收机: F1102 混频器非常适合应用于多载波基站接收机,例如4G和5G通信系统,能够处理多个载波的同时传输,保证信号的稳定性和可靠性。
    - 卫星通信: 在卫星通信中,F1102 可用于降低噪声和增强信号质量,特别是在高干扰环境下。
    - 测试仪器: 在测试仪器中,该混频器能够提供精确的频率转换,帮助工程师进行准确的测量和调试。

    兼容性和支持


    F1102 NBGI 与现有解决方案针脚兼容,方便用户直接替换现有的解决方案。此外,制造商提供了详细的技术文档和客户支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备运行温度过高。
    - 解决方案: 检查散热措施,确保设备处于正常工作温度范围内。
    - 问题2: 功率消耗过大。
    - 解决方案: 尝试切换到低电流模式(LC Mode),降低功耗。
    - 问题3: 信号失真严重。
    - 解决方案: 调整混频器的设置,或者重新校准以优化线性度。

    总结和推荐


    IDT Zero-DistortionTM RF to IF Downconverting Mixer(型号F1102)是一款集高性能、低功耗、高线性度于一体的混频器,尤其适合需要高精度和稳定性的应用场景。对于需要在严苛环境下工作的设备来说,F1102 是一个理想的选择。推荐在各类无线通信系统、测试仪器等领域使用该产品。

F1102NBGI8参数

参数
最小工作频率 400MHz
典型的本振/射频隔离 -
最大工作供电电压 5.25V
辅助属性 Down Converter
典型噪声指数 9.5dB
典型供电电流 330mA
最小工作供电电压 4.75V
混频器数量 2
最大工作频率 1GHz
典型三阶段输入截止点 -
射频类型 General Purpose
典型功率增益 9dB
最大转换损耗 -
长*宽*高 6mm*6mm*800μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

F1102NBGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

F1102NBGI8数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS RF混频器 RENESAS ELECTRONICS F1102NBGI8 F1102NBGI8数据手册

F1102NBGI8封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 35.3125
10+ ¥ 33.335
100+ ¥ 32.205
500+ ¥ 31.075
库存: 1800
起订量: 1 增量: 0
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最小起订量为:1
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