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2SK932-22-TB-E

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200mW 200mW 200mV@ 100µA 1个N沟道 15V 50mA 7.3mA 独立式 CP-3 贴片安装 2.9mm*1.5mm*1.1mm
供应商型号: FL-2SK932-22-TB-E
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) 2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E概述

    # N-Channel JFET 2SK932 技术手册

    产品简介


    产品类型
    2SK932 是一种 N-Channel 结型场效应晶体管(JFET)。它具有较低的噪声系数和较小的输入电容,适合用于射频(RF)放大电路和低噪声放大器等应用。
    主要功能
    - 高增益(大 |yfs|)
    - 小巧的封装
    - 超低噪声系数
    - 广泛的应用范围,如调幅收音机(AM)调谐器
    应用领域
    - AM 调谐器 RF 放大器
    - 低噪声放大器
    - 各种射频电路和信号处理电路

    技术参数


    以下是2SK932的技术参数汇总:
    - 漏源电压 (VDS): 最大 15 V
    - 栅漏电压 (VGDS): -15 V
    - 栅电流 (IG): 10 mA
    - 漏电流 (ID): 最大 50 mA
    - 允许功率耗散 (PD): 200 mW
    - 结温 (Tj): 150 °C
    - 存储温度 (Tstg): -55 至 +150 °C
    电气特性
    - 栅漏击穿电压 (V(BR)GDS): -15 V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): -1.0 nA
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 7.3 mA 到 24.0 mA
    - 截止电压 (VGS(off)): -0.2 V 至 -1.4 V
    - 前向转移导纳 (|yfs|): 25 mS 至 50 mS
    - 输入电容 (Ciss): 10 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 3.0 pF
    - 噪声系数 (NF): 1.5 dB

    产品特点和优势


    - 先进的FBET工艺:提高了增益和降低了噪声系数。
    - 大|yfs|: 提高了增益。
    - 小Ciss: 减少了寄生电容的影响。
    - 超低噪声系数: 适用于对噪声要求较高的应用。
    - 小型化封装: 使得设计更紧凑,可以生产出更小和更薄的产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK932 在AM收音机的RF放大器和低噪声放大器中表现良好。其优越的噪声系数和小尺寸使得它成为射频和微波应用的理想选择。
    使用建议
    - 噪声控制:考虑到2SK932具有很低的噪声系数,可以在需要低噪声的应用中使用。
    - 电源管理:考虑到其最大漏电流为50 mA,确保设计电路的供电系统能够满足这一需求。
    - 温度考虑:尽管2SK932的最大工作温度可达150°C,但在高温环境下仍需注意散热。

    兼容性和支持


    兼容性
    2SK932 符合JEITA和JEDEC标准,具体包括SC-59, TO-236, SOT-23, TO-236AB封装。它可以轻松与这些标准的封装产品进行互换和集成。
    支持
    ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持,以帮助用户更好地理解和使用2SK932。详细订购和运输信息请参考数据手册第2页。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:设备无法正常工作。
    解决方案:检查电源电压是否在额定范围内,以及接线是否有误。
    2. 问题:噪声过大。
    解决方案:检查外围电路是否引入了额外的噪声,以及是否使用了正确类型的滤波器。
    3. 问题:温度过高。
    解决方案:确保有足够的散热措施,或者选择更高耐热等级的产品。

    总结和推荐


    综合评估
    2SK932凭借其卓越的噪声系数、高增益和小巧的封装,在射频应用中表现出色。其出色的性能使其在多种应用场景中成为优选。
    推荐
    鉴于其优良的电气特性和广泛的应用范围,2SK932是一个值得推荐的选择。无论是AM调谐器还是其他需要低噪声的射频应用,2SK932都是一个理想的选择。

2SK932-22-TB-E参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 200mW
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 7.3mA
击穿电压 -
最大功率 200mW
Id-连续漏极电流 50mA
Vds-漏源极击穿电压 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 200mV@ 100µA
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm*1.5mm*1.1mm
通用封装 CP-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

2SK932-22-TB-E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2SK932-22-TB-E数据手册

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2SK932-22-TB-E封装设计

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