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2N5197

产品分类: 结型场效应管(JFET)
产品描述: 50V 50V 1个N沟道 700μA~7mA 独立式 TO-71 通孔安装
供应商型号: LDL-2N5197
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) 2N5197

2N5197概述

    # Vishay Siliconix 2N5196/5197/5198/5199 Monolithic N-Channel JFET 双极型器件技术手册解读

    产品简介


    基本描述
    2N5196/5197/5198/5199 是 Vishay Siliconix 生产的一系列单片 N 沟道结型场效应晶体管(JFET)双极型器件。这些器件设计用于高精度测试仪器的应用场景,提供出色的动态范围、低门泄漏电流和高共模抑制比。它们在精密模拟电路设计中表现优异,特别是在需要低噪声、高增益和精确匹配的场合。
    应用领域
    该系列器件广泛应用于以下领域:
    1. 精密测试仪器:如信号发生器、频谱分析仪等。
    2. 高增益放大器:适用于音频和射频领域的放大器设计。
    3. 宽带差分放大器:支持高速、温度补偿的单端输入放大器。
    4. 高速比较器:满足快速响应时间的需求。
    5. 阻抗转换器:适用于需要低噪声和低误差电压的电路。

    技术参数


    以下为 2N5196/5197/5198/5199 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 类型值 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 静态 |
    | 门源击穿电压 | V(BR)GSS | IG = –1 µA | -57 | -50 | -50 | V |
    | 门源截止电压 | VGS(off) | VDS = 20 V | -2 | -0.7 | -4 | V |
    | 饱和漏极电流 | IDSS | VDS = 20 V | 3 | 0.7 | 7 | mA |
    | 动态 |
    | 共源正向跨导 | gfs | VDS = 20 V | 2.5 | 1 | 4 | mS |
    其他参数还包括输出导纳、输入电容、反向传输电容、等效输入噪声电压、噪声系数、匹配特性、开关特性等。
    工作环境
    - 最高门-漏极电压:–50 V
    - 最高工作温度:–55°C 至 +150°C
    - 存储温度:–65°C 至 +200°C
    - 功耗:每侧 250 mW(总 500 mW)

    产品特点和优势


    1. 单片设计:减少寄生效应,提高整体性能一致性。
    2. 高增益带宽积:适合需要高增益和宽带宽的应用。
    3. 低噪声和高共模抑制比:非常适合高灵敏度测试和测量系统。
    4. 优秀的温度稳定性:匹配的参数随温度变化非常小,适合严苛环境下的应用。
    5. 紧凑封装:TO-71 封装结构便于集成,适合多种电路布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 高性能运算放大器:利用其高增益和低噪声特性,提升系统的信号处理能力。
    2. 温度补偿电路:结合其出色的温度稳定性,实现高精度的温控信号调节。
    3. 高速数据采集系统:支持宽频带数据传输,确保高效率和低失真。
    使用建议
    1. 匹配性检查:在不同批次器件之间进行严格的匹配性验证,以确保设计一致性。
    2. 散热管理:高功耗环境下需注意散热设计,避免过热导致性能下降。
    3. 电源设计:选择合适的电源电压和退耦电容,减少电源噪声对器件的影响。

    兼容性和支持


    该系列器件可以与 Vishay 系列其他电子元器件良好兼容,包括低噪声 U/SST401 系列、高增益 2N5911/5912 等。Vishay Siliconix 提供全面的技术支持和售后保障,确保客户获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 噪声过大 | 检查输入信号路径,确保屏蔽良好。 |
    | 温度漂移明显 | 优化温度补偿电路设计。 |
    | 输出信号失真严重 | 调整负载电阻值以改善线性度。 |

    总结和推荐


    综合评估
    2N5196/5197/5198/5199 系列产品以其高精度、低噪声、高共模抑制比和优秀的温度稳定性,在精密模拟电路领域具有显著优势。其紧凑封装和广泛的应用场景使其成为理想的选择。
    推荐结论
    推荐设计师和工程师优先考虑使用该系列产品,尤其是在高精度测试仪器和信号处理系统中。然而,由于其价格较高且功耗较大,普通消费级电子产品可能需要进一步权衡成本与性能。

2N5197参数

参数
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 -
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 50V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 700μA~7mA
Vgs-栅源极电压 50V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-71
安装方式 通孔安装

2N5197厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N5197数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N5197 2N5197数据手册

2N5197封装设计

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