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2N4339

产品分类: 结型场效应管(JFET)
产品描述: 300mW 300mW 50V 600mV@ 100 nA 1个N沟道 1.7KΩ 1.5μA 500μA 独立式 7pF@15V 50V TO-18,TO-206AA 通孔安装
供应商型号: 2N4339-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) 2N4339

2N4339概述


    产品简介


    2N4338/4339/4340/4341 N-Channel JFETs
    2N4338/4339/4340/4341 是 Vishay Siliconix 推出的一系列 N 沟道结型场效应晶体管(JFETs),主要用于低至中频范围内的敏感放大器阶段。这些晶体管特别适用于需要低功耗、高精度的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 2N4338 | 2N4339 | 2N4340 | 2N4341 |

    | 静态参数
    | 门源击穿电压 (V) | -50 | -50 | -50 | -50 |
    | 门源截止电压 (V) | -0.3 至 -1 | -0.6 至 -1.8 | -1 至 -3 | -2 至 -6 |
    | 饱和漏极电流 (mA) | 0.6 | 1.5 | 3.6 | 9 |
    | 门反向电流 (pA) | -100 | -100 | -100 | -100 |
    | 门操作电流 (pA) | -2 | -2 | -2 | -2 |
    | 漏极截止电流 (pA) | 50 | 50 | 50 | 70 |
    | 门源正向电压 (V) | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
    | 动态参数
    | 共源导通电导 (mS) | 0.6 至 1.8 | 0.8 至 2.4 | 1.3 至 3 | 2 至 4 |
    | 共源输出电导 (μS) | 5 | 15 | 30 | 60 |
    | 漏源导通电阻 (Ω) | 2500 | 1700 | 1500 | 800 |
    | 共源输入电容 (pF) | 5 | 7 | 7 | 7 |
    | 共源反向传输电容 (pF) | 1.5 至 3 | 1.5 至 3 | 1.5 至 3 | 1.5 至 3 |

    产品特点和优势


    - 低截止电压:2N4338 低于 1V,便于与低电压电源兼容。
    - 高输入阻抗:适用于对输入信号完整性要求较高的场合。
    - 低噪声:在多种频率下的等效输入噪声电压低,适合于高精度信号处理。
    - 高增益:最大增益为 80,适用于需要高放大倍数的应用。
    - 宽工作电压范围:可从 1V 工作到标准电压,适用于电池供电系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高增益低噪声放大器
    - 低电流低电压电池供电放大器
    - 红外检测放大器
    - 超高输入阻抗前置放大器
    使用建议:
    - 在设计中,根据实际应用需求选择合适型号的 2N4338/4339/4340/4341。
    - 注意工作电压范围,确保与电路匹配,避免过压损坏。
    - 使用时需注意散热问题,确保晶体管在安全温度范围内工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些 JFETs 适用于低频应用,与多种放大电路兼容。
    - 支持和维护:详见数据手册中的联系信息和应用指南(如 AN102 和 AN106)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,避免过热。
    - 问题2:噪声水平过高。
    - 解决方案:检查电路设计,确认信号路径无干扰。
    - 问题3:饱和电流不满足预期。
    - 解决方案:检查电源电压和电路设计,确保正确连接。

    总结和推荐


    综上所述,2N4338/4339/4340/4341 N-Channel JFETs 是一款性能优异、应用广泛的晶体管。其低噪声、高增益和宽工作电压范围使其成为许多低频放大应用的理想选择。推荐在低频放大器和传感器接口电路中使用这些器件,以获得更好的信号处理效果和更高的系统灵敏度。

2N4339参数

参数
Vgs-栅源极电压 50V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7pF@15V
最大功率耗散 300mW
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7KΩ
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 500μA
配置 独立式
最大功率 300mW
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
击穿电压 50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV@ 100 nA
Id-连续漏极电流 1.5μA
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-18,TO-206AA
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

2N4339厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N4339数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N4339 2N4339数据手册

2N4339封装设计

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