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2N5462G

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 350mW 350mW 40V 1.8V@ 1 µA 1个P沟道 4mA~16mA 4mA 独立式 7pF@15V 40V TO-226,TO-92 通孔安装
供应商型号: 2509571362
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) 2N5462G

2N5462G概述

    2N5460, 2N5461, 2N5462 JFET Amplifier 技术手册概述
    本文档旨在为用户提供关于2N5460、2N5461和2N5462系列场效应晶体管(JFET)放大器的技术手册的详细解读。这些产品属于P通道耗尽型JFET,广泛应用于各种电路设计中。

    1. 产品简介


    - 产品类型: P通道耗尽型JFET放大器
    - 主要功能: 用于信号放大、电压控制、噪声过滤等
    - 应用领域: 适用于通信设备、电源管理、音频处理、测控系统等多个领域

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极-栅极电压:VDG ≤ 40 Vdc
    - 反向栅极-源极电压:VGSR ≤ 40 Vdc
    - 前向栅极电流:IG(f) ≤ 10 mAdc
    - 总器件功耗:PD @ TA = 25°C 时为350 mW,超过25°C 时每度降额2.8 mW/°C
    - 结温范围:TJ -65°C 到 +135°C
    - 存储温度范围:Tstg -65°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 漏极零栅压电流:IDSS 为-1.0 mA(2N5460),-2.0 mA(2N5461),-4.0 mA(2N5462)
    - 正向转移电导率:Yfs 在 1.0 kHz 下分别为 1000 μmhos(2N5460)、1500 μmhos(2N5461)、2000 μmhos(2N5462)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:2N5460、2N5461 和 2N5462 系列产品经过严格的质量控制和测试,确保在各种环境下的可靠运行。
    - 低噪声性能:具备出色的低噪声特性,适合于高精度模拟电路的设计。
    - 宽温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适合恶劣环境下的应用。
    - 高输出阻抗:高输出阻抗特性使其适合驱动高阻负载。

    4. 应用案例和使用建议


    - 音频处理:可以用于音频放大器,提高音质。
    - 电源管理:适合用于开关电源中的控制回路,以实现精确的电压调节。
    - 测控系统:在需要高精度测量和控制的应用中表现出色。
    使用建议:
    - 确保正确连接电路,特别是栅极和源极的接法要正确无误。
    - 考虑到功耗和热管理,合理布局以确保良好的散热条件。
    - 使用过程中注意保护器件免受静电损坏,建议使用ESD防护措施。

    5. 兼容性和支持


    - 封装和包装:这些器件采用TO-92封装,有多种包装选项,包括散装和带卷形式。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,可帮助用户解决在设计和使用过程中的各种问题。
    - 其他兼容性:该系列产品与其他电子元器件兼容性良好,可根据具体需求进行选型。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案: 需要根据实际应用场景调整散热措施,例如增加散热片或者风扇冷却装置。

    - 问题2: 在高湿度环境下出现漏电现象。
    - 解决方案: 确保电路板和相关组件密封良好,避免湿气侵入。

    7. 总结和推荐


    2N5460、2N5461 和 2N5462 系列P通道耗尽型JFET放大器凭借其优良的电气特性和广泛的适用性,在多个领域中展现出色的性能。无论是对可靠性、噪声性能还是温度适应性的要求,这些器件都能够满足。因此,强烈推荐在设计相关应用时选用这些产品。
    通过本文的详细介绍,希望读者能够更好地理解这些JFET放大器的特点及其应用潜力,为自己的设计项目选择合适的器件提供参考。

2N5462G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率 350mW
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 4mA
Vgs-栅源极电压 40V
Id-连续漏极电流 4mA~16mA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@ 1 µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7pF@15V
击穿电压 40V
最大功率耗散 350mW
通用封装 TO-226,TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

2N5462G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N5462G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR 2N5462G 2N5462G数据手册

2N5462G封装设计

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