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TF252TH-5-TL-H

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 100W 100mW 1V@ 1 µA 1个N沟道 210μA 3.1pF@2V VTFP-3 贴片安装 1.4mm*800μm*340μm
供应商型号: CY-TF252TH-5-TL-H
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) TF252TH-5-TL-H

TF252TH-5-TL-H概述

    TF252TH N-Channel JFET 技术手册

    1. 产品简介


    TF252TH 是一种N沟道结型场效应晶体管(JFET),主要用于音频设备和电话系统中的驻极体电容麦克风。它具备高增益、超小型封装、优秀的电压和瞬态特性,并且符合无卤素标准。这些特性使其成为高性能音频设备的理想选择。

    2. 技术参数


    - 最大额定值(Ta=25°C)
    - 栅极-漏极电压(VGDO):-20 V
    - 栅极电流(IG):10 mA
    - 漏极电流(ID):1 mA
    - 允许功耗(PD):100 mW
    - 结温(Tj):150 °C
    - 存储温度(Tstg):-55 °C 到 +150 °C
    - 电气特性(Ta=25°C)
    - 栅极-漏极击穿电压(V(BR)GDO):-20 V
    - 截止电压(VGS(off)):-0.1 V 到 -1.0 V
    - 漏极饱和电流(IDSS):140 μA 到 350 μA
    - 正向传输导纳(|yfs|):0.8 mS 到 1.4 mS
    - 输入电容(Ciss):3.1 pF
    - 反向传输电容(Crss):0.95 pF
    - 电压增益
    - 最小值(min):1.0 dB
    - 典型值(typ):1.0 dB
    - 最大值(max):1.0 dB
    - 频率特性
    - -1.0 dB(从1 kHz到110 Hz)
    - 总谐波失真(THD)
    - 典型值(typ):0.65%
    - 输出噪声电压(VNO)
    - 典型值(typ):-106 dB 到 -102 dB

    3. 产品特点和优势


    - 高增益:典型值为1.0 dB,在VCC=2V、RL=2.2kΩ、Cin=5pF、VIN=10mV、f=1kHz条件下。
    - 超小型封装:有助于终端产品的微型化设计。
    - 适用于音频设备和电话系统:特别适合用于驻极体电容麦克风。
    - 优秀的电压和瞬态特性:确保稳定的性能。
    - 采用FBET工艺:提高性能和可靠性。
    - 无卤素合规:符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 音频设备:如高保真音响、耳机、录音设备。
    - 电话系统:如移动通信设备、对讲机。
    使用建议:
    - 电路设计:参考手册中的测试电路进行设计,以确保最佳性能。
    - 环境条件:注意工作环境温度和存储温度限制,避免过热导致损坏。
    - 参数校准:根据具体应用需求调整电压和电流参数,以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 封装信息:
    - 封装类型:VTFP
    - JEITA, JEDEC 标准:SC-106A
    - 每盘最小数量:8,000 pcs./reel
    - 订单信息:
    - 订货编号:TF252TH-4-TL-H 或 TF252TH-5-TL-H
    - 符合无铅和无卤素标准
    - 支持服务:
    - 半导体组件工业有限责任公司(SCILLC)提供技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理温度过高问题?
    - A:确保工作环境温度不超过150°C,必要时采取散热措施。

    - Q:如何降低谐波失真?
    - A:优化电路设计,调整电源电压和负载电阻,以减少失真。

    - Q:如何检查漏极电流(ID)?
    - A:使用万用表或示波器测量漏极电流,确保在规定范围内。

    7. 总结和推荐


    总结:
    TF252TH N-Channel JFET具备高增益、超小型封装和优秀的电压和瞬态特性,非常适合用于音频设备和电话系统。它的无卤素特性也使其符合环保要求。
    推荐:
    强烈推荐使用TF252TH N-Channel JFET。其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为音频设备制造商的理想选择。

TF252TH-5-TL-H参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 210μA
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 1 µA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.1pF@2V
击穿电压 -
最大功率耗散 100W
最大功率 100mW
Id-连续漏极电流 -
长*宽*高 1.4mm*800μm*340μm
通用封装 VTFP-3
安装方式 贴片安装
包装方式 散装,卷带包装

TF252TH-5-TL-H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

TF252TH-5-TL-H数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR TF252TH-5-TL-H TF252TH-5-TL-H数据手册

TF252TH-5-TL-H封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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5000+ $ 0.1079 ¥ 0.9115
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