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J111-D26Z

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 625W 625mW 35V 3V@ 1 µA 1个N沟道 35V 30Ω 20mA 20mA 独立式 35V TO-92-3 通孔安装
供应商型号: J111-D26Z
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) J111-D26Z

J111-D26Z概述

    电子元器件技术手册:N-Channel Switch

    产品简介


    N-Channel Switch(J111/J112/J113、MMBFJ111/MMBFJ112/MMBFJ113)是一种低电平模拟开关,广泛应用于多种电子系统中。其核心功能包括模拟信号切换、采样保持电路和斩波稳定放大器。这些器件具有源极和漏极可互换的特性,同时提供无铅版本以满足环保要求。该系列产品适用于消费类电子、工业控制及通信等领域,是现代电子设计中的重要组件。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅极-源极击穿电压 | V(BR)GSS | -35 | N/A | V |
    | 栅极反向电流 | IGSS | N/A | -1.0 | nA |
    | 漏极切断泄漏电流 | ID(off) | N/A | 1.0 | nA |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 2.0 | 20 | mA |
    | 导通电阻 | rDS(on) | N/A | 100 | mΩ |
    | 栅极-漏极开路电容 | Cdg(on) | N/A | 28 | pF |
    | 环境温度范围 | TJ, TSTG | -55 | 150 | °C |
    此外,该器件的工作电压范围为-35V至+35V,总功耗为350mW(MMBF系列),并具备良好的热稳定性。

    产品特点和优势


    1. 多功能性:适用于模拟开关、采样保持电路及斩波稳定放大器等多种应用场景。
    2. 环保设计:采用无铅工艺,符合RoHS标准。
    3. 互换性:源极与漏极可互换,简化电路设计。
    4. 高可靠性:在-55°C至150°C宽温范围内保持稳定性能。
    5. 紧凑封装:提供TO-92和SOT-23两种封装形式,适合不同设计需求。

    应用案例和使用建议


    1. 模拟开关:可用于需要快速切换的音频或视频信号传输中。建议搭配适当的驱动电路以提高切换效率。
    2. 采样保持电路:适合于信号采集系统的精确采样。需注意匹配外部滤波器以减少噪声干扰。
    3. 斩波稳定放大器:建议根据具体应用调整输入偏置电压,确保最佳性能。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应适当降低工作功率以避免热失控。
    - 应用时需合理选择外围元件,特别是电容值和电阻值,以匹配产品特性。

    兼容性和支持


    该器件与市场上主流电路板设计兼容,并支持多种包装形式,如卷带式和散装式。ON Semiconductor提供了详尽的技术支持,包括在线文档、样品请求及技术支持热线。用户可通过公司官网获取最新的技术资料和更新信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作电流异常增大
    - 原因:可能由于过压或过流导致器件损坏。
    - 解决方法:检查外围电路设计,确认是否存在短路或过载情况。
    2. 问题:导通电阻偏高
    - 原因:栅极电压未达到额定值。
    - 解决方法:增加驱动电路的输出能力,确保栅极电压稳定在规定范围内。
    3. 问题:工作温度超出范围
    - 原因:散热设计不足。
    - 解决方法:优化PCB布局,增加散热片以提升散热效果。

    总结和推荐


    总体而言,N-Channel Switch是一款性能优异且适用广泛的电子元器件。其高可靠性、灵活的封装选项和友好的技术支持使其成为众多工程师的理想选择。如果您正在寻找一款能够满足多种复杂应用需求的开关器件,这款产品无疑值得推荐。
    如有进一步疑问,请随时联系ON Semiconductor的技术支持团队。

J111-D26Z参数

参数
Id-连续漏极电流 20mA
最大功率 625mW
击穿电压 35V
Vds-漏源极击穿电压 35V
Vgs-栅源极电压 35V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 1 µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 30Ω
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 独立式
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 20mA
最大功率耗散 625W
通道数量 -
5.2mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

J111-D26Z厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

J111-D26Z数据手册

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J111-D26Z封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 1.4396
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库存: 14720
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