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NXH160T120L2Q1SG

产品分类: IGBT模块
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5V@ 15V,160A 140A 底座安装
供应商型号: 488-NXH160T120L2Q1SG-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 NXH160T120L2Q1SG

NXH160T120L2Q1SG概述


    产品简介


    产品类型
    NXH160T120L2Q1/D 是一款高密度集成电源模块,它结合了高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和坚固的反并联二极管。这种模块广泛应用于电力转换和控制场合。
    主要功能
    - 高效的沟槽场终止技术
    - 低开关损耗,减少系统功耗
    - 模块设计提供高功率密度
    - 低感性布局
    应用领域
    - 太阳能逆变器
    - 不间断电源系统 (UPS)

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 半桥IGBT逆并联二极管 (D1, D4)
    - 峰值重复反向电压 VRRM: 1200 V
    - 直流正向电流 @ Th = 80°C IF: 20 A
    - 重复峰值正向电流 IFRM: 80 A
    - 单个二极管的最大功耗 @ Th = 80°C Ptot: 51 W
    - 最大结温 TJ: 150 °C
    - 半桥IGBT (T1, T4)
    - 集电极-发射极电压 VCES: 1200 V
    - 直流集电极电流 @ Th = 80°C IC: 140 A
    - 脉冲集电极电流 ICM: 480 A
    - 单个IGBT的最大功耗 @ Th = 80°C Ptot: 280 W
    - 门极-发射极电压 VGE: ±20 V
    - 短路耐受时间 TSC: 10 µs
    - 中性点二极管 (D6, D7)
    - 峰值重复反向电压 VRRM: 650 V
    - 直流正向电流 @ Th = 80°C IF: 58 A
    - 重复峰值正向电流 IFRM: 200 A
    - 单个二极管的最大功耗 @ Th = 80°C Ptot: 89 W
    - 最大结温 TJ: 150 °C
    - 中性点IGBT (T2, T3)
    - 集电极-发射极电压 VCES: 650 V
    - 直流集电极电流 @ Th = 80°C IC: 83 A
    - 脉冲集电极电流 ICM: 235 A
    - 单个IGBT的最大功耗 @ Th = 80°C Ptot: 117 W
    - 门极-发射极电压 VGE: ±20 V
    - 短路耐受时间 TSC: 5 µs
    - 半桥二极管 (D5, D8)
    - 峰值重复反向电压 VRRM: 1200 V
    - 直流正向电流 @ Th = 80°C IF: 45 A
    - 重复峰值正向电流 IFRM: 180 A
    - 单个二极管的最大功耗 @ Th = 80°C Ptot: 78 W
    - 最大结温 TJ: 150 °C
    电气特性
    - 半桥IGBT逆并联二极管 (D1, D4)
    - 正向电压 IF = 7 A, Tj = 25°C: 1.46 V, IF = 7 A, Tj = 125°C: 1.49 V
    - 热阻 RthJH: 1.864 °C/W
    - 半桥IGBT (T1, T4)
    - 饱和电压 VGE = 15 V, IC = 160 A, Tj = 25°C: 2.06 V, VGE = 15 V, IC = 160 A, Tj = 125°C: 2.10 V
    - 门极-发射极阈值电压 VGE(TH): 5.0 - 6.50 V
    - 集电极-发射极截止电流 ICES: 800 µA
    - 中性点二极管 (D6, D7)
    - 正向电压 VGE = 0 V, IF = 150 A, Tj = 25°C: 2.15 V, VGE = 0 V, IF = 150 A, Tj = 125°C: 2.36 V
    - 反向漏电流 VGE = 0 V, VCE = 650 V: 200 µA
    - 反向恢复时间 trr: 225 ns
    - 反向恢复电荷 Qrr: 6.15 µC
    - 中性点IGBT (T2, T3)
    - 饱和电压 VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 25°C: 1.65 V, VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 125°C: 1.84 V
    - 门极-发射极阈值电压 VGE(TH): 5.0 - 6.90 V
    - 集电极-发射极截止电流 ICES: 400 µA
    - 半桥二极管 (D5, D8)
    - 正向电压 VGE = 0 V, IF = 150 A, Tj = 25°C: 2.50 V, VGE = 0 V, IF = 150 A, Tj = 125°C: 2.80 V
    - 反向漏电流 VGE = 0 V, VCE = 1200 V: 200 µA
    - 反向恢复时间 trr: 405 ns
    - 反向恢复电荷 Qrr: 15.5 µC

    产品特点和优势


    - 高效且低损耗:NXH160T120L2Q1/D 采用先进的沟槽场终止技术,显著降低开关损耗,从而减少系统的整体功耗。
    - 高功率密度:紧凑的设计提供了高效的功率输出,适合空间有限的应用。
    - 低感性布局:有助于减少电磁干扰 (EMI),提高系统稳定性。
    - 可靠的IGBT和二极管组合:抗短路能力出色,保证了系统的长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 太阳能逆变器:利用该模块可以高效地将直流电转换为交流电,适用于各种规模的太阳能发电系统。
    - 不间断电源系统 (UPS):该模块可提供可靠的电源转换和保护,确保电力供应的连续性和稳定性。
    使用建议
    - 在安装过程中,应遵循手册中的说明,确保正确连接和散热措施。
    - 为了进一步优化性能,可以在设计时考虑使用外部电路来改善热管理和保护。
    - 针对特定应用,可以根据图示的典型特性曲线进行调整,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NXH160T120L2Q1/D 支持多种应用场景,且具有良好的通用性,易于与其他电子元器件和设备配合使用。
    - 支持:制造商提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的订购信息和装配指南,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何安装NXH160T120L2Q1/D?
    - 解决方案:请参考手册中的安装指南,确保正确连接和散热措施。

    2. 问题:如何优化性能?
    - 解决方案:根据手册中的典型特性曲线进行设计调整,并考虑使用外部电路来改善热管理和保护。

    3. 问题:如何处理过热问题?
    - 解决方案:确保模块周围有足够的散热空间,并采用合适的散热材料和技术。

    总结和推荐


    产品评估
    - 优点:NXH160T120L2Q1/D 模块在设计上采用了高效且低损耗的技术,具有出色的可靠性和广泛的适用范围。其高功率密度和低感性布局使得该模块非常适合各种电力转换和控制场合。
    - 推荐:强烈推荐在太阳能逆变器、不间断电源系统及其他需要高效、可靠电源转换的应用中使用NXH160T120L2Q1/D。其优异的性能和可靠性使其成为行业内的首选产品。

NXH160T120L2Q1SG参数

参数
配置 -
集电极电流 140A
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.5V@ 15V,160A
最大集电极发射极饱和电压 -
安装方式 底座安装
包装方式 托盘

NXH160T120L2Q1SG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH160T120L2Q1SG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 ON SEMICONDUCTOR NXH160T120L2Q1SG NXH160T120L2Q1SG数据手册

NXH160T120L2Q1SG封装设计

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