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A1P35S12M3

产品分类: IGBT模块
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 250W 1.95V 三相反相器 2.45V@ 15V,35A 35A ACEPACK-1 底座安装
供应商型号: M-A1P35S12M3
供应商: Future
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS IGBT模块 A1P35S12M3

A1P35S12M3概述

    高效能六包拓扑IGBT模块:ACEPACK™ 1

    产品简介


    ACEPACK™ 1 是一款由 STMicroelectronics 开发的高性能功率模块,专为工业和电机驱动领域的高要求应用设计。该模块采用六包拓扑结构,集成了先进的沟槽门控场截止技术(Trench Gate Field-Stop Technology),并配备软恢复二极管和负温度系数热敏电阻(NTC)。此模块具备卓越的开关特性和导通损耗平衡,适用于高达 20 kHz 的转换系统,是提升效率的理想选择。
    主要功能包括:
    - 采用 DBC(直接铜绑合)Cu Al₂O₃ Cu 基板设计,增强散热性能。
    - 支持高至 1200 V 和 35 A 的连续电流。
    - 集成的软恢复二极管有效减少反向恢复损耗。
    - 内置 NTC 温度传感器,便于精确监控温度。
    应用领域:
    - 工业用逆变器
    - 电机驱动控制
    - 其他高性能电力电子系统

    技术参数


    以下是 ACEPACK™ 1 的关键电气和热学特性:
    | 参数类别 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | IGBT | 集电极-发射极电压 | VGE=0V | 1200 V |
    持续集电极电流 | TC=100℃ 35 A |
    脉冲集电极电流 | tp=1ms 70 | A |
    开关关断能量 2.19 mJ |
    热阻(结到壳) 0.55 | 0.60 | °C/W |
    | 参数类别 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 二极管 | 反向重复峰值电压 1200 V |
    正向电压 | IF=35A 2.95 | 4.1 | V |
    反向恢复时间 | IF=35A, VR=600V 140 ns |
    反向恢复能量 | IF=35A 1.2 mJ |
    NTC 温度传感器特性:
    - 标称阻值(25℃):5 kΩ
    - 标称阻值(100℃):493 Ω
    - B 常数:3375K(25/50℃),3411K(25/80℃)
    包装信息:
    - 隔离电压(AC,t=60s):2500 Vrms
    - 最大存储温度:125℃
    - 热阻(壳到散热器):0.70°C/W(λgrease=1 W/(m·°C))

    产品特点和优势


    ACEPACK™ 1 的核心优势在于其高效的开关性能与卓越的散热能力:
    1. 六包拓扑结构:将六个 IGBT 和二极管集成在一个紧凑封装中,适合构建三相逆变器。
    2. 先进工艺:采用沟槽门控技术,结合场截止层设计,显著降低导通损耗与开关损耗。
    3. 内置 NTC 温度传感器:实时监测模块内部温度,确保稳定运行。
    4. 优化的封装设计:采用 DBC Cu Al₂O₃ Cu 基板,提供优异的热传导能力。
    这些特性使得该模块非常适合于高功率密度和高性能需求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 在工业逆变器中,利用其高频率开关能力实现动态负载调节。
    - 用于电机驱动控制,在保证高效能的同时提升系统的响应速度。
    使用建议:
    1. 设计电路时需注意散热管理,建议采用大面积散热片配合热界面材料。
    2. 通过 NTC 数据合理调整温度补偿策略,防止过温保护触发。
    3. 在高速开关场景下,优化门极驱动电路以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    ACEPACK™ 1 支持标准的焊接连接方式,易于与其他工业标准组件兼容。STMicroelectronics 提供详尽的技术文档和全面的客户支持服务,包括在线技术论坛和现场技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:模块工作温度异常升高。
    解决方案:检查散热装置是否正常工作,确保良好的热传导路径;同时监测环境温度。

    2. 问题:模块出现异常关断现象。
    解决方案:验证驱动电路是否符合推荐参数,并检查外部电感值设置。

    总结和推荐


    ACEPACK™ 1 是一款高度集成、性能稳定的功率模块,特别适合工业级和高性能电机驱动应用。凭借出色的开关特性和优异的热管理能力,该产品在市场上具有很强的竞争优势。综上所述,推荐对高性能电力电子系统有需求的用户选用此款模块。
    如需进一步了解,请访问 [STMicroelectronics 官方网站](www.st.com) 或联系当地销售办事处。

A1P35S12M3参数

参数
最大功率耗散 250W
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.45V@ 15V,35A
最大集电极发射极饱和电压 1.95V
配置 三相反相器
集电极电流 35A
通用封装 ACEPACK-1
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

A1P35S12M3厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

A1P35S12M3数据手册

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STMICROELECTRONICS IGBT模块 STMICROELECTRONICS A1P35S12M3 A1P35S12M3数据手册

A1P35S12M3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 42.527 ¥ 359.3532
4+ $ 41.5872 ¥ 351.4118
15+ $ 40.7026 ¥ 343.937
30+ $ 40.0736 ¥ 338.6219
75+ $ 38.742 ¥ 327.3699
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