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MCH5908H-TL-E

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mW 300mW 300mV@ 100µA 2个N沟道 15V 50mA 16mA 10.5pF@5V MCPH-5 贴片安装
供应商型号: 3003861
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) MCH5908H-TL-E

MCH5908H-TL-E概述

    MCH5908 N-Channel JFET 技术手册

    产品简介


    MCH5908 是一种由 Semiconductor Components Industries, LLC(安森美半导体)设计和制造的 N 沟道 JFET(结型场效应晶体管)。它主要应用于模拟电路中,如音频放大器、开关电源和各类传感器接口电路。其独特的复合结构和高效率封装使其成为许多高级应用的理想选择。

    技术参数


    MCH5908 的关键技术和电气特性如下:
    - 最大额定值:
    - 栅源电压 \( V{GS} \):\(-15\) V
    - 漏源电压 \( V{DS} \):\( 15 \) V
    - 漏极电流 \( ID \):\( 50 \) mA
    - 栅极电流 \( IG \):\( 10 \) mA
    - 功率耗散 \( PD \):\( 200 \) mW
    - 结温 \( Tj \):\( 150 \) °C
    - 储存温度 \( T{stg} \):\(-55\) 至 \( 150 \) °C
    - 电气特性:
    - 栅漏击穿电压 \( V{(BR)}GDS \):\(-15\) V
    - 栅源漏电流 \( I{GSS} \):\(-1.0\) nA
    - 截止电压 \( V{GS(off)} \):\(-0.3\) 至 \(-1.5\) V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):\( 10 \) 至 \( 32 \) mA
    - 前向转移导纳 \( |y{fs}| \):\( 24 \) 至 \( 35 \) mS
    - 输入电容 \( C{iss} \):\( 10.5 \) pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):\( 3.5 \) pF
    - 噪声系数 \( NF \):\( 1.0 \) dB

    产品特点和优势


    MCH5908 的主要特点是其复合结构,包含两个 JFET 芯片,集成在一个 MCPH5 封装中。这种设计不仅提高了安装效率,还确保了更高的可靠性和更好的热稳定性。此外,MCH5908 可以等效替代 2SK3557,使得它在现有电路中的替换变得简单而直接。它的宽工作温度范围和高可靠性使其在各种恶劣环境下都能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    MCH5908 广泛应用于音频放大器、传感器接口和电源管理等领域。例如,在音频放大器中,它可以用于前置放大级,以提高信号质量和增益。为了优化其性能,建议在设计电路时考虑以下几点:
    - 确保正确的栅极偏置,以避免过高的栅极电流。
    - 使用适当的散热措施,特别是在大功率应用中,以避免过热。
    - 在高频应用中,注意输入和输出电容的影响。

    兼容性和支持


    MCH5908 使用 MCPH5 封装,符合 JEITA 和 JEDEC 标准,包括 SC-88A、SC-70-5 和 SOT-353。产品包装为 3,000 个一卷,适用于贴片式生产和自动化组装。制造商提供了详尽的技术支持,包括数据手册、应用笔记和技术咨询热线,以帮助用户更好地利用这一产品。

    常见问题与解决方案


    在使用 MCH5908 时,可能会遇到以下问题及其解决方案:
    - 问题:过高的栅极电流导致损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压在安全范围内,并使用合适的栅极电阻。
    - 问题:噪声过大。
    - 解决方案:检查电路布局,减少杂散电容和电感的影响,使用低噪声电源。

    总结和推荐


    总体而言,MCH5908 是一款高性能的 N 沟道 JFET,具备高可靠性、宽工作温度范围和优异的电气特性。其复合结构和高效封装使其在多种应用中表现出色。强烈推荐在需要高性能 JFET 的应用中使用 MCH5908。

MCH5908H-TL-E参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 15V
最大功率 300mW
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 300mW
Vgs-栅源极电压 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 16mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 300mV@ 100µA
击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.5pF@5V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 50mA
配置 -
通用封装 MCPH-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MCH5908H-TL-E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MCH5908H-TL-E数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR MCH5908H-TL-E MCH5908H-TL-E数据手册

MCH5908H-TL-E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.6171
10+ ¥ 2.7403
100+ ¥ 2.4553
500+ ¥ 2.4553
1000+ ¥ 2.3676
5000+ ¥ 2.3676
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