处理中...

首页  >  产品百科  >  NSVJ3910SB3T1G

NSVJ3910SB3T1G

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 400mW 400mW 600mV@ 100µA 1个N沟道 25V 50mA 20mA 独立式 6pF@5V 25V CPH-3 贴片安装 2.9mm*1.6mm*900μm
供应商型号: NSVJ3910SB3T1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) NSVJ3910SB3T1G

NSVJ3910SB3T1G概述

    N-Channel JFET NSVJ3910SB3 技术手册解析

    产品简介


    NSVJ3910SB3 是一种 N 沟道 JFET(结型场效应晶体管),专为紧凑高效的汽车设计而设计。它具有高增益性能,是通过 AEC-Q101 认证的产品,且具备 PPAP 资质,适合应用于汽车领域。该器件主要用作低噪声放大器,特别适用于车载 AM 收音机。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DSX}\): 25V
    - 栅漏电压 \(V{GDS}\): -25V
    - 栅极电流 \(IG\): 10mA
    - 漏极电流 \(ID\): 50mA
    - 允许的最大功耗 \(PD\): 400mW
    - 工作结温和存储温度范围 \(TJ, T{STG}\): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 栅漏击穿电压 \(V(BR){GDS}\): -25V (当 \(IG\) = -10μA, \(V{DS}\) = 0V)
    - 栅截止电流 \(I{GSS}\): -1.0nA (当 \(V{GS}\) = -10V, \(V{DS}\) = 0V)
    - 截止电压 \(V{GS(off)}\): -0.6V 到 -1.8V (当 \(V{DS}\) = 5V, \(ID\) = 100μA)
    - 漏极饱和电流 \(I{DSS}\): 20mA 到 40mA (当 \(V{DS}\) = 5V, \(V{GS}\) = 0V)
    - 前向转移导纳 \(|y{fs}|\): 30mS 到 40mS (当 \(V{DS}\) = 5V, \(V{GS}\) = 0V, \(f\) = 1kHz)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 6.0pF (当 \(V{DS}\) = 5V, \(V{GS}\) = 0V, \(f\) = 1MHz)
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 2.3pF
    - 噪声系数 \(NF\): 2.1dB 到 2.8dB (当 \(V{DS}\) = 5V, \(V{GS}\) = 0V, \(f\) = 100MHz)

    产品特点和优势


    NSVJ3910SB3 具有以下几个显著特点和优势:
    - 高前向转移导纳:保证了在高频下的高效性能。
    - 高击穿电压:增强了器件在高压环境下的稳定性和可靠性。
    - 低输入电容:有助于提高系统的带宽和响应速度。
    - 低噪声系数:非常适合于对噪声敏感的应用场景。
    - 无铅和 RoHS 合规:符合环保标准,更加安全可靠。
    - AEC-Q101 认证和 PPAP 能力:确保了产品的汽车级质量和生产一致性。

    应用案例和使用建议


    NSVJ3910SB3 主要用于汽车领域的低噪声放大器。具体应用实例包括车载 AM 收音机。为了最大化其性能,建议如下:
    - 在设计过程中,确保电路中栅极电压不超过 -10V,以防止栅漏击穿。
    - 由于其输入电容较低,需要仔细设计输入匹配网络以优化整体系统性能。
    - 考虑到噪声系数较低,可以考虑将其用于对信号保真度要求较高的音频前端。

    兼容性和支持


    NSVJ3910SB3 采用 CPH3 封装形式,与同类 N 沟道 JFET 兼容。On Semiconductor 提供详尽的技术支持文档,包括详细的订购和运输信息,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 电源电压超过 25V 时会有什么后果?
    - A: 可能导致器件损坏,甚至影响长期可靠性。应严格控制电源电压在规定的范围内。

    - Q: 如何选择合适的输入匹配网络?
    - A: 应根据实际应用需求进行仿真和测试,选择合适的匹配网络参数,以达到最佳效果。

    总结和推荐


    NSVJ3910SB3 是一款性能卓越、适用广泛的 N 沟道 JFET,特别适合于汽车电子应用中的低噪声放大器。其高增益性能、低噪声系数和可靠的电气特性使其成为市场上极具竞争力的产品。综上所述,强烈推荐此款产品给需要高性能低噪声放大器的设计工程师。

NSVJ3910SB3T1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 400mW
Vds-漏源极击穿电压 25V
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 20mA
击穿电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6pF@5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
最大功率 400mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV@ 100µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 50mA
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*900μm
通用封装 CPH-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVJ3910SB3T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVJ3910SB3T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR NSVJ3910SB3T1G NSVJ3910SB3T1G数据手册

NSVJ3910SB3T1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 5.652
10+ ¥ 3.6698
100+ ¥ 2.4725
库存: 3479
起订量: 5 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 28.26
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2N4118A ¥ 117.1296
2N4341 ¥ 57.5735
2N4392 ¥ 202.4669
2N4857A ¥ 0
2N4858 ¥ 0
2N5197 ¥ 291.8503
2N5566 ¥ 201.6
2SK1069-4-TL-E ¥ 8.4698
2SK170-GR ¥ 0
2SK208-GR(TE85L,F) ¥ 0.4375