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PMBFJ175,215

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 300mW 300mW 30V 3V@ 10 nA 1个P沟道 30V 125Ω 7mA 8pF @ 10V (VGS) 30V SOT-23,TO-236AB 贴片安装
供应商型号: 1758136
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) PMBFJ175,215

PMBFJ175,215概述


    产品简介


    PMBFJ174至PMBFJ177系列是NXP半导体公司生产的P沟道硅场效应晶体管(P-Channel Silicon Field-Effect Transistors)。这些晶体管采用塑料微小型SOT23封装,适用于模拟开关、斩波器、换向器等多种应用。它们的一个特别功能是漏极和源极连接的互换性,这使得安装更加灵活和简便。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏极-源极电压:±30V
    - 栅极-源极电压:±30V
    - 栅极电流:−50 mA
    - 总功率耗散(最高环境温度25°C):300 mW
    - 静态特性:
    - 漏极-源极导通电阻(−VDS = 0.1 V;VGS = 0 V):小于85Ω(PMBFJ174)
    - 漏极-源极导通电阻(−VDS = 0.1 V;VGS = 0 V):小于125Ω(PMBFJ175)
    - 漏极-源极导通电阻(−VDS = 0.1 V;VGS = 0 V):小于250Ω(PMBFJ176)
    - 漏极-源极导通电阻(−VDS = 0.1 V;VGS = 0 V):小于300Ω(PMBFJ177)
    - 动态特性:
    - 输入电容(f = 1 MHz;VGS = 10 V;VDS = 0 V):8 pF(PMBFJ174)
    - 输入电容(f = 1 MHz;VGS = 10 V;VDS = 0 V):12 pF(PMBFJ175)
    - 输入电容(f = 1 MHz;VGS = 10 V;VDS = 0 V):30 pF(PMBFJ176)
    - 输入电容(f = 1 MHz;VGS = 10 V;VDS = 0 V):30 pF(PMBFJ177)

    产品特点和优势


    PMBFJ174至PMBFJ177系列晶体管具有以下显著特点和优势:
    - 漏极和源极的互换性:这一特殊设计使得安装和布线更加灵活,减少了布局的复杂性。
    - 高可靠性:满足严格的电气特性和热稳定性要求,确保长期稳定运行。
    - 小尺寸封装:SOT23封装适用于表面贴装技术(SMT),有助于减小整体电路板尺寸。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于各种电子系统,如模拟开关、斩波器和换向器。由于它们的互换性,可以轻松集成到现有的电路设计中,同时保持原有的性能。对于需要高频切换的应用,例如电信、医疗设备和消费电子产品,PMBFJ174至PMBFJ177系列是非常理想的选择。
    使用建议:
    - 在选择合适的电阻值时,考虑晶体管的导通电阻以确保最佳性能。
    - 确保电路设计中考虑到漏极和源极的互换性,以避免安装错误。
    - 为防止过压损坏,确保电源电压不超过额定值。

    兼容性和支持


    这些晶体管可与其他SOT23封装的器件兼容,且具备良好的电气特性。NXP半导体公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管在工作过程中出现发热问题。
    - 解决方案:检查总功率耗散是否超出额定值。如果超过,可能需要改善散热措施,如增加散热片或改进通风设计。

    2. 问题:晶体管工作不正常,输出不稳定。
    - 解决方案:确保输入电压和电流处于规定的范围内,并检查外部电路连接是否正确无误。

    总结和推荐


    总体来看,PMBFJ174至PMBFJ177系列晶体管在高性能混合信号和标准产品解决方案方面表现出色,非常适合用于各种应用场合。凭借其高可靠性和互换性设计,这款产品在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐使用此系列产品。
    如果您需要进一步的支持和详细的使用指导,请访问NXP官方网站获取更多资料。

PMBFJ175,215参数

参数
最大功率耗散 300mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 10 nA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 125Ω
击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8pF @ 10V (VGS)
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 7mA
最大功率 300mW
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 30V
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1mm(Max)
通用封装 SOT-23,TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

PMBFJ175,215厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

PMBFJ175,215数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) NXP SEMICONDUCTORS PMBFJ175,215 PMBFJ175,215数据手册

PMBFJ175,215封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.2001
10+ ¥ 1.7334
100+ ¥ 1.4934
1000+ ¥ 1.4667
3000+ ¥ 1.4401
9000+ ¥ 1.4401
24000+ ¥ 1.4401
45000+ ¥ 1.4401
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