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BFR31,215

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 250mW 250mW 25V 2.5V@ 0.5 nA 1个N沟道 25V 10mA 1mA 独立式 4pF@10V SOT-23,TO-236AB 贴片安装
供应商型号: 1758134
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) BFR31,215

BFR31,215概述

    # NXP BFR30 和 BFR31 N-沟道场效应晶体管技术手册解析

    产品简介


    NXP BFR30 和 BFR31 是 NXP Semiconductors 提供的 N-沟道场效应晶体管(N-Channel Field-Effect Transistors),采用平面外延对称结设计,封装为 SOT23 塑料封装形式。这两种器件广泛应用于薄膜电路和厚膜电路中的低电平通用放大器设计,特别适合需要高效率和稳定性的应用场合。
    主要特点:
    - 适用范围广:低电压和低电流应用的理想选择。
    - 高可靠性:采用抗静电包装,有效防止运输和处理过程中静电放电带来的损坏。
    - 易用性:Pin 排布简单,栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)功能明确且可互换。

    技术参数


    以下是 BFR30 和 BFR31 的关键性能指标和技术规格:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 最大值 |
    ||
    | 漏极-源极电压 (VDS) | V | -25 | +25 |
    | 栅极-源极电压 (VGSO) | V | -25 | +25 |
    | 漏极电流 (ID) | mA | 0 | 10 |
    | 栅极截止电流 (IGSS) | nA | -0.2 | 0 |
    | 转移导纳 (yfs) | mS | 1 | 4 |
    | 输出导纳 (yos) | μS | 15 | 40 |
    | 输入电容 (Cis) | pF | 0 | 4 |
    | 热阻 (Rth j-a) | K/W | - | 430 |
    其他特性如存储温度范围、总功率耗散等参数在技术手册中均有详细说明,确保器件适用于广泛的工业环境。

    产品特点和优势


    特点:
    1. 高性能:通过严格的技术测试,确保稳定的电流传输能力。
    2. 灵活设计:Pin 排布灵活,源极和漏极可互换,便于多种电路配置。
    3. 卓越耐用性:具有较高的温度适应性(存储温度范围:-65°C 至 +150°C)。
    优势:
    - 集成度高,体积小,适配现代小型化设计需求。
    - 在低压工作环境下,表现优异,尤其适合对功耗要求严格的场合。
    - 抗静电设计进一步提升了产品寿命和可靠性。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    1. 厚膜和薄膜电路放大器:适用于工业控制设备中的信号调理和放大功能。
    2. 便携式电子设备:低功耗设计使其成为移动设备的理想选择。
    使用建议:
    - 热管理:由于热阻较高,建议在实际应用中增加散热片或改善空气流通以提高散热效果。
    - 静电防护:处理器件时需采取防静电措施,避免因静电放电导致器件损坏。
    - 电路匹配:合理选择输入电容和反馈电容,优化电路整体性能。

    兼容性和支持


    BFR30 和 BFR31 与主流集成电路兼容性强,易于集成到现有系统中。NXP Semiconductors 提供全面的技术支持和产品文档,包括快速参考数据、极限参数及特性曲线,帮助用户高效开发和调试产品。

    常见问题与解决方案


    以下列举了一些常见的用户疑问及对应解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过低 | 检查栅极电压设置,适当增大 VGS 值。 |
    | 静电损坏 | 处理器件时佩戴防静电手环,并使用防静电包装材料。 |
    | 温度过高导致器件失效 | 添加散热装置并降低环境温度以改善散热条件。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    NXP BFR30 和 BFR31 以其出色的性能和高度灵活性,成为低功耗电路设计的理想选择。它们在信号放大、电源管理和工业控制等领域具有广泛的应用潜力。
    推荐结论:
    对于需要高性能、低功耗且易集成的 N-沟道场效应晶体管应用,BFR30 和 BFR31 是非常值得推荐的选择。无论是研发阶段还是生产环节,这两款器件都能提供可靠的支持和卓越的表现。
    希望本文提供的内容能够帮助您更好地了解 BFR30 和 BFR31 的特点和优势,助力您的项目成功实施!

BFR31,215参数

参数
最大功率耗散 250mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 0.5 nA
Id-连续漏极电流 10mA
击穿电压 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 1mA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 25V
Vds-漏源极击穿电压 25V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4pF@10V
最大功率 250mW
配置 独立式
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1.1mm(Max)
通用封装 SOT-23,TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

BFR31,215厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BFR31,215数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) NXP SEMICONDUCTORS BFR31,215 BFR31,215数据手册

BFR31,215封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.3866
25+ ¥ 1.8803
100+ ¥ 1.808
250+ ¥ 1.7357
500+ ¥ 1.62
1000+ ¥ 1.591
5000+ ¥ 1.591
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