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BFT46

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 250mW 25V 25V 支架安装,贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) BFT46

BFT46概述


    产品简介


    N-channel Silicon FET BFT46
    N-channel硅场效应晶体管(FET)是一种对称型n沟道硅外延平面结场效应晶体管,封装在微型塑料外壳中。该晶体管主要用于厚膜和薄膜电路中的低电平通用放大器。
    主要功能
    - 功能:适用于各种低电平放大电路。
    - 应用领域:厚膜和薄膜电路中的通用放大器,如通信设备、传感器接口等。
    引脚配置
    1. 引脚1:漏极(Drain)
    2. 引脚2:源极(Source)
    3. 引脚3:栅极(Gate)
    标记代码
    - BFT46 = M3p

    技术参数


    快速参考数据
    - 漏源电压:±VDS最大值 25 V
    - 栅源电压(开漏):−VGSO最大值 25 V
    - 总功率耗散(至Tamb=40°C):Ptot最大值 250 mW
    - 漏极电流:在VDS=10 V, VGS=0时 >0.2 mA <1.5 mA
    - 转移导纳(共源模式):在ID=0.2 mA, VDS=10 V, f=1 kHz时 |yfs|>0.5 mS
    - 等效噪声电压:在VDS=10 V, ID=200 μA, 带宽B=0.6到100 Hz时 Vn<0.5 μV
    极限值
    - 结温(Tj):最大150°C
    - 存储温度范围(Tstg):−65°C 到 +150°C
    - 总功率耗散(至Tamb=40°C):Ptot最大值 250 mW
    - 栅截止电流:在−VGS=10 V, VDS=0时 <0.2 nA
    温度特性
    - 热阻(从结到环境):Rth j-a = 430 K/W
    - 环境温度下漏极电流(ID):在VDS=10 V, VGS=0时 >0.2 mA <1.5 mA
    其他特性
    - 输出导纳:在VDS=10 V, ID=200 μA, 环境温度25°C时 |yos|<5 μS
    - 输入电容:在f=1 MHz, VDS=10 V, VGS=0时 <5 pF
    - 反馈电容:在f=1 MHz, VDS=10 V, VGS=0时 <1.5 pF

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高耐压能力:最高可承受±25 V的漏源电压。
    - 低噪声特性:等效噪声电压低于0.5 μV。
    - 高稳定性和可靠性:具有高热阻特性,能够在高温环境下稳定工作。
    市场竞争力
    - 广泛适用性:适用于多种厚膜和薄膜电路的应用,具有良好的通用性。
    - 低功耗:在较低的工作条件下能够提供稳定的性能,有助于降低系统整体功耗。
    - 成本效益:尽管性能出色,但成本相对较低,适合大规模应用。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 通信设备:可用于无线通信模块中的信号放大。
    - 传感器接口:适合于各种传感器的信号处理和放大。
    - 电源管理:在电源管理系统中作为开关元件,用于控制电源的通断。
    使用建议
    - 注意散热设计:由于功率耗散较大,建议在设计电路时考虑适当的散热措施,以确保器件长期稳定运行。
    - 合理布局引脚:由于漏极和源极是可互换的,因此在实际应用中可以根据具体需求灵活配置引脚。
    - 环境适应性:在极端温度条件下使用时,应注意器件的温度特性,避免因温度过高导致损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与现有系统兼容:该器件设计紧凑,与现有的厚膜和薄膜电路兼容性良好。
    - 集成简便:可以方便地集成到现有的电子系统中,不需要额外的复杂设计。
    支持信息
    - 厂商支持:NXP Semiconductors提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档,帮助用户更好地理解和使用该器件。
    - 售后服务:如需进一步的支持或技术支持,可通过官方网站获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    问题1:器件在高温下出现异常发热现象。
    解决方案:
    - 检查散热设计是否合理,确保器件处于合适的温度范围内运行。
    - 考虑增加散热片或采用更好的散热材料,以增强散热效果。
    问题2:漏极电流不稳定。
    解决方案:
    - 检查电路连接是否正确,确保所有引脚都正确连接。
    - 检查电源电压是否稳定,避免电压波动影响器件的正常工作。
    问题3:器件在低温环境下表现不佳。
    解决方案:
    - 检查器件的温度特性,确保其能在规定的温度范围内正常工作。
    - 如有必要,增加外部加热装置,以维持器件工作在最佳温度区间内。

    总结和推荐


    综合评估
    N-channel硅场效应晶体管BFT46是一款性能优异的电子元器件,具备高耐压能力、低噪声特性和高稳定性,广泛应用于通信设备、传感器接口和电源管理等领域。其紧凑的设计和较高的性价比使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐使用
    鉴于该器件在多种应用场景下的优秀表现,我们强烈推荐将其应用于需要高性能放大器的场合。通过合理的电路设计和散热管理,可以充分发挥其潜力,提高系统的整体性能。

BFT46参数

参数
Id-连续漏极电流 -
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 25V
最大功率耗散 250mW
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 25V
FET类型 -
配置 -
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1.1mm(Max)
安装方式 支架安装,贴片安装

BFT46厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BFT46数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) NXP SEMICONDUCTORS BFT46 BFT46数据手册

BFT46封装设计

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