处理中...

首页  >  产品百科  >  PMBF4391,215

PMBF4391,215

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 恩智浦 JFET, N通道, 表面贴装安装, SOT-23封装, Vds=40 V, 3引脚, Idss: 50 to 150mA
供应商型号: 6263229
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) PMBF4391,215

PMBF4391,215概述

    PMBF4391, PMBF4392, PMBF4393 N-Channel FETs 技术手册解析

    产品简介


    PMBF4391、PMBF4392 和 PMBF4393 是由 NXP Semiconductors 生产的硅基 N 沟道耗尽型结型场效应晶体管(N-channel Depletion Type JFET)。这些晶体管采用塑料微型封装(Plastic Microminiature Envelope),特别适合于厚膜和薄膜电路的应用。这些 FET 主要用于低功耗斩波或开关应用,广泛应用于工业领域。

    技术参数


    以下是 PMBF4391、PMBF4392 和 PMBF4393 的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS): ±40V
    - 漏电流(IDSS):
    - PMBF4391: VDS = 20V, VGS = 0 时 > 50 mA
    - PMBF4392: VDS = 20V, VGS = 0 时 > 25 mA
    - PMBF4393: VDS = 20V, VGS = 0 时 > 5 mA
    - 栅源关断电压(VGS(OFF)):
    - PMBF4391: > -4V
    - PMBF4392: > -2V
    - PMBF4393: > -0.5V
    - 漏源电阻(RON):
    - PMBF4391: < 30Ω
    - PMBF4392: < 60Ω
    - PMBF4393: < 100Ω
    - 反馈电容(Crs):
    - 在 -VGS = 12V, VDS = 0 时 < 3.5 pF
    - 关断时间(tOFF):
    - PMBF4391: < 20 ns (ID = 12 mA, -VGS(M) = 12V)
    - PMBF4392: < 35 ns (ID = 6 mA, -VGS(M) = 7V)
    - PMBF4393: < 50 ns (ID = 3 mA, -VGS(M) = 5V)

    产品特点和优势


    PMBF4391、PMBF4392 和 PMBF4393 具备以下几个独特优势:
    1. 高耐压能力: ±40V 的漏源电压使得它们可以在高压环境中稳定工作。
    2. 低功耗: 低漏电流特性使其适用于需要长时间运行的低功耗应用。
    3. 快速响应: 快速的关断时间和切换时间使它们在高速开关应用中表现出色。
    4. 高可靠性: 稳定的栅源关断电压确保了在不同工作条件下的可靠性能。

    应用案例和使用建议


    这些 N 沟道 FET 广泛应用于各种低功耗开关和斩波应用。例如,在工业控制系统中,它们可以作为斩波器来实现高效、可靠的电源管理。使用建议包括:
    - 确保漏源电压不超过额定值,以防止过载损坏。
    - 在设计应用电路时,考虑到温度变化对性能的影响,特别是在高温环境下。

    兼容性和支持


    这些 FET 具有广泛的兼容性,可以与多种不同的电路板和设备集成。NXP Semiconductors 提供了详尽的技术支持和维护信息,包括数据手册、应用笔记和技术咨询服务,确保用户能够充分发挥这些器件的性能。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题: 漏电流过高
    - 解决方案: 检查栅源电压是否设置正确,确保漏源电压没有超过最大限制。

    - 问题: 关断时间过长
    - 解决方案: 检查负载电阻和电压设置,优化电路参数。

    总结和推荐


    PMBF4391、PMBF4392 和 PMBF4393 是高性能、可靠的 N 沟道 FET,适用于多种工业应用。其卓越的耐压能力和低功耗特性使得它们在斩波和开关应用中表现优异。对于需要高性能、低功耗和高可靠性的应用,强烈推荐使用这些器件。
    总的来说,NXP Semiconductors 的这些 N 沟道 FET 在工业应用中具有显著的优势,值得在相关项目中考虑使用。

PMBF4391,215参数

参数
最大功率 250mW
Id-连续漏极电流 50mA
Rds(On)-漏源导通电阻 30Ω
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 40V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 独立式
击穿电压 40V
通道数量 -
最大功率耗散 250mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 1 nA
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 50mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14pF@20V
长*宽*高 3mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23,TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

PMBF4391,215厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

PMBF4391,215数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) NXP SEMICONDUCTORS PMBF4391,215 PMBF4391,215数据手册

PMBF4391,215封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.705
20+ ¥ 3.6301
50+ ¥ 3.2784
100+ ¥ 2.3001
200+ ¥ 2.2757
库存: 0
起订量: 70 增量: 0
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2N4117A ¥ 33.4224
2N4117A-E3 ¥ 33.4224
2N4339 ¥ 29.063
2N4340 ¥ 149.7888
2N4341 ¥ 57.5735
2N4392 ¥ 202.4669
2N4858 ¥ 0
2N5197 ¥ 291.8503
2N5434 ¥ 424.9728
2SK1069-4-TL-E ¥ 8.4698