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J111,126

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 400mW 400mW 40V 10V@ 1 µA 1个N沟道 40V 30Ω 20mA 6pF @ 10V (VGS) 40V TO-92-3 通孔安装
供应商型号: CY-J111,126
供应商:
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) J111,126

J111,126概述

    N-Channel Silicon Field-Effect Transistors J111, J112, J113

    1. 产品简介


    N通道硅场效应晶体管是一种对称的硅N沟道结型场效应晶体管(JFET),采用塑料TO-92封装。这些器件广泛应用于模拟开关、斩波器、转换器等领域。本文将详细介绍这些晶体管的产品特点、技术参数及应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压
    - 漏源电压 (±VDS):40 V
    - 栅源电压 (−VGSO):±40 V
    - 栅漏电压 (−VGDO):±40 V
    - 栅极正向电流 (IG):50 mA
    - 栅极反向电流 (−IGSS):≤ 1 nA
    - 漏极截止电流 (−IDSX):≤ 1 nA
    - 漏极饱和电流 (IDSS):≥ 2 mA (J111),≥ 5 mA (J112),≥ 2 mA (J113)
    - 漏源击穿电压 (−V(BR)GSS):≥ 40 V
    - 漏源导通电阻 (RDSon):≤ 30 Ω (J111),≤ 50 Ω (J112),≤ 100 Ω (J113)
    - 总功率耗散
    - 额定值 (Ptot):400 mW
    - 存储温度范围 (Tstg):−65°C 至 +150°C
    - 结温 (Tj):最大值 150°C
    - 热阻 (Rth j-a):250 K/W
    - 动态特性
    - 输入电容 (Cis):典型值 6 pF (VDS=0, −VGS=10 V)
    - 反馈电容 (Crs):典型值 3 pF (VDS=0, −VGS=10 V)
    - 开关时间
    - 上升时间 (tr):6 ns
    - 开启时间 (ton):13 ns
    - 下降时间 (tf):15 ns
    - 关闭时间 (toff):35 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高开关速度:这使得它们适用于需要快速响应的应用场合。
    - 互换性:栅极、源极和漏极引脚可以互换连接,便于安装和设计。
    - 低导通电阻:即使在零栅极电压下也具有较低的导通电阻,减少了功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 模拟开关:利用其快速开关能力和互换性,适合于音频信号处理和射频电路。
    - 斩波器和转换器:由于其低导通电阻,非常适合用于电力电子领域。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,要确保栅源电压不超过规定的最大值,以避免损坏器件。
    - 注意热管理,特别是当器件处于高功耗状态时,应采取适当的散热措施。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管与标准TO-92封装兼容,因此易于集成到现有设计中。制造商提供详细的技术支持,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 设备发热严重怎么办?
    - A1: 确保良好的散热措施,如添加散热片或使用散热风扇。
    - Q2: 开关时间过长如何改善?
    - A2: 减小负载电阻 (RL),并确保驱动电压符合要求。
    - Q3: 如何防止静电损伤?
    - A3: 使用防静电措施,如佩戴防静电手环并在操作时接地。

    7. 总结和推荐


    N通道硅场效应晶体管J111、J112、J113具有出色的开关性能和可靠性,适合多种应用场合。它们独特的互换性和低导通电阻使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高开关速度和稳定性能的应用,我们强烈推荐使用这些晶体管。

    请注意,上述信息基于技术手册内容编写,如需更多详细信息,请参阅完整数据手册。

J111,126参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30Ω
击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 20mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 40V
最大功率 400mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 10V@ 1 µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6pF @ 10V (VGS)
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 400mW
4.8mm(Max)
4.2mm(Max)
5.2mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 盒装,散装

J111,126厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

J111,126数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 结型场效应管(JFET) NXP SEMICONDUCTORS J111,126 J111,126数据手册

J111,126封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.222 ¥ 1.9107
1000+ $ 0.2157 ¥ 1.823
5000+ $ 0.2157 ¥ 1.823
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