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2N4118A

产品分类: 结型场效应管(JFET)
产品描述: 300mW 300mW 1V@ 1 nA 1个N沟道 80μA 80μA 独立式 3pF@10V 40V TO-206AF,TO-72 通孔安装
供应商型号: AMS-2N4118A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) 2N4118A

2N4118A概述


    产品简介


    基本信息
    - 产品类型: N-Channel JFETs(N沟道结型场效应晶体管)
    - 主要功能: 提供超高输入阻抗,低泄漏电流,低噪声和高信号传输能力
    - 应用领域: 精密测试设备,红外检测放大器,烟雾探测器输入等
    具体型号
    - 2N4117A
    - PN4117A
    - SST4117
    - 2N4118A
    - PN4118A
    - SST4118
    - 2N4119A
    - PN4119A
    - SST4119

    技术参数


    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 4117 | 4118 | 4119 |
    |
    | 栅源击穿电压 | V(BR)GSS | IG = -1 µA, VDS = 0 V | -40 V | -40 V | -40 V |
    | 栅源截止电压 | VGS(off) | VDS = 10 V, ID = 1 nA | -0.6 V ~ -1.8 V | -1 V ~ -3 V | -2 V ~ -6 V |
    | 饱和漏极电流 | IDSS | VDS = 10 V, VGS = 0 V | 30 µA | 80 µA | 200 µA |
    | 门向源正向电压 | VGS(F) | IG = 1 mA, VDS = 0 V | 0.7 V | - | - |
    | 动态参数 | - | - | - | - | - |
    | 共源跨导 | gfs | VDS = 10 V, VGS = 0 V | 70 µS | 210 µS | 100 µS |
    | 共源输出电导 | gos | VDS = 10 V, VGS = 0 V | 3 µS | 5 µS | 10 µS |
    绝对最大额定值
    - 栅源/栅漏电压: -40 V
    - 正向栅极电流: 50 mA
    - 存储温度: -65°C ~ 175°C(2N前缀), -55°C ~ 150°C(PN、SST前缀)
    - 工作结温: -55°C ~ 175°C(2N前缀), -55°C ~ 150°C(PN、SST前缀)
    - 引线温度: 300°C
    - 功率耗散(25°C时): 300 mW(2N前缀), 350 mW(PN、SST前缀)

    产品特点和优势


    特点
    - 超低泄漏电流: 0.2 pA
    - 非常低的工作电流/电压
    - 超高输入阻抗
    - 低噪声
    - 高灵敏度至低级信号
    - 低功耗(电池适用)
    - 可选封装形式: TO-206AF, TO-226A, TO-236
    - 高成本效益选择
    优势
    - 适用于高阻抗敏感前端放大器
    - 军用处理兼容
    - 提供表面贴装选项
    - 易于自动化装配

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 烟雾探测器输入: 用于烟雾检测电路中的信号放大
    - 红外检测放大器: 用于红外传感器的信号增强
    - 精密测试设备: 在需要高精度的测量设备中使用
    使用建议
    - 确保正确设置栅源电压以防止击穿
    - 根据应用需求选择合适的封装形式
    - 注意环境温度影响,进行适当散热

    兼容性和支持


    - 封装兼容性: 可通过不同的封装形式(TO-206AF, TO-226A, TO-236)实现与不同平台的兼容
    - 厂商支持: 提供详细的文档和支持服务,如AN105应用说明,帮助用户更好地理解和使用这些器件

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何避免栅源电压超过绝对最大额定值?
    - 解决方法: 确保栅源电压不超过规定范围,特别是要设置适当的限流电阻和保护电路。
    2. 如何提高设备的温度稳定性?
    - 解决方法: 选择散热性能良好的封装形式,并且在高温环境下使用时考虑降低功率耗散。
    3. 如何减少噪声干扰?
    - 解决方法: 使用合适的滤波器,并确保接地良好,减少外部噪声的引入。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点: 超高输入阻抗,低噪声,低功耗,广泛的应用范围和多种封装形式
    - 缺点: 可能需要复杂的外部电路设计以确保可靠运行
    推荐使用
    - 这些N沟道JFETs适用于对噪声敏感和高输入阻抗要求较高的应用场景,特别是在红外检测和精密测试设备中表现出色。由于其广泛的兼容性和支持服务,强烈推荐在需要高性能和可靠性的地方使用。
    总之,2N/PN/SST4117A系列非常适合于要求高精度和稳定性的场合,可以作为高端设计中的理想选择。

2N4118A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 1 nA
击穿电压 40V
通道数量 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 80μA
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3pF@10V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 300mW
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率 300mW
Id-连续漏极电流 80μA
配置 独立式
通用封装 TO-206AF,TO-72
安装方式 通孔安装
包装方式 散装

2N4118A厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N4118A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 结型场效应管(JFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N4118A 2N4118A数据手册

2N4118A封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 13.944 ¥ 117.1296
100+ $ 13.8 ¥ 115.92
500+ $ 13.728 ¥ 115.3152
999+ $ 13.656 ¥ 114.7104
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2SK208-O(TE85L,F) ¥ 4.6737