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TESDL5V0B45P1M3 RWG

产品分类: 电路保护套件
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: Bi-directional ESD - Transient Voltage Suppressor
供应商型号: SCE-TESDL5V0B45P1M3RWG
供应商: 海外现货
标准整包数: 100
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 电路保护套件 TESDL5V0B45P1M3 RWG

TESDL5V0B45P1M3 RWG概述

    # 电子元器件技术手册:TESDL5V0B45P1M3

    1. 产品简介


    产品类型
    TESDL5V0B45P1M3 是一种双向瞬态电压抑制器(TVS),专门用于保护电子系统中的电源接口、控制线和低速数据线免受过压损害。
    主要功能
    - 双向 ESD 保护
    - 抗雷击保护
    - 适用于 5V 及以下的工作电压
    应用领域
    - 计算机及其外围设备
    - 电源保护
    - 便携式设备
    - 音视频设备
    - 笔记本、台式机和服务器

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs): PPK = 130 W
    - 峰值脉冲电流 (tp = 8/20μs): IPP = 12 A
    - ESD 按 IEC 61000-4-2 空气放电: VESD = ±30 kV
    - ESD 按 IEC 61000-4-2 接触放电: ±30 kV
    - 工作结温范围: TJ = -55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围: TSTG = -55°C 到 +150°C
    电气规格
    - 反向工作电压: VRWM = - 至 5 V
    - 反向击穿电压 (IR = 1mA, TJ = 25°C): VBR = 5.5 - 9.5 V
    - 反向漏电流 (VRWM = 5V, TJ = 25°C): IR = - 至 100 nA
    - 钳位电压 (IPP = 1A, tp = 8/20μs): VC = - 至 10 V
    - 钳位电压 (IPP = 12A, tp = 8/20μs): VC = - 至 14 V
    - 结电容 (1MHz, VR = 0V): CJ = 36 - 45 pF

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 提供双向 ESD 保护,符合 IEC 61000-4-2 (±30kV) 和 IEC 61000-4-5 (12A) 标准
    - 适用于 5V 及以下的工作电压
    - 小封装节省板载空间
    - 快速开启和低钳位电压
    - 固态硅雪崩和主动电路触发技术
    - 潮湿敏感度等级:J-STD-020 等级 1
    - 符合 RoHS 标准
    - 符合 IEC 61249-2-21 的无卤素标准
    优势
    - 优秀的抗 ESD 和雷击能力
    - 高可靠性,适用于恶劣环境
    - 快速响应时间,确保系统稳定运行

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 计算机及其外围设备: 保护主板上的数据线和控制线
    - 电源保护: 为外部电源提供过压保护
    - 音视频设备: 保护音频和视频信号线
    使用建议
    - 最小化寄生电感: 所有连接到 TESDL5V0B45P1M3 引脚的路径长度应尽可能短
    - 良好电路板设计: 确保被保护线路与 TESDL5V0B45P1M3 之间的路径最短
    - 优化 ESD 回流路径: 将 ESD 电流回流路径保持最短
    - 使用接地平面: 尽可能利用接地平面以减少噪声干扰

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - TESDL5V0B45P1M3 与各种电源接口和信号线兼容
    - 封装为 SOD-323,可直接焊接到标准 PCB 板上
    支持
    - Taiwan Semiconductor 提供详细的技术文档和支持
    - 客户可以联系技术支持获取帮助和维护服务

    6. 常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 设备出现 ESD 故障
    - 解决方案: 检查所有连接线路并确保正确安装 TESDL5V0B45P1M3。
    - 问题 2: 电源异常波动
    - 解决方案: 确保设备处于合适的操作温度范围内,并使用接地平面减少干扰。
    - 问题 3: 脉冲电流超过额定值
    - 解决方案: 重新设计电路布局,缩短寄生电感路径,避免峰值电流过大。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    - 主要优点: 高可靠性的双向 ESD 保护,适用于多种应用场景,且具有优良的电气特性。
    - 推荐: TESDL5V0B45P1M3 在 ESD 和雷击保护方面表现出色,适用于需要高可靠性和强抗干扰能力的应用。强烈推荐在电子系统中使用此产品。
    通过以上详细的介绍和技术参数,可以看出 TESDL5V0B45P1M3 是一款非常值得信赖的双向瞬态电压抑制器。

TESDL5V0B45P1M3 RWG参数

参数
通用封装 SOD-323
包装方式 卷带包装

TESDL5V0B45P1M3 RWG数据手册

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TESDL5V0B45P1M3 RWG封装设计

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