处理中...

首页  >  产品百科  >  TESDH5V0U04P2Q1 RNG

TESDH5V0U04P2Q1 RNG

产品分类: 电路保护套件
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 5V 15Vc 3-Pin DFN T/R
供应商型号: SCE-TESDH5V0U04P2Q1RNG
供应商: 海外现货
标准整包数: 100
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 电路保护套件 TESDH5V0U04P2Q1 RNG

TESDH5V0U04P2Q1 RNG概述


    产品简介


    TESDH5V0U04P2Q1 是由台湾半导体公司(Taiwan Semiconductor)生产的单向超低电容静电放电保护二极管。该产品主要用于高速数据接口的过压保护,适用于多种高速通信协议和便携式电子设备。它能够有效地保护敏感电子组件免受静电放电(ESD)导致的过应力影响。

    技术参数


    - 封装类型:DFN1006-3L
    - 峰值脉冲功率(tp = 8/20us):60W
    - 峰值脉冲电流(tp = 8/20us):4A
    - 静电放电(接触和空气放电):±20kV
    - 工作结温范围:-55°C 至 +125°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 反向工作电压(VRWM):≤ 5V
    - 反向击穿电压(IR = 1mA, TJ = 25°C):7 - 9V
    - 正向电压(IF = 10mA, TJ = 25°C):0.6 - 1.2V
    - 反向漏电流(VRWM = 5V):≤ 100nA
    - 钳位电压(IPP = 1A, tp = 8/20us):≤ 11V
    - 钳位电压(IPP = 4A, tp = 8/20us):≤ 15V
    - 钳位电压(ITLP = 16A, tp = 100ns):22.2V
    - 结电容(1MHz, VR = 0V):
    - Pin1 或 Pin2 到 Pin3:0.57 - 0.65pF
    - Pin1 和 Pin2 之间:0.25 - 0.40pF
    - 动态电阻(RDYN):≤ 0.85Ω
    - 潮敏等级:1 级(符合 J-STD-020)
    - RoHS 符合性
    - 无卤素

    产品特点和优势


    TESDH5V0U04P2Q1 具有多项显著的优势和特点:
    - 双向 ESD 保护:提供每通道 ±20kV 的静电放电保护。
    - 低钳位电压:钳位电压为 22.2V @ 16A,确保保护效果的同时减少电压损耗。
    - 超低电容:0.65pF,适用于高频信号传输,减小信号失真。
    - 紧凑封装:采用 DFN1006-3L 封装,节省空间,便于集成到各种电路板设计中。
    - 快速响应:具有快速开启和低钳位电压的特点。
    - 环境适应性:在极端温度条件下(-55°C 至 +125°C)保持稳定工作,且具备高可靠性。
    - 环保材料:无卤素,符合 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    TESDH5V0U04P2Q1 广泛应用于多种高速数据接口的保护,如:
    - IEEE 1394
    - PCI Express
    - USB 2.0 和 3.0
    - SATA 和 eSATA
    - HDMI 1.3, 1.4 和 2.0 版本
    - 便携式电子产品和笔记本电脑
    使用建议:
    - 最小化寄生电感:为了保证最佳的保护效果,应尽可能缩短连接到 PCB 地轨的路径长度。
    - 正确连接:根据应用要求正确连接各引脚,例如在 USB 接口保护中,将两个受保护的数据线连接到 ESD 保护引脚(Pin1 和 Pin2),并将地引脚(Pin3)直接连接到 PCB 地轨。

    兼容性和支持


    兼容性:由于 TESDH5V0U04P2Q1 支持多种标准接口,它可以与其他电子元器件和设备无缝集成,适用于各种设备和系统。
    支持:台湾半导体公司提供了详细的文档和技术支持,包括订购信息和包装细节。此外,针对用户可能出现的问题,厂商也提供了详尽的支持文档和解答,以帮助用户顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品在使用过程中出现烧毁现象。
    解决办法:检查是否有过大的瞬态电流冲击,确保产品安装正确,并确认电路设计合理,特别是保护电路的设计。
    问题2:产品在特定应用中失效。
    解决办法:确认所选的产品型号是否满足应用需求,尤其是反向工作电压、钳位电压和工作温度范围等参数是否符合应用条件。
    问题3:产品在高温环境下不稳定。
    解决办法:检查产品的存储温度和工作温度范围是否与实际使用环境相符,确保所有条件都在产品规定的范围内。

    总结和推荐


    总结:TESDH5V0U04P2Q1 是一款高性能的超低电容静电放电保护二极管,具备多项独特优势,特别适合用于高速数据接口的保护。它的低钳位电压、超低电容和快速响应能力使其在多种应用中表现出色。
    推荐:我们强烈推荐使用 TESDH5V0U04P2Q1 进行高速数据接口的保护。其优异的性能和广泛的适用范围使得它成为众多工程师和设计者的首选。

TESDH5V0U04P2Q1 RNG参数

参数
3-UFDFN
通用封装 DFN-1006-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

TESDH5V0U04P2Q1 RNG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 电路保护套件 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TESDH5V0U04P2Q1 RNG TESDH5V0U04P2Q1 RNG数据手册

TESDH5V0U04P2Q1 RNG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.6065
500+ ¥ 0.465
3000+ ¥ 0.4039
6000+ ¥ 0.3889
库存: 20000
起订量: 700 增量: 100
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 232.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
00940566ZXA ¥ 547.0457
2800116 ¥ 1692.658
2905414 ¥ 3186.8753
2905415 ¥ 4879.5607
2905419 ¥ 9327.2232
2905421 ¥ 7197.5698
2905472 ¥ 2511.8352
2905987 ¥ 5098.2492
2905988 ¥ 6368.351
2907390 ¥ 6905.646