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RN1107MFV,L3F(CT

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: NPN - Pre-Biased 500nA 50V 100mA 贴片安装
供应商型号: SXE-RN1107MFV,L3F(CT
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOSHIBA 三极管(BJT) RN1107MFV,L3F(CT

RN1107MFV,L3F(CT概述

    # Toshiba RN1107MFV to RN1109MFV NPN Bipolar Transistors: A Comprehensive Overview

    1. 产品简介


    Toshiba 的 RN1107MFV 至 RN1109MFV 系列是基于硅材料的 NPN 型外延结构(PCT 工艺)双极型晶体管,专为满足现代高密度电子设计需求而开发。这些晶体管内置偏置电阻,有效简化了外围电路设计,使其适用于开关电路、逆变器、接口电路及驱动电路等多种应用场景。作为市场上备受关注的产品之一,RN1107MFV 至 RN1109MFV 提供了一系列可选型号,以适配不同的电路设计要求。
    主要功能:
    - 内置偏置电阻,减少外部元件数量。
    - 小型封装,适合高密度表面贴装设计。
    - 高可靠性与宽广的电阻范围,适用于多种电路配置。
    应用领域:
    - 开关控制与电源管理
    - 逆变器电路
    - 数字与模拟信号接口
    - 功率放大器及驱动电路

    2. 技术参数


    以下是这些晶体管的关键技术指标和规格:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | 集电极-基极电压 | V | 50 | 50 | 67
    | 集电极-发射极电压 | V | 50 | 50 | 150
    | 发射极-基极电压 | V | 6 | 7 | 15
    | 集电极电流 | mA | 0.081 | 0.1 | 100 | VCE = 5V, IC = 10mA |
    | 漏电流(集电极截止) | nA | 0.081 | 0.1 | 100 | VCB = 50V, IE = 0mA |
    | 输出输入阻抗比 | kΩ | 0.5 | 1.0 | 2.6
    | 电流增益 | μA/V | 80 | 100 | 500 | VCE = 5V, IC = 5mA |
    | 集电极-发射极饱和压降 | V | 0.7 | 0.7 | 1.8 | IC = 5mA |
    | 工作温度范围 | ℃ | -55 | 25 | 150

    3. 产品特点和优势


    RN1107MFV 至 RN1109MFV 系列晶体管具有以下显著优势:
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车和工业应用,确保高可靠性。
    - 超小型封装:采用 VESM 封装,体积小巧,适合高密度电路板设计。
    - 内置偏置电阻:减少了电路所需的外部元件,降低了系统复杂度和成本。
    - 灵活性强:通过调整电阻值(R1 和 R2),支持多种电路设计需求。
    - 互补型号:与 RN2107MFV 至 RN2109MFV 系列互补,方便实现对称电路设计。
    这些特性使其在高集成度、高性能要求的应用场景中表现卓越,尤其是在消费电子、工业控制和汽车电子领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源:用于功率 MOSFET 或 IGBT 的驱动,提升电路效率。
    - 汽车电子:如发动机控制系统、车身控制模块等,提供稳定的信号切换能力。
    - 工业设备:例如伺服驱动器和电机控制器。
    使用建议:
    - 在选择型号时需根据具体应用需求确定偏置电阻值,避免过高的功耗。
    - 注意散热设计,特别是在高电流或高频率运行条件下。
    - 定期监测晶闸管温升,避免因过热导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:RN1107MFV 至 RN1109MFV 支持广泛的 PCB 覆铜设计,确保与主流电子设备的良好兼容性。
    - 支持服务:Toshiba 提供详尽的技术文档、可靠的数据支持以及售后保障,确保用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见问题及其解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管过热 | 改进散热设计,增加散热片或降低负载。 |
    | 开关速度不足 | 减少寄生电感,优化电路布局。 |
    | 输出电流低于预期 | 确保电压和偏置电阻匹配正确。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,Toshiba RN1107MFV 至 RN1109MFV 系列 NPN 双极型晶体管凭借其紧凑的设计、高可靠性和多功能性,在现代电子应用中占据重要地位。特别适合需要高集成度和高效能的设计项目。因此,我们强烈推荐此系列晶体管给希望优化电路性能并降低设计成本的工程师和企业。
    如果您正在寻找一款兼具灵活性与稳定性的晶体管解决方案,那么 RN1107MFV 至 RN1109MFV 将是一个理想的选择!

RN1107MFV,L3F(CT参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 500nA
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 500µA,5mA
最大功率耗散 -
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

RN1107MFV,L3F(CT厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

RN1107MFV,L3F(CT数据手册

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RN1107MFV,L3F(CT封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3664
10+ ¥ 0.3518
100+ ¥ 0.346
500+ ¥ 0.34
1000+ ¥ 0.2932
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