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2N2907A

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 1.6V@ 50mA,500mA PNP 500mW 5V 50nA 60V 60V 600mA TO-18 通孔安装
供应商型号: 2N2907A
供应商: Master
标准整包数: 5
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) 2N2907A

2N2907A概述

    2N2906A/2N2907A PNP Small Signal Silicon Transistor 技术手册

    产品简介


    2N2906A 和 2N2907A 是由 Microsemi 生产的 PNP 小信号硅晶体管,具有不同的质量等级,包括标准(JAN)、增强型(JANTX)、高可靠性型(JANTXV)以及军用级(JANS)。这些晶体管广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子等领域,适用于各种放大和开关电路的设计。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:60 Vdc
    - 集电极-基极电压:60 Vdc
    - 发射极-基极电压:5.0 Vdc
    - 集电极电流:600 mAdc
    - 总耗散功率(TA = +25°C):0.5 W
    - 操作和存储结温范围:-65°C 至 +200°C
    - 电气特性
    - 截止特性
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = 10mAdc):60 Vdc
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 60Vdc 或 VCB = 50Vdc):10 μAdc
    - 发射极-基极截止电流(VEB = 4.0Vdc 或 VEB = 5.0Vdc):50 μAdc
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 50Vdc):50 μAdc
    - 导通特性
    - 正向电流传输比(IC = 0.1mAdc, VCE = 10Vdc):40 至 75
    - 正向电流传输比(IC = 1.0mAdc, VCE = 10Vdc):40 至 100(2N2906A),175 至 450(2N2907A)
    - 正向电流传输比(IC = 150mAdc, VCE = 10Vdc):40 至 100(2N2906A),120 至 300(2N2907A)
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 150mAdc, IB = 15mAdc):0.4 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压(IC = 150mAdc, IB = 15mAdc):0.6 Vdc
    - 动态特性
    - 正向电流传输比(IC = 1.0mAdc, VCE = 10Vdc, f = 1.0kHz):40 至 100
    - 小信号正向电流传输比(IC = 20mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz):2.0
    - 开关特性
    - 开启时间(VCC = 30Vdc, IC = 150mAdc, IB1 = 50mAdc):45 ηs
    - 关闭时间(VCC = 30Vdc, IC = 150mAdc, IB1 = -IB2 = 50mAdc):300 ηs

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过 MIL-PRF-19500/291 认证,适用于严苛环境下的应用。
    - 宽工作温度范围:从 -65°C 到 +200°C,确保在极端环境下仍能正常工作。
    - 高电流和电压耐受性:可承受高达 60 Vdc 的集电极-发射极电压和 600 mAdc 的集电极电流,适合于高负载电路。
    - 快速开关性能:开启时间和关闭时间短,有助于提高电路的整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 工业控制:用于电动机驱动和过程控制系统中的放大电路。
    - 通信设备:作为放大器和开关元件,用于信号处理和调制解调器。
    - 消费电子:如音频放大器和电池充电电路中的小信号放大部分。
    使用建议:
    - 确保电路设计中加入合适的散热措施,以避免过热。
    - 在高频应用中,注意引线的寄生电感和电容对性能的影响。

    兼容性和支持


    这些晶体管提供了多种封装形式,包括 TO-18 和表面贴装(UA, UB, UBC)版本。Microsemi 提供全面的技术支持和售后维护服务,确保客户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管在高温下性能下降。
    - 解决方案:检查电路中的散热设计,确保适当的热管理。
    - 问题2:晶体管出现意外饱和。
    - 解决方案:调整基极驱动电流,确保集电极电流不超过额定值。
    - 问题3:高频响应不佳。
    - 解决方案:优化电路布局,减少引线长度,并采用低电感封装。

    总结和推荐


    2N2906A 和 2N2907A 是高性能的小信号硅晶体管,适用于多种工业和消费电子应用。其高可靠性、宽工作温度范围和出色的电气特性使其成为各种放大和开关电路的理想选择。强烈推荐给需要稳定可靠晶体管解决方案的工程师和设计师。

2N2907A参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 60V
配置 -
集电极电流 600mA
集电极截止电流 50nA
晶体管类型 PNP
最大集电极发射极饱和电压 1.6@ 50mA,500mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 500mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.6V@ 50mA,500mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
5.33mm(Max)
通用封装 TO-18
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

2N2907A厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

2N2907A数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) MICROCHIP TECHNOLOGY 2N2907A 2N2907A数据手册

2N2907A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 4.094 ¥ 34.6762
50+ $ 3.5643 ¥ 29.6357
100+ $ 3.5425 ¥ 29.4544
250+ $ 3.4344 ¥ 28.5405
500+ $ 3.3971 ¥ 27.8189
1000+ $ 3.376 ¥ 27.6461
2500+ $ 3.3655 ¥ 27.5597
5000+ $ 3.3655 ¥ 27.5597
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