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2N2222Ae3

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 50nA 50V 800mA TO-18,TO-206AA 通孔安装
供应商型号: 2N2222AE3-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) 2N2222Ae3

2N2222Ae3概述

    NPN Silicon Switching Transistor 技术手册
    Microsemi公司生产的NPN硅开关晶体管产品系列广泛应用于各种电子设备中。本手册详细介绍了该产品的基本规格、性能参数、工作环境以及应用案例等方面的内容。

    1. 产品简介


    NPN硅开关晶体管是一款高性能的电子元器件,主要用于放大和开关应用。其主要型号包括2N2221A, 2N2222A, JAN, JANTX, JANTXV, 和JANS等。这些晶体管在工业控制、通信设备、计算机系统等领域得到广泛应用。

    2. 技术参数


    以下是该晶体管的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:50Vdc
    - 集电极-基极电压:75Vdc
    - 发射极-基极电压:6.0Vdc
    - 集电极电流:800mA
    - 总功率耗散(TA=+25°C):0.5W
    - 操作和存储结温范围:-65°C 至 +200°C
    - 热特性
    - 热阻,结到环境温度:325°C/W (2N2221A, L)
    - 热阻,结到环境温度:210°C/W (2N2221AUA)
    - 热阻,结到环境温度:325°C/W (2N2222A, L)
    - 热阻,结到环境温度:210°C/W (2N2222AUA)
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压:50Vdc (IC=10mAdc)
    - 基极-集电极截止电流:10μAdc (VCB=75Vdc), 10μAdc (VCB=60Vdc)
    - 基极-发射极截止电流:10μAdc (VEB=6.0Vdc), 10μAdc (VEB=4.0Vdc)
    - 集电极-发射极饱和电压:0.3Vdc (IC=150mAdc, IB=15mAdc), 1.0Vdc (IC=500mAdc, IB=50mAdc)
    - 基极-发射极电压:0.6Vdc (IC=150mAdc, IB=15mAdc), 1.2Vdc (IC=500mAdc, IB=50mAdc)
    - 动态特性
    - 小信号短路前向电流转移比:30 (IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0kHz)
    - 输出电容:8.0pF (VCB=10Vdc, IE=0, 100kHz≤f≤1.0MHz)
    - 输入电容:25pF (VEB=0.5Vdc, IC=0, 100kHz≤f≤1.0MHz)
    - 开关特性
    - 开启时间:35ns (参考图8)
    - 关闭时间:300ns (参考图9)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:符合MIL-PRF-19500/255标准,适用于军事和工业应用。
    - 宽温度范围:可以在-65°C至+200°C的极端环境下工作。
    - 低功耗:总功率耗散为0.5W,适合便携式设备。
    - 高增益:前向电流转移比高达120,适用于各种放大和开关电路。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业控制:可用于电机控制、传感器接口等。
    - 通信设备:适用于高频信号放大和调制解调器。
    - 计算机系统:用于接口驱动和电源管理。
    使用建议:
    - 在高频应用中,注意散热设计以避免过热。
    - 在低温环境下,确保电源稳定并适当调整电路参数。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该晶体管可与多种电路板和插槽兼容,具体细节参见手册附录。
    - 支持:Microsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档、技术咨询和现场服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管在高温下出现性能下降。
    - 解决方案:检查散热设计并增加散热片。

    - 问题2:晶体管在低温下无法正常工作。
    - 解决方案:检查电源电压稳定性,并考虑使用稳压电路。

    - 问题3:晶体管开启和关闭时间不稳定。
    - 解决方案:检查外部电路并调整相关电阻和电容值。

    7. 总结和推荐


    该NPN硅开关晶体管凭借其高可靠性、宽温度范围和低功耗等特点,在各种应用场景中表现出色。我们强烈推荐使用该产品,尤其是在需要高可靠性和宽温度范围的应用中。
    如有任何疑问或需要更多技术支持,请联系Microsemi公司的客户服务团队。

2N2222Ae3参数

参数
集电极电流 800mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 50nA
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 1@ 50mA,500mA
通用封装 TO-18,TO-206AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

2N2222Ae3厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

2N2222Ae3数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) MICROCHIP TECHNOLOGY 2N2222Ae3 2N2222Ae3数据手册

2N2222Ae3封装设计

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