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2N1613

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 800mW 7V 10nA 75V 30V 500mA TO-205AD,TO-39 通孔安装
供应商型号: UA-2N1613
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) 2N1613

2N1613概述

    NPN Low-Power Silicon Transistor 技术手册解析
    Microsemi公司最新推出的NPN低功率硅晶体管是一款高性能、高可靠性的电子元器件,广泛应用于各种电子系统和电路设计中。本文将从产品介绍、技术参数、产品特点和优势、应用案例和使用建议、兼容性和支持、常见问题与解决方案以及总结和推荐七个方面对该产品进行深入分析。

    1. 产品简介


    该产品为NPN低功率硅晶体管,主要型号包括2N718A、2N1613、JAN、JANTX、JANTXV。这些晶体管被广泛应用于放大器、开关、射频和数字电路中,是许多电子设备的核心组件。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \(V{CEO}\): 30 Vdc
    - 集电极-基极电压 \(V{CBO}\): 75 Vdc
    - 发射极-基极电压 \(V{EBO}\): 7.0 Vdc
    - 集电极电流 \(IC\): 500 mAdc
    - 结温范围 \(T{J}, T{stg}\): -65 to +200°C
    - 功率耗散
    - 在环境温度 \(TA = +25°C\) 下: 0.5 W (2N718A),0.8 W (2N1613, L)
    - 在结温 \(TC = +25°C\) 下: 1.8 W (2N718A),3.0 W (2N1613, L)
    - 电气特性
    - 电流增益 \(h{FE}\):
    - 在不同条件下,范围为20到120。
    - 饱和电压:
    - \(V{CE(sat)}\): 1.5 Vdc
    - \(V{BE(sat)}\): 1.3 Vdc
    - 动态特性:
    - 小信号前向电流增益 \(|h{fe}|\): 3.0 至 150
    - 小信号短路输入阻抗 \(h{ib}\): 4.0 至 8.0 Ω
    - 输出电容 \(C{obo}\): 25 pF

    3. 产品特点和优势


    该NPN低功率硅晶体管具备以下特点和优势:
    - 高可靠性:满足MIL-PRF-19500/181标准,适用于恶劣环境。
    - 高电流增益:在多种工作条件下,电流增益范围广泛,适合不同的应用需求。
    - 低饱和电压:饱和电压低,有助于提高电路效率。
    - 宽工作温度范围:-65至+200°C的工作温度范围,适合各种极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册提供的信息,该晶体管广泛应用于放大器、开关电路、射频电路和数字电路中。例如,在无线通信系统中作为射频开关,或者在模拟电路中作为放大器。
    使用建议:
    - 散热管理:由于功率耗散较高,建议在高温环境下使用时进行良好的散热管理。
    - 选择合适的封装:根据具体应用需求选择适当的封装(如TO-18、TO-39或TO-5)以适应不同的安装要求。
    - 优化电路布局:确保电路设计合理,避免过高的电压和电流导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    该晶体管具有良好的兼容性,可与多种其他电子元器件和设备配合使用。Microsemi公司提供了详尽的技术支持和维护服务,包括故障诊断、更换指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册中的信息,常见的问题及解决方案如下:
    - 问题: 高温环境下过热损坏
    - 解决办法: 使用散热片或风扇加强散热,确保工作温度在安全范围内。

    - 问题: 电流不稳定
    - 解决办法: 检查电源稳定性和负载情况,必要时添加滤波电容或稳压器。
    - 问题: 开关时间较长
    - 解决办法: 优化驱动电路设计,降低驱动电阻,增加驱动电流。

    7. 总结和推荐


    总结来看,这款NPN低功率硅晶体管凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用性,在众多应用中表现出色。特别是在恶劣环境中,其出色的耐温特性和高电流增益使其成为理想的选择。总体而言,强烈推荐这一款产品给需要高性能电子元器件的应用领域。

2N1613参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 500mA
晶体管类型 NPN
配置 -
集电极截止电流 10nA
最大功率耗散 800mW
VCBO-最大集电极基极电压 75V
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 15mA,150mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

2N1613厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

2N1613数据手册

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2N1613封装设计

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