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RN2301

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 100mW 50V 100mA 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: SEU-RN2301
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 三极管(BJT) RN2301

RN2301概述

    # Toshiba RN2301~RN2306 PNP Transistors: Technical Overview

    1. 产品简介


    基本介绍
    Toshiba 的 RN2301~RN2306 系列是硅基双极型晶体管,采用外延工艺制造(PCT 工艺),内部集成了偏置电阻,适用于开关、逆变电路、接口电路及驱动电路等多种应用场合。
    主要功能
    - 内置偏置电阻:简化电路设计,减少元器件数量。
    - 兼容性好:与 RN1301~RN1306 系列互补,适合多种应用需求。
    应用领域
    - 开关电路
    - 逆变电路
    - 接口电路
    - 驱动电路

    2. 技术参数


    绝对最大额定值(Ta=25℃)
    | 特性 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-基极电压 | VCBO | -50 | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | -50 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | -5 | V |
    | 集电极电流 | IC | -100 | mA |
    | 集电极耗散功率 | PC | 100 | mW |
    | 结温 | Tj | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 to 150 | °C |
    电气特性(Ta=25℃)
    | 特性 | 符号 | 测试电路 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极截止电流 | ICBO VCB=-50V, IE=0 -100 | μA |
    | 发射极截止电流 | ICEO VCE=-50V, IB=0 -500 | nA |
    | 输入电压(ON) | VI (ON) VCE=-0.2V, IC=-5mA | -0.7 -1.3 | V |
    | 输入电压(OFF) | VI (OFF) VCE=-5V, IC=-0.1mA | -0.5 -0.8 | V |
    | 转换频率 | fT VCE=-10V, IC=-5mA 200 | MHz |
    | 集电极输出电容 | Cob VCB=-10V, IE=0 | f=1MHz 3 | 6 | pF |

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 内置偏置电阻:简化电路设计,减少外部元器件。
    - 广泛的应用场景:适用于开关、逆变电路、接口电路和驱动电路等多种应用场景。
    - 高可靠性:尽管在极端条件下使用可能会导致可靠性下降,但只要使用得当,这些晶体管具有很高的可靠性和稳定性。
    - 易于集成:与同类产品兼容,如 RN1301~RN1306 系列,便于工程师进行设计。

    4. 应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 开关电路:可用于电源管理电路中的开关控制。
    - 逆变电路:作为功率逆变的关键组件。
    - 接口电路:用于信号处理和传输。
    - 驱动电路:驱动马达和其他需要大电流控制的设备。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保负载电流不超过额定值。
    - 注意温度变化对晶体管性能的影响,尽量保持温度在规定的范围内。
    - 为了提高可靠性,参考 TOSHIBA 半导体可靠性手册中的降额概念和方法。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 与 RN1301~RN1306 系列兼容,适合不同应用场景的需求。
    - 可以与各种标准电子元器件和系统配合使用。
    支持和服务
    - 详细的可靠性数据和测试报告,可在 TOSHIBA 官方网站下载。
    - 提供客户支持和售后服务,确保用户能够顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    - 电路设计复杂度高。
    - 晶体管在高温下表现不稳定。
    解决方案
    - 利用内置偏置电阻简化电路设计。
    - 通过参考手册中的降额概念,合理选择工作条件,避免在极端温度下使用。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    - 主要优点:内置偏置电阻简化电路设计,广泛的应用场景,良好的可靠性和广泛的兼容性。
    - 推荐使用:强烈推荐在需要高性能、高稳定性的电子设备中使用这些晶体管。通过合理的电路设计和使用条件,这些器件可以提供出色的性能和可靠性。
    希望以上内容能帮助您更好地理解和使用 Toshiba 的 RN2301~RN2306 系列晶体管。

RN2301参数

参数
配置 -
晶体管类型 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 0.25mA @ 5mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 100mW
集电极截止电流 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
安装方式 贴片安装

RN2301厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

RN2301数据手册

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TOSHIBA 三极管(BJT) TOSHIBA RN2301 RN2301数据手册

RN2301封装设计

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