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STTA112U

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 1.2KV 20A 115ns 10μA 1A 独立式 SMB(DO-214AA) 贴片安装
供应商型号: CSCS-STTA112U
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 整流二极管/整流桥 STTA112U

STTA112U概述

    # TURBOSWITCH Ultra-Fast High Voltage Diode: Comprehensive Overview

    产品简介


    TURBOSWITCH 是 STMicroelectronics 的商标,它是一款专门用于消弧(snubbing)或钳位(clamping)、去磁(demagnetization)和整流(rectification)操作的超快速恢复二极管。这些特性使其非常适合于高电压操作中的高频率和低损耗需求。此外,由于其出色的开关性能,TURBOSWITCH 可以显著减少与之关联的IGBT或MOSFET在自由轮模式下的功率损失。TURBOSWITCH 特别适用于电机控制电路和开关电源(SMPS)的一次侧作为消弧、钳位或去磁二极管。在二次侧,它们也可以作为高压整流二极管使用。

    技术参数


    主要电气特性
    - 重复峰值反向电压 (VRRM):1200 V
    - 最大正向电压降 (VF):1.5 V (Tj = 25°C)
    - 典型反向恢复时间 (trr):65 ns (Tj = 25°C)
    - 最大平均正向电流 (IF(AV)):1 A
    - 最大正向重复峰值电流 (IFRM):10 A (tp = 5 μs, F = 5 kHz 方波)
    - 最大非重复正向浪涌电流 (IFSM):20 A (tp = 10 ms 正弦波)
    - 最大储存温度范围 (Tstg):-65°C 至 +150°C
    - 最大工作结温 (Tj):125°C
    静态电气特性
    - 正向电压降 (VF):1.1 V (Tj = 25°C)
    - 最大反向漏电流 (IR):300 μA (Tj = 125°C)
    - 阈值电压 (Vto):1.15 V (Ip < 3 × IF(AV),Tj = 125°C)
    - 动态电阻 (Rd):350 mΩ
    动态电气特性
    - 反向恢复时间 (trr):65 ns (Tj = 25°C)
    - 最大恢复电流 (IRM):1.8 A (Tj = 125°C)
    - 软度因子 (S):0.7 (Tj = 125°C)

    产品特点和优势


    1. 超快软恢复特性:TURBOSWITCH 具有超快且平滑的恢复时间,可在高频和高脉冲电流操作中提供极低的整体损耗。
    2. 低损耗:无论是在二极管还是伴生的IGBT或MOSFET上,TURBOSWITCH 都能实现非常低的总体功率损耗。
    3. 高频率操作能力:能够支持高达1200V的反向电压,非常适合高频率应用。
    4. 优异的热稳定性:即使在-65°C到+150°C的宽广温度范围内也能保持稳定的工作性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机控制电路:利用其快速恢复特性,减少能量损耗,提高效率。
    - 开关电源(SMPS):作为一次侧的消弧、钳位或去磁二极管,减少噪声和瞬变。
    - 二次侧的高压整流二极管:在SMPS的输出端提供高效的整流。
    使用建议
    - 温度管理:确保在高温环境下使用时能够有效散热,防止过热。
    - 保护电路设计:结合使用合适的缓冲电路和滤波器,以进一步降低噪音和改善整体性能。

    兼容性和支持


    TURBOSWITCH 系列二极管具有良好的兼容性,可与其他常见的IGBT和MOSFET配合使用。STMicroelectronics 提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的电气特性和机械数据表,以及在线资源和客户支持团队。

    常见问题与解决方案


    问题一:反向恢复电流过高
    - 解决方案:选择合适的缓冲电路或外部电感,以限制电流冲击。
    问题二:工作温度范围有限
    - 解决方案:使用适当的散热片和风扇来增加热耗散,确保器件在极端温度下正常工作。

    总结和推荐


    综上所述,TURBOSWITCH 1200V 二极管在高频和高脉冲电流操作中表现出色,尤其适合应用于需要低损耗和快速恢复的场景。它的卓越性能和广泛的应用范围使其在市场上具有很高的竞争力。鉴于其优异的功能和性能,强烈推荐将其用于需要高效能和低损耗的电力电子系统中。

STTA112U参数

参数
配置 独立式
If - 正向电流 1A
Ir - 反向电流 10μA
Vr-反向电压 1.2KV
反向恢复时间 115ns
正向浪涌电流 20A
4.6mm(Max)
3.95mm(Max)
2.45mm(Max)
通用封装 SMB(DO-214AA)
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

STTA112U厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STTA112U数据手册

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STTA112U封装设计

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