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2ST501T

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 1.5V@ 2mA,2A NPN - Darlington 100W 5V 100μA 350V 4A TO-220 通孔安装
供应商型号: AST-2ST501T
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) 2ST501T

2ST501T概述

    2ST501T 高压 NPN 功率晶体管

    产品简介


    2ST501T 是一款高压 NPN 硅晶体管,采用特殊达林顿结构(monolithic special Darlington configuration),封装在 Jedec TO-220 塑料封装中。这种类型的晶体管适用于驱动电磁阀、继电器和电机等场合。

    技术参数


    2ST501T 的技术参数如下:
    - 集电极-发射极电压 (VCES):500V (VBE = 0)
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):350V (IB = 0)
    - 发射极-基极电压 (VEBO):5V (IC = 0)
    - 集电极电流 (IC):4A
    - 集电极峰值电流 (ICM):8A (tp < 5ms)
    - 基极电流 (IB):0.5A
    - 基极峰值电流 (IBM):2.5A (tp < 5ms)
    - 总耗散功率 (Ptot):100W (TC = 25°C)
    - 存储温度 (Tstg):-65°C 至 150°C
    - 最大工作结温 (TJ):150°C
    热阻参数:
    - 结-壳热阻 (Rthj-case):最大 1.25°C/W
    电气特性:
    - 集电极截止电流 (ICES):VCE = 500V 时为 100mA
    - 集电极截止电流 (ICEO):VCE = 350V 时为 100mA
    - 发射极截止电流 (IEBO):VEB = 5V 时为 10mA
    - 保持电压 (VCEO(sus)):IB = 0 时为 350V
    - 饱和电压 (VCE(sat)):IC = 2A, IB = 2mA 时为 1.5V
    - 饱和电压 (VBE(sat)):IC = 2A, IB = 2mA 时为 2V
    - 直流电流增益 (hFE):IC = 2A, VCE = 2V 时为 2000

    产品特点和优势


    2ST501T 拥有以下显著特点和优势:
    - 高电压耐受能力:集电极-发射极电压高达 500V,适合高压应用环境。
    - 鲁棒的双极技术:采用非常坚固的双极技术,确保可靠性和耐用性。
    - 高电流增益:直流电流增益高达 2000,使得小信号输入能够驱动大负载。
    - 高可靠性:能够在宽泛的工作温度范围内(-65°C 至 150°C)稳定运行。

    应用案例和使用建议


    2ST501T 广泛应用于各种驱动电路中,例如:
    - 驱动电磁阀:用于控制阀门的开关操作。
    - 驱动继电器:用于控制电路的接通和断开。
    - 驱动电机:用于控制电动机的速度和方向。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其高功率耗散,应考虑良好的散热设计,以确保晶体管在高负载下正常运行。
    - 保护措施:在应用中添加适当的保护电路,如限流电阻和续流二极管,防止瞬态电流对晶体管造成损害。

    兼容性和支持


    2ST501T 与大多数标准 TO-220 封装兼容,便于替换其他类似规格的晶体管。STMicroelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题1:过高的集电极电流导致过热。
    - 解决方案:增加散热片,或使用外部风扇进行强制冷却。
    - 问题2:饱和电压过高。
    - 解决方案:调整驱动信号的幅值和频率,以减少饱和损耗。
    - 问题3:直流电流增益不稳定。
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,且确保足够的基极驱动电流。

    总结和推荐


    综上所述,2ST501T 是一款高性能的高压 NPN 功率晶体管,适用于各种高压驱动应用。其高电压耐受能力和稳定的电流增益使其在工业和汽车等领域具有广泛的应用前景。因此,强烈推荐使用这款产品,特别是对于需要高可靠性、高耐压的场合。

2ST501T参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 2mA,2A
最大功率耗散 100W
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 2mA,2A
晶体管类型 NPN - Darlington
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 350V
集电极截止电流 100μA
配置 独立式
集电极电流 4A
VCBO-最大集电极基极电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

2ST501T厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

2ST501T数据手册

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STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) STMICROELECTRONICS 2ST501T 2ST501T数据手册

2ST501T封装设计

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