处理中...

首页  >  产品百科  >  2N6547

2N6547

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: NPN 175W 9V 1mA 850V 400V 15A TO-3 底座安装 39.5mm*26.2mm*8.7mm
供应商型号: AMS-2N6547
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) 2N6547

2N6547概述

    2N6547 高功率 NPN 硅晶体管技术手册

    产品简介


    2N6547 是一种由 STMicroelectronics 生产的高功率 NPN 硅晶体管。它特别适用于开关模式电源供应器、反激式和前向单晶体管低功率转换器等领域。2N6547 晶体管采用多层外延台面结构设计,具有快速开关速度,能够承受高压和大电流的能力,使其非常适合用于工业级和高可靠性应用。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - Collector-Emitter 电压 (RBE = 50Ω): 850 V
    - Collector-Emitter 电压 (VBE = 0): 850 V
    - Collector-Emitter 电压 (IB = 0): 400 V
    - Emitter-Base 电压 (IC = 0): 9 V
    - Collector 电流: 15 A
    - Collector 峰值电流: 30 A
    - Base 电流: 4 A
    - Base 峰值电流: 20 A
    - 总耗散功率 (Tc = 25°C): 175 W
    - 存储温度范围: -65°C 至 200°C
    - 最大操作结温: 200°C
    - 热阻
    - 结壳热阻 (最大值): 1 °C/W
    - 电气特性
    - Collector 切断电流 (VBE = 0): 1 mA @ VCE = 850 V, Tc = 100°C
    - Collector 切断电流 (RBE = 10Ω): 5 mA @ VCE = 850 V, Tc = 100°C
    - Emitter 切断电流 (IC = 0): 1 mA @ VEB = 9 V
    - Collector-Emitter 维持电压 (IB = 0): 400 V @ IC = 100 mA, L = 25 mH
    - Collector-Emitter 饱和电压:
    - IC = 10 A, IB = 2 A: 1.5 V @ Tc = 100°C
    - IC = 15 A, IB = 3 A: 2.5 V @ Tc = 100°C
    - IC = 10 A, IB = 2 A: 2.5 V @ Tc = 100°C
    - Base-Emitter 饱和电压:
    - IC = 10 A, IB = 2 A: 1.6 V @ Tc = 100°C
    - IC = 10 A, IB = 2 A: 1.6 V @ Tc = 100°C
    - DC 电流增益 (IC = 5 A, VCE = 2 V): 12
    - DC 电流增益 (IC = 10 A, VCE = 2 V): 6 至 30
    - 转换频率 (IC = 0.5 A, VCE = 10 V): 6 至 24 MHz

    产品特点和优势


    2N6547 晶体管的主要优势在于其高电压和高电流能力、快速开关速度以及良好的温度稳定性。这些特点使得它特别适合用于开关电源和其他工业应用,能够提供高效稳定的电力转换效果。此外,它在恶劣的工作环境下依然能够保持优异的性能,增加了产品的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    2N6547 晶体管广泛应用于各种开关模式电源供应器和逆变器中。例如,在一个单相开关电源中,2N6547 可以用于主开关,实现高效电能转换。在使用过程中,建议注意以下几点:
    - 在高温环境下工作时,需要确保散热措施得当,避免过热损坏。
    - 在选择驱动电路时,确保有足够的驱动电流来保证晶体管的快速开通和关断。
    - 定期检测晶体管的温度和电流,及时发现并处理潜在问题。

    兼容性和支持


    2N6547 晶体管与市场上常见的电源转换器和其他电子设备高度兼容,方便集成到现有的系统中。STMicroelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括技术文档、样品申请和故障排除服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管发热严重
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,确保良好的散热。同时,检查驱动电路是否提供了足够的驱动电流,必要时可以考虑使用外部散热器。
    2. 问题:晶体管无法正常导通
    - 解决方案:检查输入电压和驱动信号是否正常,确认基极和发射极之间的连接是否良好。如果驱动信号存在问题,尝试更换驱动电路或调整驱动参数。
    3. 问题:晶体管饱和电压过高
    - 解决方案:检查负载电阻是否匹配,适当调整基极电流,确保晶体管处于最佳工作状态。如果需要进一步优化,可以考虑调整驱动电路的设计。

    总结和推荐


    综上所述,2N6547 高功率 NPN 硅晶体管凭借其卓越的电气特性和广泛的适用性,成为开关电源和工业应用中的理想选择。其出色的高电压和高电流承受能力,以及快速的开关速度,使其在多个行业中展现出强大的竞争力。我们强烈推荐使用该产品,特别是在对性能和可靠性要求较高的应用环境中。

2N6547参数

参数
最大功率耗散 175W
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
集电极电流 15A
集电极截止电流 1mA
最大集电极发射极饱和电压 5V@ 3A,15A
VEBO-最大发射极基极电压 9V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 NPN
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 850V
长*宽*高 39.5mm*26.2mm*8.7mm
通用封装 TO-3
安装方式 底座安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

2N6547厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

2N6547数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) STMICROELECTRONICS 2N6547 2N6547数据手册

2N6547封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 13.716 ¥ 115.2144
100+ $ 13.584 ¥ 114.1056
500+ $ 13.512 ¥ 113.5008
999+ $ 13.44 ¥ 112.896
库存: 2
起订量: 37 增量: 1
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2694.1015
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 202.4755
2N2222AUB ¥ 299.5964
2N2222AUB ¥ 0