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JANTXV1N5648A

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 1.5KW 200A 59.3V 40.9V 通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SENSITRON SEMICONDUCTOR TVS二极管/ESD抑制器 JANTXV1N5648A

JANTXV1N5648A概述

    半导体瞬态电压抑制二极管(TVS二极管)技术手册



    产品简介



    本手册涵盖了1500瓦硅基瞬态电压抑制(Transient Voltage Suppressor, TVS)二极管的技术规范,具体涵盖型号为1N5555至1N5558,1N5907,以及1N5629A至1N5665A系列的各类硅二极管。这些器件专为广泛的应用领域设计,如军事、航空航天及工业自动化等领域。这类二极管在遭遇瞬态过电压时能够有效地保护电路免受损害。


    技术参数



    下表列出了本产品系列的主要技术规格:

    | 类型 | 突破电压 (VBR) | 工作峰值反向电压 (VWM) | 最大待机电流 (ID) | 最大钳位电压 (VC) | 最大峰值脉冲电流 (IPP) | 温度系数 (αVBR) | 高温 (TA = +125°C) 待机电流 (ID) | 最小击穿电压 (TA = -55°C) |
    |--------------|-------------|---------------------|---------------|-----------------|------------------|-------------|--------------------------|----------------------|
    | 1N5907 | 6.00 - 6.75 | 5.00 | 300 | 10.0 | 1,000 | 0.057 | 1,500 | 5.63 |
    | 1N5629A | 6.45 - 7.14 | 5.80 | 1,000 | 10.5 | 810 | 0.057 | 4,000 | 6.05 |

    其中,最大允许功率损耗(PPP)为1500W(@ tp = 1.0 ms),最大平均功率损耗(PM(AV))按温度每上升1℃功率降额6.67mW以上,最大瞬态电流(IFSM)为200A(@ tp = 8.3 ms,TA = +25°C)。工作环境温度范围为-55°C 至 +175°C。


    产品特点和优势



    此类瞬态电压抑制二极管具备以下优势:
    - 高可靠性:采用金属绑定构造,确保高度可靠;
    - 卓越性能:能够在极端条件下保持稳定的性能;
    - 广泛的适用性:覆盖多种型号以满足不同应用需求;
    - 环境适应性强:能在极端温度下保持稳定。


    应用案例和使用建议



    此类二极管广泛应用于通信设备、汽车电子、工业控制等领域。例如,在电力系统中用于电路保护,确保关键组件在过电压条件下得到保护。建议根据应用的具体需求选择适当的型号,并考虑在电路设计中添加合适的散热措施以保证长期稳定运行。


    兼容性和支持



    目前暂无明确的其他兼容信息,但通常这类器件能良好地与其他标准电子组件集成。制造商提供详尽的支持文档和技术服务,用户可通过官方渠道获取更多帮助。


    常见问题与解决方案



    1. 问题: 设备无法正常工作。
    - 解决方案: 检查连接线路是否正确安装,并确认供电电压是否符合要求。

    2. 问题: 出现异常温度升高。
    - 解决方案: 确保设备处于良好的通风环境中,并按照建议进行散热处理。


    总结和推荐



    综上所述,此类瞬态电压抑制二极管以其出色的性能和广泛的适用性,在多种复杂环境下都能提供可靠的保护作用。强烈推荐在需要保护电路免受瞬态过电压影响的应用场景中使用。通过遵循手册中的指导,用户可以最大限度地发挥其性能并确保设备的长期稳定运行。

JANTXV1N5648A参数

参数
击穿电压 40.9V
峰值脉冲电流 200A
峰值脉冲功率 1.5KW
极性 -
工作电压 -
箝位电压 59.3V
9.07mm(Max)
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

JANTXV1N5648A厂商介绍

Sensitron Semiconductor是一家全球领先的半导体制造商,专注于设计、开发和生产高性能的半导体产品。公司的产品线涵盖了多种半导体器件,包括二极管、晶体管、MOSFET、IGBT等,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、通信设备等领域。

Sensitron Semiconductor的产品主要分为以下几类:
1. 二极管:包括肖特基二极管、整流二极管、稳压二极管等,广泛应用于电源管理、信号处理等领域。
2. 晶体管:包括双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),用于放大、开关等应用。
3. MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管,用于电源管理、电机控制等。
4. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率、高频率的应用,如电动汽车、太阳能逆变器等。

Sensitron Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供全方位的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 供应链管理:高效的供应链体系,确保产品的快速交付和成本优势。

JANTXV1N5648A数据手册

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