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HGTP5N120BND

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 167W 2.45V 独立式withbuilt-indiode 2.7V@ 15V,5A 21A 通孔安装
供应商型号: HGTP5N120BND
供应商: 云汉优选
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 HGTP5N120BND

HGTP5N120BND概述


    产品简介


    HGTG5N120BND 和 HGTP5N120BND 产品概述
    HGTG5N120BND 和 HGTP5N120BND 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道非穿通(NPT)系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这些器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通损耗,非常适合用于各种高电压开关应用,如交流和直流电机控制、电源供应和电磁阀、继电器和接触器的驱动器。
    主要功能和应用领域
    - 主要功能:这些 IGBT 具备高输入阻抗和低导通损耗的特点,适用于需要低导通损耗的高电压开关场合。
    - 应用领域:
    - 交流和直流电机控制
    - 电源供应
    - 电磁阀、继电器和接触器的驱动器

    技术参数


    以下是根据技术手册整理出的关键技术参数:
    - 基本参数
    - 集电极到发射极电压 (BVCES): 1200V
    - 集电极连续电流(在 25°C 时): 21A;(在 110°C 时): 10A
    - 集电极脉冲电流 (ICM): 40A
    - 门极到发射极电压(连续): ±20V
    - 门极到发射极电压(脉冲): ±30V
    - 热阻 (RθJC): IGBT: 0.75°C/W;二极管: 1.75°C/W
    - 电气特性
    - 门极到发射极阈值电压 (VGE(TH)): 6.0 - 6.8V
    - 门极到发射极漏电流 (IGES): ±250nA
    - 开启时间延迟 (td(ON)): 22 - 25ns
    - 上升时间 (tr): 15 - 20ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)): 160 - 180ns
    - 落时间 (tf): 130 - 160ns
    - 开启能量损耗 (EON): 450 - 600μJ
    - 关断能量损耗 (EOFF): 390 - 450μJ
    - 其他特性
    - 门极到发射极饱和电压 (VGE): 2.45 - 2.7V(25°C)
    - 门极到发射极平台电压 (VGEP): 10.5V
    - 正向电压 (VEC): 2.70 - 3.50V
    - 反向恢复时间 (trr): 50 - 65ns

    产品特点和优势


    - 高效能:该产品具有低导通损耗和高频率开关能力,特别适合于高频开关应用。
    - 高可靠性:经过严格测试,能够在极端环境下稳定工作。
    - 多功能:适用于多种工业和消费级应用,如电机控制和电源管理。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HGTG5N120BND 和 HGTP5N120BND 在许多工业应用中表现良好,例如在汽车电池充电器中作为高功率逆变器的一部分,提供高效的能量转换。
    使用建议
    - 温度管理:由于其热阻较高,建议使用散热器以确保长期稳定性。
    - 信号处理:确保使用适当的门极驱动电路来防止过压和过流现象。

    兼容性和支持


    兼容性
    这些 IGBT 器件可以与其他标准工业组件无缝集成。它们具备高输入阻抗,使得与其他集成电路的兼容性变得容易。
    支持
    ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和指南,帮助用户进行安装和调试。如有问题,请联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:启动时出现不稳定现象。
    - 解决办法:检查门极驱动电压是否符合要求,确保使用合适的门极电阻。

    2. 问题:发热严重。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热器或散热片。

    总结和推荐


    综上所述,HGTG5N120BND 和 HGTP5N120BND 作为高性能的 NPT IGBT,在高电压开关应用中表现出色。它们的低导通损耗和高可靠性使其成为市场上颇具竞争力的产品。对于需要高效能和稳定性的应用,我们强烈推荐使用此款 IGBT。
    请访问 [ON Semiconductor 官网](http://www.onsemi.com) 获取更多详细信息和支持。

HGTP5N120BND参数

参数
配置 独立式withbuilt-indiode
集电极电流 21A
最大功率耗散 167W
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.7V@ 15V,5A
最大集电极发射极饱和电压 2.45V
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

HGTP5N120BND厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HGTP5N120BND数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR HGTP5N120BND HGTP5N120BND数据手册

HGTP5N120BND封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 9.1813
1600+ ¥ 8.6671
3200+ ¥ 8.5202
6400+ ¥ 8.3733
库存: 2400
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 7345.04
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