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FGH75T65SHDTLN4

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 455W 1.6V 独立式 650V 150A TO-247-4 通孔安装
供应商型号: FL-FGH75T65SHDTLN4
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGH75T65SHDTLN4

FGH75T65SHDTLN4概述

    FGH75T65SHDTLN4 IGBT 技术手册解析

    1. 产品简介


    FGH75T65SHDTLN4 是一款采用第三代场终止技术的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备、通信系统、储能系统(ESS)和功率因数校正(PFC)等多种应用场合。这种IGBT提供了出色的低导通损耗和开关损耗,确保在高效率运行下仍能保持良好的性能。

    2. 技术参数


    - 最大结温:TJ = 175°C
    - 正温度系数:易于并联操作
    - 高电流能力
    - 饱和电压:VCE(Sat) = 1.6 V (典型值) @ IC = 75 A
    - 所有零件经过ILM测试
    - 高输入阻抗
    - 快速开关
    - 紧密的参数分布
    - 无铅且符合RoHS标准
    - 不推荐回流焊和全包浸
    最大额定值(TJ = 25°C):
    - 集电极到发射极电压:VCES = 650 V
    - 栅极到发射极电压:VGES = ±20 V
    - 脉冲集电极最大电流:ILM = 300 A
    - 最大功耗:PD = 455 W (TJ = 25°C), PD = 227 W (TJ = 100°C)
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, TSTG = -55°C 至 +175°C
    - 焊接最大引脚温度:TL = 300°C
    热阻特性:
    - 结至外壳热阻:RθJC(IGBT) = 0.33°C/W
    - 结至外壳热阻:RθJC(二极管) = 0.65°C/W
    - 结至环境热阻:RθJA = 40°C/W
    电气特性(TJ = 25°C):
    - 集电极-发射极击穿电压:BVCES = 650 V
    - 正向电压:VF = 1.8 V (典型值) @ IF = 75 A
    - 反向恢复时间:trr = 36 ns (TJ = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 高效性能:采用第三代场终止技术,提供低导通损耗和开关损耗。
    - 可靠性强:所有零件均经过ILM测试,确保稳定性。
    - 宽工作温度范围:最高结温达到175°C,适用于严苛环境。
    - 易于并联:具有正温度系数,便于多模块并联使用。
    - 环保材料:无铅且符合RoHS标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器:用于转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,可有效降低损耗。
    - 不间断电源(UPS):提供可靠的电力保护,确保关键设备在停电时仍能正常运行。
    - 焊接设备:可用于高频焊接设备,提高焊接质量和效率。
    - 通信系统:提供稳定的电源输出,确保通信设备的正常运行。
    - 储能系统(ESS):适用于能量存储和分配系统,提高能源利用率。
    - 功率因数校正(PFC):减少无功功率,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在使用过程中需注意散热管理,以避免过热损坏。
    - 确保合适的门极驱动信号,以实现最佳的开关性能。
    - 对于高动态负载的应用,应适当调整门极电阻以优化切换特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此IGBT与其他制造商的同类产品相比,具有较高的通用性和互换性。
    - 支持服务:ON Semiconductor 提供全面的技术文档和支持,包括详细的安装指南、电气特性表和软件工具。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决办法:检查冷却系统是否正常工作,确保设备工作在推荐的工作温度范围内。
    - 问题2:设备在高电流下出现过热现象。
    - 解决办法:增加散热片或外部冷却系统,以改善散热效果。
    - 问题3:设备启动时存在延迟。
    - 解决办法:检查门极驱动电路,确保正确的驱动信号和门极电阻设置。

    7. 总结和推荐


    FGH75T65SHDTLN4 是一款性能优异、可靠性高的IGBT产品,适合多种应用场合。其低导通损耗和开关损耗使其成为高性能应用的理想选择。在设计和安装过程中,用户应注意适当的散热管理和合适的门极驱动信号设置。总的来说,推荐在需要高效、稳定电源输出的场合使用此产品。

FGH75T65SHDTLN4参数

参数
最大功率耗散 455W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 1.6V
配置 独立式
集电极电流 150A
通用封装 TO-247-4
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

FGH75T65SHDTLN4厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGH75T65SHDTLN4数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR FGH75T65SHDTLN4 FGH75T65SHDTLN4数据手册

FGH75T65SHDTLN4封装设计

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