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FGH40N60UFDTU

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi IGBT, 最大 600 V, 最大 80 A
供应商型号: FGH40N60UFDTU
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGH40N60UFDTU

FGH40N60UFDTU概述

    FGH40N60UFD 技术手册:600V、40A IGBT 详解

    产品简介


    FGH40N60UFD 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能场截止 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用了先进的场截止技术。这款 IGBT 特别适用于太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、焊接设备、功率因数校正 (PFC)、微波炉、电信设备以及储能系统 (ESS) 等应用场合。其高电流承载能力、低饱和电压、高输入阻抗和快速开关性能使其在多种电力转换和控制场景中表现出色。

    技术参数


    - 额定参数:
    - 集电极-发射极电压 (VCES): 600 V
    - 集电极电流 (IC): TC = 25°C 时 80 A,TC = 100°C 时 40 A
    - 脉冲集电极电流 (ICM): 120 A (TC = 25°C)
    - 最大功耗 (PD): TC = 25°C 时 290 W,TC = 100°C 时 116 W
    - 最大结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最大存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 最大引脚焊接温度 (TL): 300°C(1/8" 远离外壳)
    - 电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCES): 600 V
    - 发射极-门极泄漏电流 (IGES): ±400 nA
    - 饱和电压 (VCE(sat)): IC = 40 A, VGE = 15 V 时 1.8 V(TC = 125°C 时 2.0 V)
    - 输入电容 (Cies): 2110 pF(VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coes): 200 pF
    - 开关时间 (Td(on), Tr): TC = 25°C 时分别 24 ns 和 44 ns(TC = 125°C 时分别为 24 ns 和 45 ns)

    产品特点和优势


    1. 高电流承载能力: FGH40N60UFD 的高电流承载能力确保了在高功率应用中的稳定表现。
    2. 低饱和电压: 饱和电压为 1.8 V,有效降低能量损耗。
    3. 快速开关: 具备出色的开关速度,适用于高频应用。
    4. 高输入阻抗: 适合直接驱动或与现有电路无缝集成。
    5. 无铅且符合RoHS标准: 满足环保要求,适用于多种应用环境。

    应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器: 在太阳能发电系统中,IGBT 的高效开关性能可以提高能源转换效率。
    - 不间断电源 (UPS): 在电源保护设备中,低饱和电压和高开关频率有助于减少能量损失。
    - 焊接设备: 高电流承载能力和快速开关特性使得焊接过程更加高效稳定。
    - 微波炉: 快速开关特性提高了微波炉的工作效率。
    使用建议:
    - 使用合适的散热措施以避免过热,例如加装散热片。
    - 在高温环境下使用时,考虑增加散热能力或选择散热更好的封装。
    - 尽量保持引脚焊接温度不超过极限值。

    兼容性和支持


    FGH40N60UFD 可以与其他需要高压、高电流和高频操作的电子元器件和设备兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热
    - 解决方案: 增加散热装置或检查电路设计,确保良好的散热条件。
    - 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查门极电阻值,适当减小门极电阻可以提高开关速度。
    - 问题: 饱和电压过高
    - 解决方案: 检查门极电压是否达到 15 V,必要时增加门极驱动电压。

    总结和推荐


    总体来看,FGH40N60UFD 是一款非常优秀的 IGBT,具有高电流承载能力、低饱和电压、快速开关和高输入阻抗等特点。它特别适用于太阳能逆变器、不间断电源、焊接设备等高功率应用场合。如果您的应用需求符合这些特性,我强烈推荐使用这款产品。同时,制造商提供的全面支持和详尽文档也为用户的使用提供了充分的保障。

FGH40N60UFDTU参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.8V
配置 独立式
集电极电流 80A
最大功率耗散 290W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
长*宽*高 15.62mm*4.7mm*24.38mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FGH40N60UFDTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGH40N60UFDTU数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU数据手册

FGH40N60UFDTU封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 17.0559
450+ ¥ 16.6466
900+ ¥ 16.1008
1800+ ¥ 15.8279
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起订量: 10 增量: 450
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