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FGB40N60SM

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi IGBT, 最大 600 V, 最大 80 A
供应商型号: FL-FGB40N60SM
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGB40N60SM

FGB40N60SM概述

    FGB40N60SM 600 V, 40 A Field Stop IGBT

    产品简介


    FGB40N60SM 是一款由Fairchild Semiconductor开发的600伏特、40安培场截止型绝缘栅双极晶体管(Field Stop IGBT)。这款IGBT专为焊接机(Welder)和功率因数校正(PFC)应用设计,具有低导通损耗和开关损耗的特点。其主要功能包括高电流处理能力、低饱和电压以及快速开关特性,使其在电力电子应用中表现优异。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCES = 600 V
    - 门极-发射极电压:VGES = ±20 V
    - 瞬态门极-发射极电压:±30 V
    - 集电极电流:@ TC = 25°C 时为 80 A;@ TC = 100°C 时为 40 A
    - 脉冲集电极电流:ICM = 120 A
    - 最大功率耗散:@ TC = 25°C 时为 349 W;@ TC = 100°C 时为 174 W
    - 工作结温:TJ = -55 到 +175°C
    - 存储温度范围:Tstg = -55 到 +175°C
    - 焊接用最大引脚温度:TL = 300°C(距离外壳 1/8 英寸处)
    - 热特性
    - 热阻:RθJC(IGBT) ≤ 0.43°C/W,RθJA ≤ 62.5°C/W
    - 电气特性
    - 击穿电压:BVCES = 600 V,ΔBVCES/ΔTJ = 0.6 V/°C
    - 集电极关断电流:ICES ≤ 250 μA
    - 门极-发射极漏电流:IGES ≤ ±400 nA
    - 阈值电压:VGE(th) = 3.5 至 6.0 V
    - 饱和电压:VCE(sat) = 1.9 V(典型值)@ IC = 40 A,VGE = 15 V
    - 输入电容:Cies = 1880 pF(典型值)
    - 输出电容:Coes = 180 pF(典型值)
    - 反向转移电容:Cres = 50 pF(典型值)
    - 动态特性
    - 开启延时时间:td(on) = 12 至 16 ns
    - 上升时间:tr = 20 至 28 ns
    - 关闭延时时间:td(off) = 92 至 120 ns
    - 下降时间:tf = 13 至 17 ns
    - 开关损耗:Eon = 0.87 至 1.30 mJ,Eoff = 0.26 至 0.34 mJ
    - 总开关损耗:Ets = 1.13 至 1.64 mJ

    产品特点和优势


    FGB40N60SM 具备以下特点和优势:
    - 最高结温可达 175°C
    - 正温度系数确保易于并联操作
    - 高电流处理能力
    - 低饱和电压:VCE(sat) = 1.9 V(典型值)@ IC = 40 A
    - 高输入阻抗
    - 快速开关
    - 参数分布紧凑
    - 符合RoHS标准
    - 仅限红外回流焊接

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 焊接机(Welder)
    - 功率因数校正(PFC)
    使用建议
    - 在焊接机中使用时,需注意高电流和高热能的管理,确保散热系统有效运行。
    - 在PFC应用中,应考虑较低的导通和开关损耗以提升效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FGB40N60SM采用TO-263AB/D2-PAK封装,可广泛应用于多种电路板设计中。
    - 支持:Fairchild Semiconductor提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高电流操作时发热过高。
    - 解决方案:增加外部散热装置或改善PCB布局,以提高热传导效率。
    - 问题:安装过程中损坏引脚。
    - 解决方案:使用专用工具进行安装,确保正确安装方式避免引脚损伤。

    总结和推荐


    FGB40N60SM是一款高性能的场截止型IGBT,特别适合需要低导通和开关损耗的应用场合。其显著的优势在于高电流处理能力、低饱和电压以及快速开关特性。考虑到其可靠的设计和良好的市场反馈,我们强烈推荐在相关电力电子应用中使用该产品。无论是焊接机还是PFC系统,FGB40N60SM都将是一个理想的选择。

FGB40N60SM参数

参数
最大功率耗散 349W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.9V
配置 独立式
集电极电流 80A
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 D2PAK,TO-263AB
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

FGB40N60SM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGB40N60SM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR FGB40N60SM FGB40N60SM数据手册

FGB40N60SM封装设计

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